效率

輸出電壓幅值V2m與充電電壓пV 之比稱作發(fā)生器的效率η，即

η=(V2m /nV)×100%

對(duì)雷電沖擊波,，η一般約80%,；對(duì)操作沖擊波，η有時(shí)僅60%,。

沖擊電壓波形參數(shù)T1(Tcr),、T2及發(fā)生器效率η與回路結(jié)構(gòu)和參數(shù)有關(guān)，均需通過(guò)實(shí)際調(diào)試進(jìn)行調(diào)整和確定,。

對(duì)于電力變壓器等帶有繞組的電力設(shè)備,，通常還要求做雷電沖擊截波試驗(yàn)。沖擊電壓發(fā)生器外接一截?cái)嚅g隙即可產(chǎn)生沖擊截波,。標(biāo)準(zhǔn)雷電截波是標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊波經(jīng)過(guò)2～5μs截?cái)嗟牟ㄐ巍?/p>

是高電壓試驗(yàn)室的基本試驗(yàn)設(shè)備之一,。目前中國(guó)已建的沖擊電壓發(fā)生器*高額定電壓為6MV，有的國(guó)家個(gè)別的高達(dá)10MV,。

主要部件

1,、直流充電部分

1）采用雙邊不對(duì)稱式可控硅恒流充電方式，額定輸出電壓±100kV,；

2）200kV沖擊電壓發(fā)生器成套裝置采用雙邊不對(duì)稱式可控硅恒流充電方式,，額定輸出電流30mA；

3）采用絕緣筒油浸式充電變壓器,，變壓器密封良好,，無(wú)滲漏油；

4）200kV沖擊電壓發(fā)生器成套裝置采用2DL－200kV/200mA的高壓整流硅堆,；

5）高壓整流硅堆保護(hù)電阻采用漆包電阻絲有感密繞在絕緣管上,；

特點(diǎn)

1,、回路電感小，并采取帶阻濾波措施,，在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)沖擊波,，負(fù)載能力大;

2、電壓利用系數(shù)高,，雷電波和操作波分別不低于85%和80%,；

3、調(diào)波方便,，操作簡(jiǎn)單,，同步性能好，動(dòng)作可靠,；

4,、采用恒流充電自動(dòng)控制技術(shù)，自動(dòng)化程度高,，抗*力強(qiáng),；一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿,、放電等試驗(yàn)中,。

絕緣試驗(yàn)用沖擊電壓的標(biāo)準(zhǔn)波形按照《高電壓試驗(yàn)技術(shù)》標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定：

雷電沖擊波　T1/T2=1.2/50μs

操作沖擊波　Tcr/T2=250/2500μs

額定參數(shù)值

1、額定標(biāo)稱電壓：±400kV

2,、額定級(jí)電壓：±100kV

3,、額定能量：10kJ

4、沖擊總電容：0.25μF

5,、總級(jí)數(shù)：4級(jí)

6,、額定級(jí)電容量：0.5μF

負(fù)荷電容為300~5000PF時(shí)能產(chǎn)生下列波形：

1、1.2±30%/50±20%μs雷電沖擊電壓全波,，電壓效率≥92%(空載)

2,、2～6μs的標(biāo)準(zhǔn)沖擊電壓截波，電壓效率≥92%(空載)

3,、沖擊電壓波形參數(shù)均符合IEC和GB311－97國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的要求

4,、同步范圍：級(jí)電壓在10%～100%額定電壓范圍內(nèi)，正負(fù)極性同步范圍不小于20%,；

5,、點(diǎn)火范圍10%～100%