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芯片開封技術(shù)及儀器簡介

閱讀:2649        發(fā)布時間:2019/11/26
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芯片開封技術(shù)及儀器簡介

落葉憑風(fēng)(似空科學(xué)儀器(上海)有限公司) 2019.11.25

 

芯片開封是DPA(破壞性物理分析)的重要手段,,是研究芯片封裝效果和技術(shù)的一種必要方法,。整理一下我對常見芯片開封技術(shù)和儀器的理解,,不對的地方請各位大咖指正。

 

  • 機械開封

原理是用應(yīng)力直接去除芯片的封裝材料,,屬于物理開封,。研磨、拋光等儀器就可應(yīng)用于這種方式,。

優(yōu)點是簡單直觀,,根據(jù)精度要求,可選儀器價格范圍很寬(甚至拿把螺絲刀也可以,,在特殊情況下),。

缺點是開封的幾何形狀不太容易控制,總體來講精度比較低,,容易導(dǎo)致對應(yīng)力敏感的樣品破碎,,或者由于儀器需要用耗材而造成“二次污染”。

當然,,這個領(lǐng)域也有精度可達1微米,,幾何形狀可編程的儀器,比如,美國ALLIED公司的銑削,、研磨,、拋光一體機X-PREP。但這種儀器,,價格幾十萬美元,,且對“敏感單位”禁運。

  • 化學(xué)開封

原理是用硝酸,、硫酸及其混合液對芯片封裝材料進行腐蝕,,屬于化學(xué)開封。

優(yōu)點是沒有物理應(yīng)力,,不會造成樣品破碎,并且不會傷害硅等耐酸的半導(dǎo)體材料的電氣特性,。

缺點是所用材料為強酸,,對人體危害大,建立實驗室和購買耗材收到政府嚴格管控,,開封速度較慢,,如果芯片中有耐酸性不好的走線則需要特殊處理。

  • 激光開封

原理是用高能激光灼燒局部區(qū)域?qū)е缕浞鬯槊撀洹?/span>

優(yōu)點是效率高,,幾何形狀可編輯,,沒有二次污染,不需要強酸暴露,,屬于物理開封,。

缺點是可產(chǎn)生局部高溫,容易導(dǎo)致半導(dǎo)體材料電氣屬性失效,,所以一般只能開封到半導(dǎo)體材料表面,,后續(xù)殘留封裝材料需要其它手段去除。價格中等偏上,。

  • 等離子開封

原理是通過射頻功率將反應(yīng)氣體離子化后與需要去除的材料接觸并產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)而揮發(fā),。總體上屬于化學(xué)開封,,也有同時采用化學(xué)和物理機制的,。

優(yōu)點是沒有物理應(yīng)力,精細化程度高,,不攻擊敏感材料,,可到達細孔凹陷部位。

缺點是速度慢,,價格昂貴,。

  • 離子開封

原理是通過高壓電場加速帶電離子,用其轟擊目標材料,使它們脫落,。本質(zhì)上是物理開封,,帶有某些化學(xué)效果。

優(yōu)點是精度非常高,,可處理多種目標材料,。

缺點是不容易控制幾何形狀,速度慢,,儀器價格昂貴,。

 

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