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VLF0.1Hz超低頻高壓發(fā)生器

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更新時(shí)間:2025-03-28 16:32:09瀏覽次數(shù):949

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

產(chǎn)地類別 國(guó)產(chǎn)    
VLF0.1Hz超低頻高壓發(fā)生器特別適用于絕緣等值電容較大的電氣設(shè)備(例如:電力電纜,、電力電容器、大中型發(fā)電機(jī)和電動(dòng)機(jī)等)耐壓試驗(yàn),,符合2004年國(guó)家新頒布電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《超低頻高壓發(fā)生器通用技術(shù)條件 DL/T849.4-2004》要求,。

詳細(xì)介紹

VLF0.1Hz超低頻高壓發(fā)生器

 

特別適用于絕緣等值電容較大的電氣設(shè)備(例如:電力電纜、電力電容器,、大中型發(fā)電機(jī)和電動(dòng)機(jī)等)耐壓試驗(yàn),,符合2004年國(guó)家新頒布電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《超低頻高壓發(fā)生器通用技術(shù)條件 DL/T849.4-2004》要求。 
產(chǎn)品別稱:超低頻高壓發(fā)生器,、0.1Hz超低頻高壓發(fā)生器,、程控超低頻高壓發(fā)生器、超低頻交流高壓試驗(yàn)裝置,、超低頻耐壓試驗(yàn)裝置,、
產(chǎn)品特性
1.技術(shù)先進(jìn):采用數(shù)字變頻技術(shù),微電腦控制,升壓,、降壓,、測(cè)量、保護(hù)等測(cè)試過程全自動(dòng)化
2,、操作方便:接線簡(jiǎn)單,,傻瓜式操作
3、保護(hù)全面:多重保護(hù)(過壓保護(hù),、高低壓側(cè)過流保護(hù)),,動(dòng)作迅速(動(dòng)作時(shí)間≤20ms),儀器安全可靠
4、安全可靠:控制器和高壓發(fā)生器低壓連接,,光電控制,,使用安全可靠
5、采用了高低壓閉環(huán)負(fù)反饋控制電路,,輸出無容升效應(yīng)
6、配置齊全:液晶漢字顯示,,自動(dòng)存儲(chǔ),,自動(dòng)打印
7、測(cè)試范圍大:0.1Hz,、0.05Hz及0.02Hz多頻率選擇,,測(cè)試范圍大
8、體積小,、重量輕:十分利于戶外作業(yè)
 產(chǎn)品特性

 

1,、產(chǎn)品主要參數(shù)如表1
         表1         VLF系列超低頻高壓發(fā)生器主要技術(shù)參數(shù)

 


型 號(hào)

峰值電壓

測(cè)量范圍

重 量

用 途

VLF-30/1.1

30kV

0.1Hz時(shí)≤1.1μF

控制器:4kg
升壓器:25kg

10kV及以下電壓電纜、發(fā)電機(jī)等

0.05Hz時(shí)≤2.2μF

0.02Hz時(shí)≤5.5μF

VLF-50/5.0

50kV

0.1Hz時(shí)≤5.0μF

控制器:5kg
升壓器:55kg

用于電纜故障的燒穿

0.05Hz時(shí)≤10μF

0.02Hz時(shí)≤25μF

VLF-80/1.1

80kV

0.1Hz時(shí)≤1.1μF

控制器:5kg
升壓器:45kg

35kV及以下電壓電纜,、發(fā)電機(jī)等

0.05Hz時(shí)≤2.2μF

0.02Hz時(shí)≤5.5μF

 

2,、使用電源:220V±10%,50±5%Hz
   注意:若使用便攜式發(fā)電機(jī)供電,,要求發(fā)電機(jī)輸出電壓,、頻率穩(wěn)定(一般要求功率大于3kW,頻率50Hz,,電壓
   220V±5%),,否則要使用一些輔助措施穩(wěn)定發(fā)電機(jī)輸出。 
3,、輸出電壓精度: 
   輸出高壓峰值不穩(wěn)定度:≤1%
   輸出電壓頻率不穩(wěn)定度:≤3%
   輸出電壓波形畸變率:<5%
4,、使用環(huán)境: 溫度-100C~+400C,濕度≤85%RH
5,、測(cè)試范圍說明: 
    1)被試品電容量不得超過儀器額定電容量大值,,數(shù)值大小見表1; 
    2)被試品電容量過小,會(huì)影響輸出波形,。若小于0.05µF,,儀器將不能正常輸出,此時(shí)可采用本公司提供的
       輔助裝置(選配)即可,。 
3)常用電氣設(shè)備電容量的估算見表2和表3

        表2         不同類型發(fā)電機(jī)的單相對(duì)地電容量

 

型號(hào)

汽輪發(fā)電機(jī)

水輪發(fā)電機(jī)

發(fā)電機(jī)容量(MW)

200

300

600

85

125-150

300

400

單相對(duì)地電容(μF)

0.198

0.18-0.26

0.31-0.34

0.69

1.8-1.9

1.7-2.5

2.0-2.5

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