詳細介紹
離體培養(yǎng)細胞牽張性損傷模型(CIC II)、創(chuàng)傷性腦損傷是神經(jīng)外科chang見的疾病,,是導(dǎo)致創(chuàng)傷患者傷殘及死亡的主要原因,。研究腦損傷后的神經(jīng)生化、神經(jīng)病理生理等方面的變化,,可為探索行之有效的腦保護治療提供幫助,,將有助于提高顱腦損傷患者的生存率及生存質(zhì)量。故建立各種便于觀察和施加干預(yù)因素,、控制性佳,、可分級、可復(fù)制性好并符合人類腦創(chuàng)傷特點的創(chuàng)傷性腦損傷模型,,是目前創(chuàng)傷性腦損傷的研究熱點,。
VCU動物顱腦損傷儀可以分為:
液壓顱腦損傷儀(FPI),
電子顱腦損傷儀(eCCI)
離體培養(yǎng)細胞牽張性損傷模型(CIC II)
這三種產(chǎn)品己廣泛應(yīng)用于世界范圍內(nèi)的顱腦創(chuàng)傷研究中心,,是目前wei一的顱腦創(chuàng)傷模型制作的金標準,。同時,損傷儀還可應(yīng)用到眼科損傷模型,,細胞損傷儀可以應(yīng)用到其它種類細胞損傷模型的制作。
弗吉尼亞州立大學放射學系所有定制的設(shè)備都是由CDF(定制設(shè)計與制造)制作的,。2000年的時候,CDF公司(定制設(shè)計與制造公司)建立了一個成本核算中心,,以便拓展與其他需要定制設(shè)備的客戶的商業(yè)聯(lián)系。目前CDF公司提供了在機械和電子工程設(shè)備定制的全面服務(wù),。除了網(wǎng)頁上面展示的產(chǎn)品外,,我們還提供給用戶定制服務(wù),,希望您有想法告訴我們,我們幫您實現(xiàn),。
液壓顱腦損傷儀(FPI)
液壓沖擊損傷儀(Fluid Percussion Injury)是由VCU大學所制作設(shè)計的,,針對神經(jīng)創(chuàng)傷機制研究,。成為研究神經(jīng)創(chuàng)傷廣泛使用的儀器,,基本的組件是采取xianjin的Power coating process技術(shù),鋁制部分的組件都已經(jīng)電鍍以避免氧化且可以長久使用,。液壓沖擊腦損傷儀可以重復(fù)一致的產(chǎn)生液壓沖擊損傷(FPI),。 VCU動物顱腦損傷儀CIC
系統(tǒng)優(yōu)點:
可方便的排除氣飽。
角度刻度可方便觀察撞擊角度,。
集成壓基準力輸出,,方便校準??奢敵鰶_擊壓力,。
配備高精度的壓力傳感
電子顱腦損傷儀(eCCI)
由VCU大學所制作設(shè)計的電子大腦皮質(zhì)挫傷撞擊儀(electric Cortical Contusion Impactor),主要針對腦皮質(zhì)挫傷模型,。是神經(jīng)損傷研究機構(gòu)shou歡迎的損傷模型制作工具,。電子大腦皮質(zhì)挫傷撞擊儀(eCCI)的組件有: 堅固的鋁架,動物平臺,,撞擊控制器和撞擊頭,。動物平臺可以和各種立體定位儀搭配使用。eCCI電子大腦皮質(zhì)挫傷撞擊儀使用高級的線性馬達驅(qū)動撞擊頭,,并由控制器來控制撞擊參數(shù),,實現(xiàn)不同程度的損傷。撞擊頭的組件部分有含感應(yīng)器,,可以確定速率,、撞擊深度及撞擊停留,。這些撞擊參數(shù)*可以重復(fù)實現(xiàn),。
與傳統(tǒng)Feeney’s自由落體硬膜外撞擊方法相比有以下優(yōu)點:
可連續(xù)的控制撞擊速度,并獲得實際撞擊深度和停留時間等參數(shù),。而非重量差異很大的撞擊。由于可控制撞擊速度和獲得實際撞擊結(jié)果參數(shù),,eCCI電子大腦皮質(zhì)挫傷撞擊儀可以重復(fù)制作挫傷損傷模型。減少動物死亡,。使實驗過程更加直觀,可控,。
細胞顱腦損傷儀(CIC)
細胞損傷控制儀(Cell Injury Controller II)采取電子式控制,,采取電子式控制,適合腦源性細胞培養(yǎng)樣品,,或其它離體培養(yǎng)細胞的牽張性損傷模型制作。損傷后可進行神經(jīng)生化,、形態(tài)學、生理學,,藥物干預(yù)等方面的研究。
細胞損傷控制儀使用Flexcell公司的Tissue Train ? 三維細胞組織應(yīng)力加載系統(tǒng),。
細胞損傷控制儀平均把壓縮氣體送到每個培養(yǎng)室,,以造成培養(yǎng)組織牽張性的損傷,,損傷的嚴重程度是依靠控制進出密閉培養(yǎng)室的氣體量,。養(yǎng)室的峰值壓力同時被記錄下來,這個數(shù)值可以用來地表明引起牽張性細胞損傷的氣壓值,。細胞損傷控制儀(CIC II)可以搭配Flex I29.45cm2 柔性基底培養(yǎng) I (針對VCU早期的細胞損傷控制儀)或BioFlex? 57.75cm2 柔性基底培養(yǎng)板。因為根據(jù)所采用的細胞種類,、損傷的程度,、培養(yǎng)的狀況,受損后的細胞或許會因為上述因素死亡或修復(fù),,所以VCU的細胞損傷控制儀(CIC II)很適合應(yīng)用在下列損傷反應(yīng)研究:細胞受損,、修護,死亡,,藥物介入,。
損傷水平 | 大概膜伸展 | Model 94A- Felx I | CIC II-Flex I | CIC II –BioFlex |
低 | 120% | 5.5毫米 | 8.2 - 8.8 PSI | 1.8 - 2.0 PSI |
中 | 135% | 6.5毫米 | 10.0 - 10.5 PSI | 2.5 - 3.0 PSI |
嚴重 | 155% | 7.5毫米 | 11.0 -11.5 PSI | 3.5 -4.5 PSI |
*Note that the CIC Model 94A Flex I deformation data is the measured distension of a dry reference well. The corresponding peak pressure values are based on the anticipated injury deformation with the addition of 1 ml of fluid media. The presence of 1 ml of fluid increases the deformation approximately 5 percent over the reference well measurement.