BEHLKE貝克多功能高壓開關(guān) 醫(yī)療行業(yè)

Behlke 產(chǎn)品組C2 - 具有可變導(dǎo)通時(shí)間和高di / dt的MOSFET開關(guān)
1）HTS 61-40，具有高di / dt的MOSFET開關(guān),?？勺儗?dǎo)通時(shí)間從300 ns到無(wú)限。6 kVDC,，400 A pk,。上升時(shí)間<10 ns @Ip（大值）

2）HTS 101-20，MOSFET開關(guān)具有高di / dt?？勺儗?dǎo)通時(shí)間從300 ns到無(wú)限,。10 kVDC，200 A pk,。上升時(shí)間<12 ns @Ip（大值）

3）HTS 311-130-B,，溝道FET技術(shù)中具有高di / dt的MOSFET開關(guān)?？勺儗?dǎo)通時(shí)間300 ns - ∞,。31 kVDC，1300 A pk,。上升時(shí)間<20 ns @Ip（大值）,。獨(dú)立控制單元,。  

Behlke 產(chǎn)品組C3 - MOSFET,，可變導(dǎo)通時(shí)間，低耦合電容

1）HTS 901-10-LC2,，低電容MOSFET開關(guān),，采用高壓瞬態(tài)LC2技術(shù)。該開關(guān)旨在滿足非?？量痰墓I(yè)要求,。隔離電壓> 150 kV      （可選高達(dá)300 kV）。內(nèi)置控制單元（可更換）,。90 kVDC,，100 A.導(dǎo)通電阻<40歐姆。開啟上升時(shí)間<50 ns,。  

2）HTS 901-10-LC2,，如上所述，但帶有選件SEP-C（獨(dú)立控制單元）和選件DLC（直接液體冷卻）,。  

3）HTS 1001-20-LC2,，高功率MOSFET開關(guān)，帶選件TH（管狀外殼）和選件DLC（直接液體冷卻）,。100 kVDC,，200 A pk。,，上升時(shí)間<50 ns,，大值 功耗30千瓦     

 注意：與具有非常有限的dv / dt和di / dt能力的經(jīng)典盤式晶閘管開關(guān)不同，快速的Behlke晶閘管開關(guān)模塊由大量較小的晶閘管芯片（類型取決于多達(dá)1000個(gè)單晶閘管）制成,，并聯(lián)和串聯(lián)連接,，使極限dv / dt和di / dt有效地分裂為單晶閘管的非關(guān)鍵值。每個(gè)晶閘管都由其高度同步和隔離的柵極驅(qū)動(dòng)器發(fā)射。這使得非常短的柵極布線成為可能,，并且避免了經(jīng)典晶閘管開關(guān)設(shè)計(jì)中已知的危險(xiǎn)熱點(diǎn),。Behlke晶閘管開關(guān)可以安全地以高物理可能的di / dt和dv / dt速率以及盡可能高的峰值電流運(yùn)行，而不會(huì)出現(xiàn)任何可測(cè)量的預(yù)期壽命下降,。Behlke晶閘管開關(guān)是真正的柵極控制,，不會(huì)從高壓負(fù)載電路汲取發(fā)射能量。

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