Vossloh-Schwabe德國電子鎮(zhèn)流器
Vossloh-Schwabe德國電子鎮(zhèn)流器
Vossloh-Schwabe Z400M D20 140519 德國 8504101000 電子鎮(zhèn)流器 用途:熒光燈用
Vossloh-Schwabe Z400M D20 141582 德國 8504101001 電子鎮(zhèn)流器 用途:熒光燈用
Vossloh-Schwabe EHXC 70.326 183036 德國 8504101002 電子鎮(zhèn)流器 用途:熒光燈用
Vossloh-Schwabe L13.125 德國 8504101003 電子鎮(zhèn)流器 用途:熒光燈用
Vossloh-Schwabe HOUBEN 529029 Vorschaltger?t 36-40W 德國 8504101004 電子鎮(zhèn)流器 用途:熒光燈用
Vossloh-Schwabe LN 2*18.135 549200 德國 8504101005 電子鎮(zhèn)流器 用途:熒光燈用
Vossloh-Schwabe VOSSLOH Z400 M K D20 德國 8504101006 電子鎮(zhèn)流器 用途:熒光燈用
Vossloh-Schwabe VOSSLOH-SCHWABE Z400S D20 德國 8504101007 電子鎮(zhèn)流器 用途:熒光燈用
Vossloh-Schwabe 3/4x18W T26 188744 1404630 德國 8504101008 電子鎮(zhèn)流器 用途:熒光燈用
Vossloh-Schwabe ELXc 236.438 Ref.-N0.188193. 5432999 德國 8504101009 電子鎮(zhèn)流器 用途:熒光燈用
Vossloh-Schwabe ELXe 236.523 - Ref.-No188023 德國 8504101010 電子鎮(zhèn)流器 用途:熒光燈用
Vossloh-Schwabe NAHJ400.743 6946999 德國 8504101011 電子鎮(zhèn)流器 用途:熒光燈用
Vossloh-Schwabe Z400M 70-400W 220-240V 60H 1362047 德國 8504101012 電子鎮(zhèn)流器 用途:熒光燈用
Vossloh-Schwabe 1361511 德國 8504101013 電子鎮(zhèn)流器 用途:熒光燈用
Vossloh-Schwabe TC-D/TC-T(230V,50Hz,26W) 德國 8504101014 電子鎮(zhèn)流器 用途:熒光燈用
Vossloh-Schwabe EST50/12G.610 5432999 德國 8504101015 電子鎮(zhèn)流器 用途:熒光燈用
Vossloh-Schwabe 471 , 660W 德國 8504101016 電子鎮(zhèn)流器 用途:熒光燈用
Vossloh-Schwabe 1361580 德國 8504101017 電子鎮(zhèn)流器 用途:熒光燈用
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Vossloh-Schwabe ELXe238.552 德國 8504101023 電子鎮(zhèn)流器 用途:熒光燈用
Vossloh-Schwabe 147793 德國 8504101024 電子鎮(zhèn)流器 用途:熒光燈用
半導體是介于導體與絕緣體之間的一種介質,在不同的條件下可以表現(xiàn)出導電或者不導電的特性,。
常見的半導體材料有硅,鍺,,磷等元素周期表中處于金屬與非金屬交界處的四價元素,。其中硅是各種半導體材料應用中具有的一種。
分類:
半導體可以分為本征半導體和非本征半導體,。
本征半導體:*不含雜質的純凈半導體,,載流子只能靠本征激發(fā)產生,導電性差,。
非本征半導體:參有雜質,,分為N型半導體和P型半導體。
N型半導體:
在本征半導體中摻入+5價元素(P,,Sb)的半導體,,給出多的電子變成正離子。
半導體因為摻雜多出的載流子為自由電子,,所以稱為N型半導體,。
N型半導體中的自由電子稱為多數(shù)載流子。
電子是多數(shù)載流子,,簡稱多子,,空穴是少數(shù)載流子,簡稱少子,。
因為摻雜的雜質給出電子,,故N型也稱施主雜質。
P型半導體:
在本征半導體中摻入+3價元素(B,,Ai)的半導體,,得到多的電子變負離子。
半導體因為摻雜多出的載流子為空穴,,所以稱為P型半導體,。
P型半導體中的空穴是多數(shù)載流子,簡稱多子,。
因為摻入的雜質接受電子,,故P型也稱受主雜質。
特性:
1,、熱敏特性
半導體的電阻率會隨溫度變化會發(fā)生明顯地改變,。
例如純鍺,濕度每升高10 度,,它的電阻率就要減小到原來的1╱2,。
利用半導體的熱敏特性,可以制作感溫元件——熱敏電阻,,用于溫度測量和控制系統(tǒng)中,。
2、光敏特性
半導體的電阻率對光的變化十分敏感,。有光照時,、電阻率很小﹔無光照時,電阻率很大,。
例如,,常用的硫化鎘光敏電阻,在沒有光照時,,電阻高達幾十兆歐姆,,受到光照時,電阻一下子降到幾十千歐姆,,電阻值改變了上千倍,。
利用半導體的光敏特性,制作出多種類型的光電器件,,如光電二極管,、光電三極管及硅光電池等.廣泛應用在自動控制和無線電技術中。
3,、摻雜特性
在純凈的半導體中,,摻人極微量的雜質元素,就會使它的電阻率發(fā)生極大的變化,。
例如,,在純硅中摻入百萬分之—的硼元素,其電阻率減小,。
人們可以通過摻入某些特定的雜質元素,,精確地控制半導體的導電能力,制造成不同類型的半導體器件,。
用途:
半導體材料制作成的元器件被廣泛應用在電子技術的各個方面,。比較重要的領域有集成電路、微波器件和光電子器件,。
1,、集成電路
它是半導體技術發(fā)展中的一個領域,已發(fā)展到大規(guī)模集成的階段,。
在幾平方毫米的硅片上能制作幾萬只晶體管,,可在一片硅片上制成一臺微信息處理器,,或完成其它較復雜的電路功能。
集成電路的發(fā)展方向是實現(xiàn)更高的集成度和微功耗,,并使信息處理速度達到微微秒級,。
2、微波器件
半導體微波器件包括接收,、控制和發(fā)射器件等,。
毫米波段以下的接收器件已廣泛使用。
在厘米波段,,發(fā)射器件的功率已達到數(shù)瓦,,人們正在通過研制新器件、發(fā)展新技術來獲得更大的輸出功率,。
3,、光電子器件
半導體發(fā)光、攝象器件和激光器件的發(fā)展使光電子器件成為一個重要的領域,。
它們的應用范圍主要是:光通信,、數(shù)碼顯示、圖象接收,、光集成等,。