TEM小室其實就是一個變型的同軸線,，在此同軸線中部，由一塊扁平的芯板作為內(nèi)導(dǎo)體,，外導(dǎo)體為方形,，兩端呈錐形向通用的同軸器件過渡，一頭連接同軸線到測試接收機,，另一頭連接匹配負(fù)載,。TEM小室的外導(dǎo)體頂端有一個方形開口用于安裝測試電路板。其中,，集成電路的一側(cè)安裝在小室內(nèi)側(cè),，互連線和外圍電路的一側(cè)向外。這樣做使測到的輻射發(fā)射主要來源于被測的IC芯片,。受測芯片產(chǎn)生的高頻電流在互連導(dǎo)線上流動，那些焊接引腳,、封裝連線就充當(dāng)了輻射發(fā)射天線,。當(dāng)測試頻率低于TEM小室的一階高次模頻率時，只有主模TEM模傳輸,，此時TEM小室端口的測試電壓與騷擾源的發(fā)射大小有較好的定量關(guān)系,，因此，可用此電壓值來評定集成電路芯片的輻射發(fā)射大小,。
 

　　TEM小室的測量手段主要是由測試場地和測試儀器組成,。常規(guī)的電磁兼容檢測方法有屏蔽室法、開闊場法,、電波暗室法等,。
 

　　屏蔽室：在EMC測試中，屏蔽室能提供環(huán)境電平低而恒定的電磁環(huán)境,，它為測量精度的提高,，測量的可靠性和重復(fù)性的改善帶來了較大的潛力。但是由于被測設(shè)備在屏蔽室中產(chǎn)生的干擾信號通過屏蔽室的六個面產(chǎn)生無規(guī)則的漫反射,，特別是在輻射發(fā)射測量和輻射敏感度測量中表現(xiàn)更嚴(yán)重,，導(dǎo)致在屏蔽室內(nèi)形成駐波而產(chǎn)生較大的測量誤差,。
 

　　電波暗室：通常所說的電波暗室在結(jié)構(gòu)上大都由屏蔽室和吸波材料兩部分組成。在工程應(yīng)用中又分全電波暗室和半電波暗室,。全電波暗室可充當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)天線的校準(zhǔn)場地,，半電波暗室可作為EMC試驗場地。電波暗室的主要性能指標(biāo)有“靜區(qū)”,、“工作頻率范圍”等六個,。但建造電波暗室的成本、難度均相當(dāng)高,，因為暗室的工作頻率的下限取決于暗室的寬度和吸收材料的長度,、上限取決于暗室的長度和所充許的靜區(qū)的zui小截面積。且由于吸波材料的低頻特性等原因,，總的測試誤差有時高達幾十分貝,。