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本設備采用四探針法專用于金屬薄膜方塊電阻,，HD-KDB-2B 測試儀嚴格參照國際標準

SEMI MF 374-0307 對設備的要求研制,，運用了*半導體薄層測量技術,，無需特別制

樣，可測不規(guī)則的金屬薄膜,。

技術指標：方塊電阻測量范圍（3 位有效數(shù)字）：0.00001-0.3Ω/□,。

測量電流分兩檔：100mA 和 1000mA。

最小分辨率：0.00001Ω/□,。

試樣尺寸：直徑大于 32mm,。

試樣厚度：t≤5μm（約）。

探針間距：1.59mm,。

成套設備包含：

HD-KDB-2B 主機 一臺

HD-KDJ-1A 手動測試架 一臺

HD-KDT-5 紅寶石四探針頭 一個

電源線 一根

四探針頭連接線 一根

選購件：

微控制器及配套測試系統(tǒng) 一套

本設備采用四探針法專用于金屬薄膜方塊電阻,，HD-KDB-2B 測試儀嚴格參照國際標準

SEMI MF 374-0307 對設備的要求研制，運用了*半導體薄層測量技術,，無需特別制

樣,，可測不規(guī)則的金屬薄膜。

技術指標：方塊電阻測量范圍（3 位有效數(shù)字）：0.00001-0.3Ω/□,。

測量電流分兩檔：100mA 和 1000mA,。

最小分辨率：0.00001Ω/□。

試樣尺寸：直徑大于 32mm,。

試樣厚度：t≤5μm（約）,。

探針間距：1.59mm。

成套設備包含：

HD-KDB-2B 主機 一臺

HD-KDJ-1A 手動測試架 一臺

HD-KDT-5 紅寶石四探針頭 一個

電源線 一根

四探針頭連接線 一根

選購件：

微控制器及配套測試系統(tǒng) 一套