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產(chǎn)品簡介
詳細(xì)介紹
額定參數(shù)值
1、400KV沖擊電壓發(fā)生器裝置額定標(biāo)稱電壓：±400kV
2,、額定級電壓：±100kV
3、額定能量：10kJ
4,、沖擊總電容：0.25μF
5,、總級數(shù)：4級
6、額定級電容量：0.5μF
負(fù)荷電容為300~5000PF時能產(chǎn)生下列波形：
1,、1.2±30%/50±20%μs雷電沖擊電壓全波,，電壓效率≥92%(空載)
2、2～6μs的標(biāo)準(zhǔn)沖擊電壓截波,，電壓效率≥92%(空載)
3,、沖擊電壓波形參數(shù)均符合IEC和GB311－97國家標(biāo)準(zhǔn)的要求
4、同步范圍：級電壓在10%～*額定電壓范圍內(nèi),，正負(fù)極性同步范圍不小于20%,；
5、點火范圍10%～*
6,、同步放電失控率：＜ 2%
7,、*低輸出電壓：≤10un
8、充電電壓不穩(wěn)定度：≤±1.0%
9,、使用持續(xù)時間：＞70%un額定電壓以上,，每90秒充放電一次可連續(xù)運行；在＜70%un額定電壓下,，每45秒充放電一次可連續(xù)運行,。
效率
輸出電壓幅值V2m與充電電壓пV 之比稱作發(fā)生器的效率η，即
η=(V2m /nV)×*
對雷電沖擊波，η一般約80%,；對操作沖擊波,，η有時僅60%。
沖擊電壓波形參數(shù)T1(Tcr),、T2及發(fā)生器效率η與回路結(jié)構(gòu)和參數(shù)有關(guān),，均需通過實際調(diào)試進(jìn)行調(diào)整和確定。
對于電力變壓器等帶有繞組的電力設(shè)備,，通常還要求做雷電沖擊截波試驗,。沖擊電壓發(fā)生器外接一截斷間隙即可產(chǎn)生沖擊截波。標(biāo)準(zhǔn)雷電截波是標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊波經(jīng)過2～5μs截斷的波形,。
400KV沖擊電壓發(fā)生器裝置是高電壓試驗室的基本試驗設(shè)備之一,。目前中國已建的沖擊電壓發(fā)生器*高額定電壓為6MV，有的國家個別的高達(dá)10MV,。
特點
1,、回路電感小，并采取帶阻濾波措施,，在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)沖擊波,，負(fù)載能力大;
2、電壓利用系數(shù)高,，雷電波和操作波分別不低于85%和80%,；
3、調(diào)波方便,，操作簡單,，同步性能好，動作可靠,；
4,、采用恒流充電自動控制技術(shù)，自動化程度高,，抗*力強(qiáng),；一種模仿雷電及操作過電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿,、放電等試驗中,。
絕緣試驗用沖擊電壓的標(biāo)準(zhǔn)波形按照《高電壓試驗技術(shù)》標(biāo)準(zhǔn)和國家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定：
雷電沖擊波 T1/T2=1.2/50μs
操作沖擊波 Tcr/T2=250/2500μs
主要部件
1、直流充電部分
1）采用雙邊不對稱式可控硅恒流充電方式,，額定輸出電壓±100kV,；
2）采用雙邊不對稱式可控硅恒流充電方式，額定輸出電流30mA,；
3）采用絕緣筒油浸式充電變壓器,，變壓器密封良好,，無滲漏油；
4）采用2DL－200kV/200mA的高壓整流硅堆,；
5）高壓整流硅堆保護(hù)電阻采用漆包電阻絲有感密繞在絕緣管上,；
6）恒流充電裝置在10%～*額定充電電壓范圍內(nèi)，實際充電電壓與整定電壓偏差不大于±1%,，充電電壓的不穩(wěn)定性不大于±1%,，充電電壓的可調(diào)精度為1%；
7）直流電阻分壓器采用100kV,，200MΩ油浸式金屬膜電阻,，低壓臂電阻裝在分壓器底法蘭內(nèi)；
使用條件
海拔高度：≤1000m
環(huán)境溫度：-25℃～+45℃
相對濕度：≤90%（20℃時）
*大日溫差：≤25℃
抗地震能力：≤8級烈度
安裝地點：戶內(nèi)
電源電壓的波形為實際正弦波
波形畸變率<3%
設(shè)有一可靠接地點,，接地電阻＜0.5Ω