1、 可測(cè)量太陽能級(jí)多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命,。表面無需拋光,，直接對(duì)切割面或研磨面進(jìn)行測(cè)量,。同時(shí)可測(cè)量多晶硅檢驗(yàn)棒及集成電路,、整流器、晶體管級(jí)硅單晶的少子壽命,。
2,、 可測(cè)量太陽能級(jí)單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對(duì)壽命，表面無需拋光,、鈍化,。
3、配備軟件的數(shù)字示波器,，液晶屏上直接顯示少子壽命值,，同時(shí)顯示動(dòng)態(tài)光電導(dǎo)衰退波形，并可聯(lián)用打印機(jī)及計(jì)算機(jī),。

·數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀

型號(hào)：KDK-LT-100C

為解決太陽能單晶,、多晶少子壽命測(cè)量，特按照國(guó)標(biāo)GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導(dǎo)法研制出了數(shù)字式少子壽命測(cè)試儀,。

該設(shè)備是按照國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測(cè)定的高頻光電導(dǎo)衰減法"設(shè)計(jì)制造,。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國(guó)半導(dǎo)體集成電路、晶體管,、整流器件,、核探測(cè)器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗(yàn),，經(jīng)過數(shù)次全國(guó)十多個(gè)單位巡回測(cè)試的考驗(yàn),，證明是一種成熟可靠的測(cè)試方法，特別適合于硅塊,、硅棒研磨面的少子體壽命測(cè)量,；也可對(duì)硅片進(jìn)行測(cè)量,，給出相對(duì)壽命值。方法本身對(duì)樣品表面的要求為研磨面,，制樣簡(jiǎn)便,。

 

KDK-LT-100C數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀有以下特點(diǎn)：

1、 可測(cè)量太陽能級(jí)多晶硅塊,、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命,。表面無需拋光，直接對(duì)切割面或研磨面進(jìn)行測(cè)量,。同時(shí)可測(cè)量多晶硅檢驗(yàn)棒及集成電路,、整流器、晶體管級(jí)硅單晶的少子壽命,。

2、  可測(cè)量太陽能級(jí)單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對(duì)壽命,，表面無需拋光,、鈍化。

3,、配備軟件的數(shù)字示波器,，液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時(shí)顯示動(dòng)態(tài)光電導(dǎo)衰退波形,，并可聯(lián)用打印機(jī)及計(jì)算機(jī),。

4、配置兩種波長(zhǎng)的紅外光源：

a,、紅外光源,，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準(zhǔn)確測(cè)量晶體少數(shù)載流子體壽命,。

b,、短波長(zhǎng)紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,，但光強(qiáng)較強(qiáng),，有利于測(cè)量低阻太陽能級(jí)硅晶體。

5,、測(cè)量范圍寬廣

測(cè)試儀可直接測(cè)量：

a,、研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命,，切割片的少子相對(duì)壽命,。

b、拋光面：電阻率在0.3～0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶,、鍺單晶拋光片,。

壽命可測(cè)范圍     0.25μS—10ms