TOKIMEC東京計(jì)器閥DG4V-3-2N-M-P2-T-7-54本發(fā)明涉及一種雙重密封電磁閥，包括有電磁控制機(jī)構(gòu),、閥體以及隔膜組件,，所述閥體上設(shè)置有進(jìn)水流道和出水流道，在進(jìn)水流道和出水流道銜接處設(shè)置有閥座,，所述隔膜組件上設(shè)置有進(jìn)水通孔和出水通孔,，電磁控制機(jī)構(gòu)的伸縮桿與出水通孔配合實(shí)現(xiàn)隔膜組件與閥座之間的關(guān)閉和導(dǎo)通配合，所述隔膜組件對(duì)應(yīng)出水通孔位置設(shè)置有向閥座方向延伸的延伸柱,，所述延伸柱上套設(shè)有與閥座的內(nèi)孔相配合的密封圈,。本發(fā)明技術(shù)方案，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,、有效提高密封性能的技術(shù)效果,。

電磁閥，包括有電磁控制機(jī)構(gòu)、閥體以及隔膜組件,，所述閥體上設(shè)置有進(jìn)水流道和出水流道,，在進(jìn)水流道和出水流道銜接處設(shè)置有閥座，所述隔膜組件上設(shè)置有進(jìn)水通孔和出水通孔,，電磁控制機(jī)構(gòu)的伸縮桿與出水通孔配合實(shí)現(xiàn)隔膜組件與閥座之間的關(guān)閉和導(dǎo)通配合,，所述隔膜組件對(duì)應(yīng)出水通孔位置設(shè)置有向閥座方向延伸的延伸柱。現(xiàn)有的電磁閥,，其長(zhǎng)期使用后,，顆粒雜質(zhì)容易進(jìn)入隔膜組件與閥座之間的密封位置，從而影響了隔膜組件與閥座之間的密封效果,。

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足,，本發(fā)明的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、有效提高密封性能的雙重密封電磁閥,。

為實(shí)現(xiàn)上述目的,，本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案:一種雙重密封電磁閥，包括有電磁控制機(jī)構(gòu),、閥體以及隔膜組件,，所述閥體上設(shè)置有進(jìn)水流道和出水流道，在進(jìn)水流道和出水流道銜接處設(shè)置有閥座,，所述隔膜組件上設(shè)置有進(jìn)水通孔和出水通孔,，電磁控制機(jī)構(gòu)的伸縮桿與出水通孔配合實(shí)現(xiàn)隔膜組件與閥座之間的關(guān)閉和導(dǎo)通配合，所述隔膜組件對(duì)應(yīng)出水通孔位置設(shè)置有向閥座方向延伸的延伸柱,，所述延伸柱上套設(shè)有與閥座的內(nèi)孔相配合的密封圈,。
[0005]通過采用本發(fā)明技術(shù)方案，平面密封基礎(chǔ)上疊加軸向密封,，電磁閥關(guān)閉時(shí),，如果有顆粒雜質(zhì)進(jìn)入隔膜組件與閥座之間的密封位置，而使得隔膜組件端面密封失效的情況下,，密封圈受隔膜組件上下腔壓力差作用,，強(qiáng)制進(jìn)入閥座的內(nèi)孔，獨(dú)立完成軸向密封,。因此,，同時(shí)起雙重密封作用，從而有效提高了密封性能,。
本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置:所述閥座的內(nèi)孔頂部的內(nèi)壁與閥座的頂端壁通過圓弧壁過渡,。
通過采用本發(fā)明技術(shù)方案，密封圈能夠沿著圓弧壁更加順利的進(jìn)入閥座的內(nèi)孔以實(shí)現(xiàn)軸向密封,。
通過采用本發(fā)明技術(shù)方案,，通過定位凸臺(tái)對(duì)密封圈進(jìn)定位,，提高了穩(wěn)定性。
本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置:所述閥體內(nèi)設(shè)置有向相對(duì)電磁控制機(jī)構(gòu)另一側(cè)方向凹陷的納污凹腔,。
通過采用本發(fā)明技術(shù)方案,，純水機(jī)制水時(shí)，電磁閥通電,，隔膜組件升程小,，主流道半開狀態(tài)，水流量小,，水的沖力小,，水里的細(xì)小顆粒雜質(zhì)落在納污凹腔;純水機(jī)沖洗時(shí)，電磁閥通電,，膜片升程大,，主流道全開狀態(tài)，水流量大,，水的沖力大,，將納污凹腔里的顆粒雜質(zhì)沖出。
本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置:所述納污凹腔置于所述進(jìn)水流道的內(nèi)側(cè)一端,，并且所述納污凹腔向所述進(jìn)水流道相對(duì)電磁控制機(jī)構(gòu)另一側(cè)方向凹陷,。
通過采用本發(fā)明技術(shù)方案，純水機(jī)制水時(shí),，顆粒雜質(zhì)更加容易堆積在納污凹腔內(nèi),；而純水機(jī)沖洗時(shí)，更加容易將納污凹腔里的顆粒雜質(zhì)沖出,。
本實(shí)施例進(jìn)一步設(shè)置:所述閥座203的內(nèi)孔頂部的內(nèi)壁與閥座203的頂端壁通過圓弧壁過渡,。通過采用本發(fā)明技術(shù)方案，密封圈4能夠沿著圓弧壁更加順利的進(jìn)入閥座203的內(nèi)孔以實(shí)現(xiàn)軸向密封,。
本實(shí)施例進(jìn)一步設(shè)置:所述延伸柱33上設(shè)置有對(duì)密封圈4進(jìn)行定位的定位凸臺(tái)34,。通過采用本發(fā)明技術(shù)方案，通過定位凸臺(tái)34對(duì)密封圈4進(jìn)定位,，提高了穩(wěn)定性。
本實(shí)施例進(jìn)一步設(shè)置:所述閥體2內(nèi)設(shè)置有向相對(duì)電磁控制機(jī)構(gòu)I另一側(cè)方向凹陷的納污凹腔204,。通過采用本發(fā)明技術(shù)方案,，純水機(jī)制水時(shí)，電磁閥通電,，隔膜組件3升程小,，主流道半開狀態(tài)，水流量小,，水的沖力小,，水里的細(xì)小顆粒雜質(zhì)落在納污凹腔204 ,；純水機(jī)沖洗時(shí)，電磁閥通電,，隔膜組件3升程大,，主流道全開狀態(tài)，水流量大,，水的沖力大,，將納污凹腔204里的顆粒雜質(zhì)沖出。
本發(fā)明的納污凹腔204可以設(shè)置在閥體2的不同位置,，本實(shí)施例優(yōu)選的進(jìn)一步設(shè)置:所述納污凹腔204置于所述進(jìn)水流道201的內(nèi)側(cè)一端,，并且所述納污凹腔204向所述進(jìn)水流道201相對(duì)電磁控制機(jī)構(gòu)I另一側(cè)方向凹陷。通過采用本發(fā)明技術(shù)方案,，純水機(jī)制水時(shí),，顆粒雜質(zhì)更加容易堆積在納污凹腔204內(nèi)；而純水機(jī)沖洗時(shí),，更加容易將納污凹腔204里的顆粒雜質(zhì)沖出,。

