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產(chǎn)品簡介
詳細介紹
電子超純水生產(chǎn)設(shè)備_超純水系統(tǒng),。硅片是現(xiàn)代半導(dǎo)體行業(yè)*的基礎(chǔ)材料，而在硅片的生產(chǎn)過程中會有許多的污染物質(zhì)干擾產(chǎn)品的質(zhì)量,，所以半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)硅片需要進行嚴格的清洗，通過清洗去除掉表面的污染雜質(zhì),，包括有機物和無機物等,，否則微量元素的污染會導(dǎo)致半導(dǎo)體器件失效。
多晶硅是由許多硅原子及許多小的晶粒組合而成的硅晶體,。由于各個晶粒的排列方向彼此不同,，其中有大量的缺陷。多晶硅一般呈深銀灰色,，不透明,，具有金屬光澤，性脆,，常溫下不活潑,。
多晶硅是用金屬硅(工業(yè)硅)經(jīng)化學(xué)反應(yīng)、提純,再還原得到的高純度材料(也叫還原硅),。目前世界上多晶硅生產(chǎn)的方法主要有改良西門子法(SiHCl3),、新硅烷法(SiH4)、SiH2Cl2熱分解法,、SiCl4法等多晶硅生產(chǎn)工藝,。
對于消毒系統(tǒng)和清洗系統(tǒng)而言有四種類型：低pH值型、高pH值型、高溫消毒型以及低濃度氧化消毒清洗型,。單獨的消毒清洗程序只針對淡水,、濃水以及給水管線而言，消毒清洗的循環(huán)過程可以獨立完成,，獨立的循環(huán)程序也可同時進行,，從而減少總的使用時間。由于極水循環(huán)的低清洗流速,，大多數(shù)情況下清洗過程必須同時與濃水循環(huán)清洗和淡水循環(huán)清洗同時進行,。清洗水箱及水泵是*的(CIP系統(tǒng))?？偣残枰鍡l清洗流水線：兩個進口(淡水進口和濃水進口)以及三個出口(淡水出口,，給水出口和濃水排放)。
工藝流程：
原水箱→原水提升泵→石英砂過濾器→活性炭過濾器→軟水器→精密過濾器→一級高壓泵→一級反滲透→級間水箱→二級高壓泵→中間水箱→EDI提升泵→微孔過濾器→EDI系統(tǒng)→EDI水箱→拋光混床→用水點
設(shè)備特點：
1. 能耗低,，水資源利用率高,，設(shè)備運行成本得到了有效控制。
2. 設(shè)備全自動化微電腦控制,，當(dāng)運行過程出現(xiàn)故障時,，會及時停止，且具有自動保護功能,。
3. 膜組件部分是采用進口材料,，表現(xiàn)出更高的溶質(zhì)分離率和透過速率。
4. 設(shè)備整體化程度高,，易于擴展,，可以增加膜的過濾數(shù)量從而增加單位時間內(nèi)的處理量。
5. 系統(tǒng)整體無易損部件,，不會存在大量需要維修的情況,，保障設(shè)備的*有效運行。
6. 結(jié)構(gòu)搭配合理,，減少設(shè)備使用的占地面積,。
7. 設(shè)備可連續(xù)生產(chǎn)，卡扣式安裝方式,，維修維護快速便捷,。
8. 出水水質(zhì)穩(wěn)定，設(shè)備的實用性設(shè)計強,，便于日常使用,。
9. 不需要處理廢酸廢堿，也不需要酸堿再生,，*程度的節(jié)約日常運行成本,。
執(zhí)行標(biāo)準：
GB6682-2000中國國家實驗室用水GB6682-2000
GB/T 11446.7——1997 電子級水中痕量氯離子,、硝酸根離子、磷酸根離子,、硫酸根離子的離子色譜測試方法
GB/T 11446.5——1997 電子級水中痕量金屬的原子吸收分光光度測試方法
GB/T 11446.3——1997 電子級水測試方法通則
GB/T 11446.6——1997 電子級水中二氧化硅的分光光度測試方法
GB/T 11446.4——l997 電子級水電阻率的測試方法
GB/T 11446.9——1997 電子級水中微粒的儀器測試方法
GB/T 11446.8——1997 電子級水中總有機碳的測試方法
JBT 7621-1994 電力半導(dǎo)體器件工藝用高純水
ASTM D5127-2007美國電子和半導(dǎo)體水質(zhì)標(biāo)準
GBT11446.1-2013電子級超純水中國國家標(biāo)準