Distrelec德國- Distrelec代理 電子元器件
深圳市普索進出口貿(mào)易有限公司（普索貿(mào)易）是一家專業(yè)經(jīng)營工控行業(yè)備件進口的公司,，公司依托德國分公司在歐盟區(qū)域常年的采購經(jīng)驗,，與歐盟境內(nèi)3000多個工控品牌，5000多家供應商建立起長久的合作,，為客戶提供100％原裝正品的工業(yè)產(chǎn)品及零部件的同時提供優(yōu)質(zhì)的價格及服務,。

李沛 133 -1650 -1405（同V）

深圳市普索進出口貿(mào)易有限公司

深圳市普索進出口貿(mào)易有限公司（普索貿(mào)易）是一家專業(yè)經(jīng)營工控行業(yè)備件進口的公司，公司依托德國分公司在歐盟區(qū)域常年的采購經(jīng)驗,，與歐盟境內(nèi)3000多個工控品牌,，5000多家供應商建立起長久的合作，為客戶提供100％原裝正品的工業(yè)產(chǎn)品及零部件的同時提供優(yōu)質(zhì)的價格及服務

Distrelec德國- Distrelec代理 電子元器件

Distrelec德國- Distrelec代理 電子元器件

Distrelec506424阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec15508554阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

DistrelecMD-4 PZ8536901100接插件阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec1551206S4F4701T5E阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec1551206S4J0222T5E阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec1551206S4F1002T5E阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

DistrelecET09-15P阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec711892阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec603248阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec164-90-407阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec6.5-100V5KP85A 60 16 23阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec288177阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec288171阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec270351阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec410282阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec410463阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec17000309阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec130120阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec130302阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec130121阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec601623阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec67.94.40阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec125-11-242阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec430065阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec137-54-624阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec504185阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec504184阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec504294阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec3624/430065阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec160-79-396阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec712157阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distreleckbpc 2506阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec140-72-229阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec2x30uH 2.5A 0R016 80%R1303UKS NKL阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec114423阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec110-34-814阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

DistrelecResistor 2k2 Ohm阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

DistrelecResistor 2k7 Ohm阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec301276阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec150-15-219阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec4.16.10.13.14阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

DistrelecLC1D09LE7阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

DistrelecLC1D09LE7阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec6493143919109900膠帶阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

DistrelecLCLC09DYE10阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec322.6118538900000旋鈕阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec143-49-9888536901100阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec143-49-9968536901100阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec301-45-3548544421100阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec301-45-3598544421100阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

DistrelecJORDNFL150/6/6.5阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

DistrelecRND 455-01114阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

DistrelecRND 455-01114阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec513817阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec155-50-316阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec60 30 98阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec71 40 83阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec71 40 99阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec125-73-476阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec143-30-711/51 00 32阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec6900-822.60阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec160-59-908阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec673155阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

Distrelec679452阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

DistrelecPB-SRT-45-06阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載

DistrelecBB-8008-06阿爾卑斯山的力傳感器采用硅半導體元件的壓阻法,，由MEMS工藝制成的壓阻元件檢測負載