TOKIMEC電磁閥DG4V-3-2AL-M-U7-H-52-K

TOKIMEC電磁閥DG4V-3-2A-M-P2-T-54

TOKIMEC電磁閥DG4V-3-2A-M-P2-T-7-52

TOKIMEC電磁閥DG4V-3-2A-M-P2-T-7-54

TOKIMEC電磁閥DG4V-3-2A-M-P2-T-7-P10-50

TOKIMEC電磁閥DG4V-3-2A-M-P2-V-7-54

TOKIMEC電磁閥DG4V-3-2A-M-P7-T-7-54

TOKIMEC電磁閥DG4V-3-2A-M-U1-H-7-52

TOKIMEC電磁閥DG4V-3-2A-M-U1-H-T-52

TOKIMEC電磁閥DG4V-3-2A-M-U1-T-54

TOKIMEC電磁閥DG4V-3-2A-M-U1-V-7-54

TOKIMEC電磁閥DG4V-3-2A-M-U7-H-52-K

TOKIMEC電磁閥DG4V-3-2A-M-U7-H-7-54

TOKIMEC電磁閥DG4V-3-2A-M-U7-T-7-54

TOKIMEC東京計(jì)器閥DG4V-3-2N-M-P2-T-7-54一種雙重密封電磁閥，包括有電磁控制機(jī)構(gòu),、閥體以及隔膜組件,，所述閥體上設(shè)置有進(jìn)水流道和出水流道，在進(jìn)水流道和出水流道銜接處設(shè)置有閥座,，所述隔膜組件上設(shè)置有進(jìn)水通孔和出水通孔,，電磁控制機(jī)構(gòu)的伸縮桿與出水通孔配合實(shí)現(xiàn)隔膜組件與閥座之間的關(guān)閉和導(dǎo)通配合，所述隔膜組件對(duì)應(yīng)出水通孔位置設(shè)置有向閥座方向延伸的延伸柱,，其特征在于:所述延伸柱上套設(shè)有與閥座的內(nèi)孔相配合的密封圈,。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙重密封電磁閥，其特征在于:所述閥座的內(nèi)孔頂部的內(nèi)壁與閥座的頂端壁通過圓弧壁過渡,。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的雙重密封電磁閥,，其特征在于:所述延伸柱上設(shè)置有對(duì)密封圈進(jìn)行定位的定位凸臺(tái)。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的雙重密封電磁閥,，其特征在于:所述閥體內(nèi)設(shè)置有向相對(duì)電磁控制機(jī)構(gòu)另一側(cè)方向凹陷的納污凹腔,。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙重密封電磁閥，其特征在于:所述納污凹腔置于所述進(jìn)水流道的內(nèi)側(cè)一端,，并且所述納污凹腔向所述進(jìn)水流道相對(duì)電磁控制機(jī)構(gòu)另一側(cè)方向凹陷,。