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　　原子沉積系統(tǒng)的原子層沉積技術由于其沉積參數(shù)的高度可控型(厚度,、成份和結構)
 

　　原子沉積系統(tǒng),，一開始稱為原子層外延(Atomic Layer Epitaxy，ALE),，也稱為原子層化學氣相沉積(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition,，ALCVD)。原子層沉積是在一個加熱反應器中的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅體物種,，化學吸附的過程直至表面飽和時就自動終止,，適當?shù)倪^程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。
 

　　可以沉積的材料包括:氧化物,，氮化物,，氟化物，金屬,，碳化物,，復合結構，硫化物,，納米薄層等,。
 

　　半導體領域：
 

　　晶體管柵極電介質層(高k材料)，光電元件的涂層，晶體管中的擴散勢壘層和互聯(lián)勢壘層(阻止摻雜劑的遷移),，有機發(fā)光顯示器的反濕涂層和薄膜電致發(fā)光(TFEL)元件,，集成電路中的互連種子層，DRAM和MRAM中的電介質層,，集成電路中嵌入電容器的電介質層,，電磁記錄頭的涂層，集成電路中金屬-絕緣層-金屬(MIM)電容器涂層,。
 

　　納米技術領域：
 

　　中空納米管,，隧道勢壘層，光電電池性能的提高,，納米孔道尺寸的控制,，高高寬比納米圖形，微機電系統(tǒng)(MEMS)的反靜態(tài)阻力涂層和疏水涂層的種子層,，納米晶體,，ZnSe涂層，納米結構,，中空納米碗,，存儲硅量子點涂層，納米顆粒的涂層,，納米孔內部的涂層,，納米線的涂層。