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貨物所在地：廣東深圳市
更新時間：2025-04-06 21:00:08
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探測器及模塊
3.0–6.7µm,，HgCdTe二級熱電冷卻，光學(xué)浸沒光伏探測器
PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36是一種基于復(fù)雜HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的二級熱電冷卻紅外光電探測器,，具備很好的穩(wěn)定性,。該材料經(jīng)過優(yōu)化，可在6µm時實現(xiàn)最佳性能,，用高半球GaAs微透鏡來提高探測能力,，反向偏置可顯著增加響應(yīng)速度和動態(tài)范圍。3°楔形硒化鋅（wZnSeAR）防反射涂層窗口防止不必要的干擾效應(yīng),。
| 參數(shù)（Ta = 20°C, Vb = 0 mV） | 探測器類型 |
| PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36 | |
| 光敏元件材料 | HgCdTe |
| 截止波長 λcut-on (10%), µm | 3.0±1.0 |
| 峰值波長 λpeak, µm | 5.2±0.5 |
| 優(yōu)化波長 λopt, µm | 6 |
| 最高截止波長 λcut-off (10%), µm | 6.7±0.3 |
| 探測率 D*(λpeak), cm·Hz1/2/W | ≥7.0×1010 |
| 探測率 D*(λopt), cm·Hz1/2/W | ≥4.0×1010 |
| 電流響應(yīng)度 Ri(λpeak), A/W | ≥2.7 |
| 電流響應(yīng)度 Ri(λopt), A/W | ≥1.5 |
| 時間常數(shù) τ, ns | ≤50 |
| 阻抗 R, Ω | ≥200 |
| 芯片工作溫度 Tdet, K | ~230 |
| 光敏面積 Ao, mm×mm | 1×1 |
| 封裝 | TO8 |
| 接收角度 Φ | ~36° |
| 窗片 | wZnSeAR |
特征
•高性能
•動態(tài)范圍廣
•多功能性
•快速交付
應(yīng)用程序
•氣體檢測,、監(jiān)測和分析（CO、CO2,、NH3,、NOx）
•煙氣脫氮
•發(fā)電廠的燃料燃燒監(jiān)測，以及其他工業(yè)設(shè)施
•非接觸式溫度測量
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•UM-I-6探測模塊
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