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LDJD-C型硅油介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀——航天偉創(chuàng)

LDJD-C型硅油介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀為160Hzi介電常數(shù)測(cè)試儀,，該儀器采用多種*技術(shù),，包括雙雙掃描,、雙測(cè)試要素輸入,、雙數(shù)碼化協(xié)調(diào)等技術(shù),。

主要技術(shù)參數(shù)如下：

1. 信號(hào)源頻率覆蓋范圍100kHz～160MHz

2. 信號(hào)源頻率精度3×10^-5 ±1個(gè)字, 6位有效數(shù)字；信號(hào)頻率覆蓋比11000：1,；采樣精度12BIT（高精度A/D采樣）,；

3．Q值測(cè)量范圍：1～1000自動(dòng)/手動(dòng)量程；Q值分辨率0.1,，4位有效數(shù)字,；Q值測(cè)量工作誤差＜5%；

4．Q值量程分檔：30,、100,、300、1000,、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔；

5．電感測(cè)量范圍：1nH～140mH,，分辨率0.1nH,，自身殘余電感和測(cè)試引線電感的自動(dòng)扣除功能；

6．電容直接測(cè)量范圍：1pF～25nF,，分辨率0.1pF,，準(zhǔn)確度 150pF以下±1pF；150pF以上±1%,；                                      

7．主電容調(diào)節(jié)范圍： 17～240pF（一體鍍銀成型,，精度高）；帶步進(jìn)馬達(dá),，電容自動(dòng)搜索,；                                        

8． 材料測(cè)試厚度：0.1mm~10mm,；

9． 合格指示預(yù)置功能范圍：5～1000；

10．LCD顯示參數(shù)F,，L,，C，Q,，Lt,，Ct波段等；

11．環(huán)境溫度：0℃～+40℃,；

12．消耗功率：約25W,；電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz,。

13.（數(shù)顯）介電常數(shù)εr和介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ測(cè)試裝置：

數(shù)顯式微桿,，平板電容器：

極片尺寸： 38mm

極片間距可調(diào)范圍：≥15mm

夾具插頭間距：25mm±0.01mm

夾具損耗正切值≤4×10－4 （1MHz）

測(cè)微桿分辨率：0.001mm

測(cè)試極片：材料測(cè)量直徑Φ38mm厚度可調(diào) ≥ 15mm

*液體杯：測(cè)量極片直徑 Φ38mm； 液體杯內(nèi)徑Φ48mm ,、深7mm

14. 電感組LKI-1：

分別由0.05μH,、0.1μH、0.5μH,、2.5μH,、10μH、50μH,、100μH,、1mH、5mH,、10mH十個(gè)電感組成,。

北京航天偉創(chuàng)設(shè)備科技有限公司還生產(chǎn)其他型號(hào)介電常數(shù)儀，型號(hào)如下：

 LDJD-A型介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀  10kHz～70MHz  

 LDJD-B型介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀  10kHz～110MHz

 LDJD-C型介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀  100kHz～160MHz

LDJD-C型硅油介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀——航天偉創(chuàng)