您好, 歡迎來到化工儀器網(wǎng)
國產(chǎn)源表搭建集成電路實驗平臺目的
通過實驗動手操作,，加深對半導(dǎo)體物理理論知識的理解,，掌握半導(dǎo)體材料和不同器件性能的表征方法及基本實驗技能,，培養(yǎng)分析問題和解決問題的能力,。
產(chǎn)品簡介
詳細(xì)介紹
國產(chǎn)源表搭建集成電路實驗平臺目的
通過實驗動手操作,，加深對半導(dǎo)體物理理論知識的理解，掌握半導(dǎo)體材料和不同器件性能的表征方法及基本實驗技能,，培養(yǎng)分析問題和解決問題的能力,。
本科生集成電路實驗平臺實驗?zāi)夸?/strong>
實驗一：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管特性IV特性測試實驗
實驗二：四探針法測量半導(dǎo)體電阻率測試實驗
實驗三： MOS電容的CV特性測試實驗
實驗四：半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測試實驗實驗
實驗五：激光二極管LD的LIV特性測試實驗
實驗六：太陽能電池的特性表征實驗
本科生集成電路實驗平臺優(yōu)勢
滿足本科生基礎(chǔ)教學(xué)實驗中微電子器件和材料測試需求
測試設(shè)備簡單易用，專業(yè)權(quán)W,，方便學(xué)生動手操作
核心設(shè)備測試精度高,，滿足新材料和新器件的指標(biāo)要求
測試軟件功能齊全，平臺化設(shè)計,，有專人維護(hù)支持,，與專業(yè)測試軟件使用相同架構(gòu)
以基礎(chǔ)平臺為起點，可逐步升級,，滿足日益增加的實驗室測試需求
本科生集成電路實驗平臺基本功能
實驗名稱 | 測試參數(shù) |
金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管特性的 IV 特性測試實驗 | l 輸出特性曲線 l 轉(zhuǎn)移特性曲線 l 跨導(dǎo) gm l 擊穿電壓 BVDS l |
四探針法測量半導(dǎo)體電阻率測試實驗
| l 四探針法電阻率ρ l 材料阻值 R |
MOS 電容的 CV 特性測試實驗（低頻 + 高頻） | l CV 特性曲線 |
半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測試實驗 | l 霍爾電壓 VH l 霍爾電阻率ρ l 霍爾系數(shù) RH l 載流子濃度 n l 霍爾遷移率 u |
激光二極管 LD 的 LIV 特性測試
| l LIV 特性曲線 l 閾值電流 Ith l 閾值電流對應(yīng)電壓值 Vth l 拐點 Kink l 線性電阻 Rs |
太陽能電池的特性表征
| l 開路電壓 Voc l 短路電流 Isc l 功率*值 Pmax l 填充因子 FF l 轉(zhuǎn)換效率η l 串聯(lián)電阻 Rs l 旁路電阻 Rsh |
本科生集成電路實驗平臺核心
測試平臺的核心– 源測量單元（源表,， SMU）
普賽斯國產(chǎn)源表四表合一 四象限模式
四線/開爾文測試功能
小信號測試
滿足*器件和材料測試需求
交流測試使用LCR表
探針臺：4寸或6寸手動探針臺
有關(guān)國產(chǎn)源表搭建集成電路實驗平臺的更多信息找普賽斯儀表銷售專員為您解答