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沖擊電壓發(fā)生器成套裝置
主要部件
1、直流充電部分
1）沖擊電壓發(fā)生器成套裝置采用雙邊不對(duì)稱式可控硅恒流充電方式,，額定輸出電壓±100kV,；
2）沖擊電壓發(fā)生器成套裝置采用雙邊不對(duì)稱式可控硅恒流充電方式,，額定輸出電流30mA,；
3）采用絕緣筒油浸式充電變壓器,，變壓器密封良好，無滲漏油,；
4）采用2DL－200kV/200mA的高壓整流硅堆；
5）高壓整流硅堆保護(hù)電阻采用漆包電阻絲有感密繞在絕緣管上,；
6）恒流充電裝置在10%～100%額定充電電壓范圍內(nèi),，實(shí)際充電電壓與整定電壓偏差不大于±1%，充電電壓的不穩(wěn)定性不大于±1%，充電電壓的可調(diào)精度為1%,；
7）直流電阻分壓器采用100kV,，200MΩ油浸式金屬膜電阻，低壓臂電阻裝在分壓器底法蘭內(nèi),；
使用條件
海拔高度：≤1000m
環(huán)境溫度：-25℃～+45℃
相對(duì)濕度：≤90%（20℃時(shí)）
*大日溫差：≤25℃
抗地震能力：≤8級(jí)烈度
安裝地點(diǎn)：戶內(nèi)
電源電壓的波形為實(shí)際正弦波
波形畸變率<3%
設(shè)有一可靠接地點(diǎn),，接地電阻＜0.5Ω
效率
輸出電壓幅值V2m與充電電壓пV 之比稱作發(fā)生器的效率η，即
η=(V2m /nV)×100%
對(duì)雷電沖擊波,，η一般約80%,；對(duì)操作沖擊波，η有時(shí)僅60%,。
沖擊電壓波形參數(shù)T1(Tcr),、T2及發(fā)生器效率η與回路結(jié)構(gòu)和參數(shù)有關(guān)，均需通過實(shí)際調(diào)試進(jìn)行調(diào)整和確定,。
對(duì)于電力變壓器等帶有繞組的電力設(shè)備,，通常還要求做雷電沖擊截波試驗(yàn)。沖擊電壓發(fā)生器外接一截?cái)嚅g隙即可產(chǎn)生沖擊截波,。標(biāo)準(zhǔn)雷電截波是標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊波經(jīng)過2～5μs截?cái)嗟牟ㄐ巍?/p>
是高電壓試驗(yàn)室的基本試驗(yàn)設(shè)備之一,。目前中國已建的沖擊電壓發(fā)生器*高額定電壓為6MV，有的國家個(gè)別的高達(dá)10MV,。
特點(diǎn)
1,、回路電感小，并采取帶阻濾波措施,，在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)沖擊波,，負(fù)載能力大;
2、電壓利用系數(shù)高,，雷電波和操作波分別不低于85%和80%,；
3、調(diào)波方便,，操作簡單,，同步性能好，動(dòng)作可靠,；
4,、采用恒流充電自動(dòng)控制技術(shù)，自動(dòng)化程度高,，抗*力強(qiáng),；一種模仿雷電及操作過電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿,、放電等試驗(yàn)中,。
絕緣試驗(yàn)用沖擊電壓的標(biāo)準(zhǔn)波形按照《高電壓試驗(yàn)技術(shù)》標(biāo)準(zhǔn)和國家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定：
雷電沖擊波 T1/T2=1.2/50μs
操作沖擊波 Tcr/T2=250/2500μs
額定參數(shù)值
1,、額定標(biāo)稱電壓：±400kV
2、額定級(jí)電壓：±100kV
3,、額定能量：10kJ
4,、沖擊總電容：0.25μF
5、總級(jí)數(shù)：4級(jí)
6,、額定級(jí)電容量：0.5μF
負(fù)荷電容為300~5000PF時(shí)能產(chǎn)生下列波形：
1,、1.2±30%/50±20%μs雷電沖擊電壓全波，電壓效率≥92%(空載)
2,、2～6μs的標(biāo)準(zhǔn)沖擊電壓截波,，電壓效率≥92%(空載)
3、沖擊電壓波形參數(shù)均符合IEC和GB311－97國家標(biāo)準(zhǔn)的要求
4,、同步范圍：級(jí)電壓在10%～100%額定電壓范圍內(nèi),，正負(fù)極性同步范圍不小于20%；
5,、點(diǎn)火范圍10%～100%
6,、同步放電失控率：＜ 2%
7、*低輸出電壓：≤10un
8,、充電電壓不穩(wěn)定度：≤±1.0%
9,、使用持續(xù)時(shí)間：＞70%un額定電壓以上，每90秒充放電一次可連續(xù)運(yùn)行,；在＜70%un額定電壓下,，每45秒充放電一次可連續(xù)運(yùn)行。