型號 | KM50-E |
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精度 | 電壓 | ±1.0%F.S.±1digit(環(huán)境溫度23℃,、額定輸入,、額定頻率) 但三相3線制的Vtr間電壓和單相3線制的Vrs間電壓在相同條件下為±2.0%F.S.±1digit |
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電流 | ±1.0%F.S.±1digit(環(huán)境溫度23℃、額定輸入,、額定頻率) 但三相3線制的S相電流和單相3線制的N相電流在相同條件下為±2.0%F.S.±1digit |
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瞬時功率 無功功率 | ±2.0%F.S.±1digit(環(huán)境溫度23℃,、額定輸入、額定頻率,、功率因數(shù)1) 無功功率計算公式:無功功率=v×i×sinθ * v表示電壓的瞬時值,、i表示電流的瞬時值。 θ為電壓和電流的相位差 |
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頻率 | ±0.3Hz±1digit(環(huán)境溫度23℃,、額定輸入,、額定頻率) |
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功率因數(shù) | ±5.0%F.S.±1digit(環(huán)境溫度23℃、額定輸入,、額定頻率,、cosθ=0.5~1~0.5的范圍) 功率因數(shù)計算公式:功率因數(shù)=瞬時功率/視在功率
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低切電流設定值 | 額定電流輸入的0.1~19.9%(以0.1%為單位) |
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采樣周期 | 100ms(計測電壓50Hz時)、83.3ms(計測電壓60Hz時) |
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溫度的影響 | ±1.0%F.S.±1digit(使用溫度范圍內,,環(huán)境溫度23℃,、額定輸入、額定頻率,、功率因數(shù)1時的功率比例) |
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頻率的影響 | ±1.0%F.S.±1digit(額定頻率±5Hz的范圍內,,額定輸入、功率因數(shù)1時的功率比例) |
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高次諧波的影響 | ±0.5%F.S.±1digit(環(huán)境溫度23℃,、相對于基波的電流30%,、 電壓5%含有率時疊加第2,、3、5,、7,、9、11,、13次高次諧波時的誤差) |
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絕緣電阻 | 1) 整個電源電路和RS-485,、脈沖輸出、事件輸入,、輸入輸出公共端,、報警輸出、 所有晶體管輸出間:20MΩ以上(DC500V兆歐表) 2) 所有電流,、電壓輸入和RS-485,、脈沖輸出、事件輸入,、輸入輸出公共端,、報警輸出、 所有晶體管輸出間:20MΩ以上(DC500V兆歐表) 3) 所有電流,、電壓輸入與前蓋間:20MΩ以上(DC500V兆歐表) 4) 整個電源電路與前蓋間:20MΩ以上(DC500V兆歐表) |
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耐電壓 | 1) 整個電源電路和RS-485,、脈沖輸出、事件輸入,、輸入輸出公共端,、報警輸出、 所有晶體管輸出間:AC2800V 1分鐘 2) 所有電流,、電壓輸入和RS-485,、脈沖輸出、事件輸入,、輸入輸出公共端,、報警輸出、 所有晶體管輸出間:AC3600V 1分鐘 3) 所有電流,、電壓輸入與前蓋間:AC3600V 1分鐘 4) 整個電源電路和前蓋間:AC2800V 1分鐘 |
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耐振動 | 單振幅:0.35mm,、加速度:50m/s2、振動頻率:10~150Hz 3軸方向各 8min×10次掃描 |
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耐沖擊 | 150m/s2 上下,、左右,、前后6個方向、各3次 |
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本體重量 | 約250g(僅本體) |
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保護構造 | 正面:IP66(安裝面板時),、背面外殼:IP20,、端子部:IP00 |
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存儲器保護 | EEPROM(非易失性存儲器) 寫入次數(shù):100萬次 |
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適用標準 | EN61010-1(IEC61010-1)、EN61326-1(IEC61326-1) |
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事件輸入 | 輸入點數(shù) | 事件輸入2點 事件輸入2點為通用的公共端子 |
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有電壓輸入 | H電平:DC4.75~30V L電平 :DC0~2V 輸入阻抗:約2kΩ |
無電壓輸入 | ON電阻 :1kΩ以下 OFF電阻:100kΩ以上 ON時剩余電壓:8V以下 ON時電流(0Ω時):10mA以下 |
小輸入時間 | 20ms |
晶體管輸出 | 輸出點數(shù) | 開路集電極5點(累計電量脈沖輸出1點、報警輸出1點,、3-STATE輸出3點) 累計電量脈沖輸出和報警輸出為通用的公共端子 3-STATE輸出3點為通用的公共端子 |
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輸出容量 | DC30V,,30mA MAX ON時剩余電壓:1.2V以下 OFF時漏電流:100μA以下 |
EMC(工業(yè)用途) | EMI EN61326-1 | 輻射干擾電場強度CISPR11 classA 噪音端子電壓CISPR11 classA |
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EMS EN61326-1 | 靜電放電抑制能力:EN61000-4-2 電磁場強度抑制能力:EN61000-4-3 瞬態(tài)/突發(fā)噪音抑制能力:EN61000-4-4 浪涌抑制能力:EN61000-4-5 傳導干擾波抑制能力:EN61000-4-6 電源頻率磁場抑制能力:EN61000-4-8 電壓陷落/斷電抑制能力:EN61000-4-11 |