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四探針測試儀 HD-RTS-8.

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四探針測試儀 四探針檢測儀 四探針測定儀/四探針電阻率測定儀

型號:HD-RTS-8

HD-RTS-8型數(shù)字式四探針測試儀是運(yùn)用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備,。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器,。
儀器由主機(jī),、測試臺、四探針探頭,、計(jì)算機(jī)等部分組成,,測量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示,亦可由計(jì)算機(jī)控制測試采集測試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析,,然后以表格,,圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測試結(jié)果。
儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì),、裝配,。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快,、精度高,、測量范圍寬、穩(wěn)定性好,、結(jié)構(gòu)緊湊,、易操作等特點(diǎn)。
本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠,、半導(dǎo)體器件廠,、科研單位、高等院校對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試,。

技 術(shù) 指 標(biāo) :

測量范圍 電阻率:10-4~105 Ω.cm(可擴(kuò)展),;
方塊電阻:10-3~106 Ω/□(可擴(kuò)展);
電導(dǎo)率:10-5~104 s/cm,;
電阻:10-4~105 Ω,;

可測晶片直徑 140mmX150mm(配S-2A型測試臺);
200mmX200mm(配S-2B型測試臺),;
400mmX500mm(配S-2C型測試臺),;
恒流源 電流量程分為1μA、10μA,、100μA,、1mA、10mA,、100mA六檔,,各檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表 量程及表示形式:000.00~199.99mV;    
分辨力:10μV,;
輸入阻抗:>1000MΩ,;
精度:±0.1% ,;
顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性,、超量程自動顯示,;
四探針探頭基本指標(biāo) 間距:1±0.01mm;
針間絕緣電阻:≥1000MΩ,;
機(jī)械游移率:≤0.3%,;
探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm;
探針壓力:5~16 牛頓(總力),;
四探針探頭應(yīng)用參數(shù) (見探頭附帶的合格證)
模擬電阻測量相對誤差
( 按JJG508-87進(jìn)行) 0.01Ω,、0.1Ω、1Ω,、10Ω,、100Ω、1000Ω,、10000Ω≤0.3%±1字
整機(jī)測量大相對誤差 (用硅標(biāo)樣片:0.01-180Ω.cm測試)≤±5%
整機(jī)測量標(biāo)準(zhǔn)不確定度 ≤5%
計(jì)算機(jī)通訊接口 并口
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境 溫度:23±2℃,;
相對濕度:≤65%;
無高頻干擾,;
無強(qiáng)光直射,;


配置 四探針測試儀主機(jī)、探針臺,、四探針探頭,、

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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