技術(shù)文章
導(dǎo)電微晶靜電場描繪儀 簡介..
閱讀:784 發(fā)布時間:2022-10-20
一.知識準備
1. 關(guān)鍵詞:模擬法,,靜電場,穩(wěn)恒電流場,,等位線,,電力線;
2. 用模擬法測繪靜電場分布的原理,;
3. 高斯定律,。
二.實驗?zāi)康?/span>
1、學習用模擬方法來測繪具有相同數(shù)學形式的物理場,;
2,、描繪出分布曲線及場量的分布特點;
3,、加深對各物理場概念的理解,;
4,、初步學會用模擬法測量和研究二維靜電場。
主要技術(shù)參數(shù):
1. HAGVZ-4型為箱體和電源分離式,,單筆測試,內(nèi)置四種電極
(同心圓,、平行導(dǎo)線、聚焦,、劈尖形或飛機機翼電場),。
2.規(guī)格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導(dǎo)線。
3.同心圓印有極坐標(大r6.5cm ,小r1cm),其他電極距離為8cm.
4.微晶導(dǎo)電層的均勻性,,實驗值誤差為小于2%,。
5.電源輸出范圍(直流)為7.00v—13.00V,分辨率為0.01V (配三位半數(shù)碼管),。
6.采用多圈電位器調(diào)節(jié)電壓,,調(diào)節(jié)細度可達0.01V。