本體部分

本體結(jié)構(gòu)形式采用仿瑞士Haefely公司G型結(jié)構(gòu),，封閉式放電系統(tǒng),，Highvoit技術(shù)的接地裝置；
本體每級(jí)額定電壓±100kV,；
本體每級(jí)包括1臺(tái)MWF50kV/1μF×2鐵外殼油浸式脈沖電容器,、波頭電阻、波尾電阻和點(diǎn)火球隙等,，當(dāng)產(chǎn)生雷電波時(shí)根據(jù)試品電容量大小,，選擇適當(dāng)?shù)睦纂姴ú^電阻、波尾電阻和級(jí)數(shù),。
波頭電阻,、波尾電阻均采用板形結(jié)構(gòu)，無(wú)感繞制,，波頭電阻和波尾電阻均可互換,；
接頭均為彈簧壓接式，方便調(diào)波時(shí)的插拔且接觸可靠,；
波頭,、波尾電阻支架可以由多支電阻同時(shí)并聯(lián)使用；
*級(jí)球隙采用單邊同步點(diǎn)火脈沖裝置觸發(fā),，第二級(jí)采用橢圓球隙點(diǎn)火，同步誤動(dòng)率或拒動(dòng)率不大于2%,。
各級(jí)球隙距離由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)作直線調(diào)整,，裝置噪音小,，定位無(wú)慣性，準(zhǔn)確,、快速,，控制顯示對(duì)應(yīng)球距的放電電壓；
本體支柱采用環(huán)氧樹(shù)脂絲纏繞制造,，電位的部分采取抗老化和電暈的措施,；
400kV沖擊電壓發(fā)生器本體尺寸長(zhǎng)×寬×高約：2.4m×2m×1.7m，整個(gè)本體部分有活動(dòng)輪架,，便于隨意移動(dòng),；

主要部件

直流充電部分

采用雙邊不對(duì)稱式可控硅恒流充電方式，額定輸出電壓±100kV,；
采用雙邊不對(duì)稱式可控硅恒流充電方式,，額定輸出電流30mA；
采用絕緣筒油浸式充電變壓器,，變壓器密封良好,，無(wú)滲漏油；
采用2DL－200kV/200mA的高壓整流硅堆,；
高壓整流硅堆保護(hù)電阻采用漆包電阻絲有感密繞在絕緣管上,；
恒流充電裝置在10%～100%額定充電電壓范圍內(nèi)，實(shí)際充電電壓與整定電壓偏差不大于±1%,，充電電壓的不穩(wěn)定性不大于±1%,，充電電壓的可調(diào)精度為1%；
直流電阻分壓器采用100kV,，200MΩ油浸式金屬膜電阻,，低壓臂電阻裝在分壓器底法蘭內(nèi)；
自動(dòng)接地開(kāi)關(guān)采用鋼帶接地機(jī)構(gòu),，試驗(yàn)停止時(shí)可自動(dòng)將主電容器經(jīng)保護(hù)電阻短路接地,。

效率

沖擊電壓發(fā)生器裝置承裝修試資質(zhì)用設(shè)備輸出電壓幅值V2m與充電電壓пV 之比稱作發(fā)生器的效率η，即
η=(V2m /nV)×100%
對(duì)雷電沖擊波,，η一般約80%,；對(duì)操作沖擊波，η有時(shí)僅60%,。
沖擊電壓波形參數(shù)T1(Tcr),、T2及發(fā)生器效率η與回路結(jié)構(gòu)和參數(shù)有關(guān)，均需通過(guò)實(shí)際調(diào)試進(jìn)行調(diào)整和確定,。
對(duì)于電力變壓器等帶有繞組的電力設(shè)備,，通常還要求做雷電沖擊截波試驗(yàn)。沖擊電壓發(fā)生器外接一截?cái)嚅g隙即可產(chǎn)生沖擊截波,。標(biāo)準(zhǔn)雷電截波是標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊波經(jīng)過(guò)2～5μs截?cái)嗟牟ㄐ巍?br />沖擊電壓發(fā)生器是高電壓試驗(yàn)室的基本試驗(yàn)設(shè)備之一,。目前中國(guó)已建的沖擊電壓發(fā)生器額定電壓為6MV,，有的國(guó)家個(gè)別的高達(dá)10MV。

等值電路

沖擊電壓發(fā)生器裝置承裝修試資質(zhì)用設(shè)備動(dòng)作時(shí)的等值電路,。C1為主電容,，又稱沖擊電容，它相當(dāng)于各級(jí)串聯(lián)后的總電容,即;C2為負(fù)荷電容,即C2=C0,，它包括調(diào)波電容,、試品電容、測(cè)量設(shè)備（分壓器）電容及聯(lián)線等寄生電容;G 代表控制放電的球隙;Rf和Rt分別為波頭電阻和波尾電阻,它們相當(dāng)于各級(jí)rf和rt的總和,，即Rf=nrf,，Rt=nrt；U1為充電電壓,它相當(dāng)于各級(jí)串聯(lián)后的總電壓,，即U1=nV,；U2為輸出電壓,即所需的沖擊電壓。此等值電路相當(dāng)于單級(jí)沖擊電壓發(fā)生器的電路,。根據(jù)電路分析,，輸出電壓U2(t)為一雙指數(shù)函數(shù)
τ1>>τ2
參考此分析解，并根據(jù)實(shí)際經(jīng)驗(yàn),，沖擊電壓波形參數(shù)可按下式作近似估計(jì)：波前時(shí)間
半峰值時(shí)間
T2≈0.69Rt(C1+C2)

主要參數(shù)

1.標(biāo)稱雷電波沖擊電壓： SGSC-±400kV;
2.標(biāo)稱容量(能量)：20kJ;
3. 級(jí)電容：1μF,100kV（2×50kV-2μF）干式全絕緣封裝,，*漏油變形;
4. 級(jí)電壓：100kV;
5. 級(jí)數(shù)/級(jí)容量：4/5kJ;
6. 輸出標(biāo)準(zhǔn)波形及幅值：1個(gè);
正負(fù)極性雷電沖擊波空載/負(fù)載（負(fù)荷電容<5000pF）輸出時(shí)，電壓利用系數(shù)不小于90%;
7. 同步范圍：大于20%;
8. 使用持續(xù)時(shí)間：小于80%額定工作電壓時(shí)可連續(xù)工作,；大于80%額定工作電壓時(shí)可間斷工作;
9. 幅值調(diào)節(jié)誤壓差小于1%,，低輸出電壓不大于10%設(shè)備標(biāo)稱電壓;
10. 同步誤動(dòng)率：小于1;