技術(shù)文章
導(dǎo)電微晶靜電場描繪儀 簡介.
閱讀:841 發(fā)布時(shí)間:2022-10-20
一.知識準(zhǔn)備
1. 關(guān)鍵詞:模擬法,,靜電場,,穩(wěn)恒電流場,等位線,,電力線,;
2. 用模擬法測繪靜電場分布的原理;
3. 高斯定律,。
二.實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/span>
1,、學(xué)習(xí)用模擬方法來測繪具有相同數(shù)學(xué)形式的物理場;
2,、描繪出分布曲線及場量的分布特點(diǎn),;
3、加深對各物理場概念的理解,;
4,、初步學(xué)會(huì)用模擬法測量和研究二維靜電場。
主要技術(shù)參數(shù):
1. HAGVZ-4型為箱體和電源分離式,,單筆測試,內(nèi)置四種電極
(同心圓,、平行導(dǎo)線、聚焦、劈尖形或飛機(jī)機(jī)翼電場),。
2.規(guī)格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導(dǎo)線。
3.同心圓印有極坐標(biāo)(大r6.5cm ,小r1cm),其他電極距離為8cm.
4.微晶導(dǎo)電層的均勻性,,實(shí)驗(yàn)值誤差為小于2%,。
5.電源輸出范圍(直流)為7.00v—13.00V,分辨率為0.01V (配三位半數(shù)碼管),。
6.采用多圈電位器調(diào)節(jié)電壓,,調(diào)節(jié)細(xì)度可達(dá)0.01V。