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行業(yè)產(chǎn)品

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[供應(yīng)]HMDS真空鍍膜機/HMDS真空烘箱
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  • HMDS真空鍍膜機/HMDS真空烘箱
貨物所在地:
上海上海市
更新時間:
2022-08-02 17:39:34
有效期:
2022年8月2日 -- 2023年1月30日
已獲點擊:
150
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產(chǎn)品簡介

HMDS真空鍍膜機/真空烘箱通過對烘箱HMDS預(yù)處理過程的工作溫度、處理時間,、處理時保持時間等參數(shù)可以在硅片,、基片表面均勻涂布一層HMDS,降低了HMDS處理后的硅片接觸角,,降低了光刻膠的用量,,提高光刻膠與硅片的黏附性。

詳細(xì)介紹

HMDS真空鍍膜機/真空烘箱產(chǎn)品介紹:
在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中,,光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個工藝環(huán)節(jié),,涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,涂膠工藝也顯得尤為重要,。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的,,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,,尤其是正膠,,顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條,、浮膠等,,導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗,同時濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕,。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況,。
HMDS真空鍍膜機/真空烘箱產(chǎn)品特點:
1、機外殼采用不銹鋼SUS304材質(zhì)制造,,內(nèi)膽為不銹鋼316L材料制成,;加熱器均勻分布在內(nèi)膽外壁四周,內(nèi)膽內(nèi)無任何電氣配件及易燃易爆裝置,。鋼化,、防彈雙層玻璃門觀察工作室內(nèi)物體一目了然。
2,、箱門閉合松緊能調(diào)節(jié),,整體成型的硅橡膠門封圈,,確保箱內(nèi)高真空度。
3,、微電腦智能控溫儀,,具有設(shè)定,測定溫度雙數(shù)字顯示和PID自整定功能,,控溫準(zhǔn)確,,可靠。
4,、智能化觸摸屏控制系統(tǒng)配套日本三菱PLC模塊可供用戶根據(jù)不同制程條件改變程序,,溫度,真空度及每一程序時間,。
5,、HMDS氣體密閉式自動吸取添加設(shè)計,真空箱密封,,確保HMDS氣體無外漏顧慮,。
6、整個系統(tǒng)采用材料制造,,無發(fā)塵材料,,適用100級光刻間凈化環(huán)境。
HMDS真空鍍膜機/真空烘箱產(chǎn)品參數(shù):

型號

CH-HMDS-20

CH-HMDS-90

CH-HMDS-210

容積

20L

90L

210L

電源電壓

AC220V±10%/50Hz±2%

AC380V±10%/50Hz±2%

輸入功率

1500W

3000W

4000W

控溫范圍

室溫+10℃-250℃

溫度分辨率

0.1℃

溫度波動度

±0.5℃

達到真空度

133Pa

工作室尺寸(mm)

300*300*275

450*450*450

560*640*600

外形尺寸(mm)

465*465*725

850*700*1400

720*820*1050

載物托架

1塊

2快

3塊

時間單位

分鐘

HMDS預(yù)處理的必要性:
在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中,,光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個工藝環(huán)節(jié),,涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,涂膠工藝也顯得尤為重要,。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的,,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,,尤其是正膠,,顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條,、浮膠等,,導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗,同時濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕,。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況,。將HMDS涂到硅片表面后,經(jīng)烘箱加溫可反應(yīng)生成以硅氧烷為主體的化合物,。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?,其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合,起著偶聯(lián)劑的作用。

真空鍍膜機的原理:
HMDS預(yù)處理系統(tǒng)通過對烘箱HMDS預(yù)處理過程的工作溫度,、處理時間,、處理時保持時間等參數(shù)可以在硅片,、基片表面均勻涂布一層HMDS,,降低了HMDS處理后的硅片接觸角,降低了光刻膠的用量,,提高光刻膠與硅片的黏附性,。

真空鍍膜機的一般工作流程:
先確定烘箱工作溫度。典型的預(yù)處理程序為:打開真空泵抽真空,,待腔內(nèi)真空度達到某一高真空度后,,開始充人氮氣,充到達到某低真空度后,,再次進行抽真空,、充入氮氣的過程,到達設(shè)定的充入氮氣次數(shù)后,,開始保持一段時間,,使硅片充分受熱,減少硅片表面的水分,。然后再次開始抽真空,,充入HMDS氣體,在到達設(shè)定時間后,,停止充入HMDS藥液,,進入保持階段,使硅片充分與HMDS反應(yīng),。當(dāng)達到設(shè)定的保持時間后,,再次開始抽真空。充入氮氣,,完成整個作業(yè)過程,。HMDS與硅片反應(yīng)機理如圖:先加熱到100℃-200℃,去除硅片表面的水分,,然后HMDS與表面的OH一反應(yīng),,在硅片表而生成硅醚,消除氫鍵作,,從而使極性表面變成非極性表面,。整個反應(yīng)持續(xù)到空間位阻(*基硅烷基較大)阻止其進一步反應(yīng)。

尾氣排放等:多余的HMDS蒸汽(尾氣)將由真空泵抽出,,排放到廢氣收集管道,。在無廢氣收集管道時需做專門處理。

 

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