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石墨烯制備的常用的分散方法

閱讀:2173        發(fā)布時(shí)間:2019-9-24

1.微機(jī)械剝離法

用膠帶直接將石墨烯薄片從較大的晶體上剝離下來(lái),,不斷重復(fù)這個(gè)過(guò)程,。

使用一種材料與膨化或引入缺陷的熱解石墨進(jìn)行摩擦,體相石墨的表面會(huì)產(chǎn)生絮片狀的晶體,,絮片狀晶體中含有單層石墨烯,。

缺點(diǎn):石墨烯產(chǎn)量低,面積小,,難以控制尺寸,,效率低,不能大規(guī)模制備,。

2.化學(xué)氣相沉積法

將一種或多種含碳的氣態(tài)物質(zhì)(通常為低碳的有機(jī)物氣體)通入到真空反應(yīng)器中,,通過(guò)高溫使含碳的氣體分解碳化(通常為低碳的有機(jī)物氣體),在基底表面生長(zhǎng)出一種碳單質(zhì)的過(guò)程,。

缺點(diǎn):石墨烯的六角蜂窩狀晶體結(jié)構(gòu),,無(wú)法*石墨化,品質(zhì)不如微機(jī)剝離法的好,,高昂的成本及苛刻的設(shè)備要求都限制了其規(guī)?;苽涫€需要加入催化劑降低了石墨烯純度,。

3.晶體外延取向生長(zhǎng)法

一種是通過(guò)加熱單晶6H-SiC脫除Si,,從而在SiC晶體表面外延生長(zhǎng)石墨烯。石墨烯和Si層接觸,,這種石墨烯的導(dǎo)電性受到基底影響,;另一種是利用金屬單晶中的微量碳成分,通過(guò)在超高真空下高溫退火,,金屬內(nèi)碳元素在金屬單晶表面析出石墨烯,。

缺點(diǎn):石墨烯薄膜厚度不均勻,,難以控制,生成的石墨烯緊緊地黏貼在基底上難以剝離,,會(huì)影響石墨烯的特性,。同時(shí)需在超真空及高溫條件下生長(zhǎng),條件極為苛刻,,設(shè)備要求高,,無(wú)法實(shí)現(xiàn)大規(guī)模、可控制備石墨烯,。

4.氧化石墨還原法

氧化石墨烯一般由石墨經(jīng)強(qiáng)酸氧化而得,。主要有三種制備氧化石墨的方法:Brodie法,Staudenmaier法和Hummers法,,其中Hummers法石墨烯分散需加入超聲波輔助,。

特點(diǎn):Hummers法石墨烯分散:方法簡(jiǎn)單,耗時(shí)較短,,處理量大,,安全無(wú)污染,是目前常用的一種,。

5.超聲輔助法

超聲波石墨烯分散系統(tǒng)采用超聲波輔助Hummers法制備氧化石墨烯,,是以液體為媒介,在液體中加入高頻率超聲波振動(dòng),。由于超聲是機(jī)械波,,不被分子吸收,在傳播過(guò)程中引起分子的振動(dòng)運(yùn)動(dòng),??栈?yīng)下,即高溫,、高壓,、微射流、強(qiáng)烈振動(dòng)等附加效應(yīng)下分子間的距離因振動(dòng)增加其平均距離,,終導(dǎo)致分子破碎,。能更有效地提高氧化石墨層間距,且隨著超聲波功率的提高,,所得到的氧化石墨的層間距呈擴(kuò)大趨勢(shì),。

 

超聲波瞬間釋放的壓力破壞了石墨烯層與層之間的范德華力,使得石墨烯更加不容易團(tuán)聚在一起,。層間距較大的氧化石墨不僅有利于其他分子,、原子等插入層間形成氧化石墨插層復(fù)合材料,而且易于被剝離成單層氧化石墨,,為進(jìn)一步制備單層石墨烯打下基礎(chǔ),。

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