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影響電氣設(shè)備介質(zhì)損耗角正切的因素和結(jié)果分析

閱讀：252 發(fā)布時(shí)間：2025/1/15

介質(zhì)損耗角正切（或稱介質(zhì)損耗因數(shù)）通常用tanδ表示,。測(cè)量tanδ值可以反映出絕緣介質(zhì)損耗的大小,。良好絕緣的 tanδ不隨電壓的升高而明顯增加,。若絕緣內(nèi)部有缺陷,，特別是存在氣隙,，則 tanδ將隨電壓的升高呈現(xiàn)明顯轉(zhuǎn)折,，如圖所示,。

tanδ與電壓的關(guān)系曲線

影響tanδ的因素

1.溫度的影響

溫度對(duì) tanδ的影響程度隨材料、結(jié)構(gòu)的不同而異,。一般情況下,，tanδ隨溫度上升而增加。為便于比較,，應(yīng)將不同溫度下的tanδ值換算至20℃,。應(yīng)當(dāng)指出，由于被試品的溫度換算系數(shù)不是十分符合實(shí)際,，換算后往往誤差較大,。因此，盡量在同

一溫度或10~30℃溫度范圍內(nèi)測(cè)量,。

2.電壓的影響

良好絕緣的 tanδ不隨電壓的升高而明顯增加,。若絕緣內(nèi)部有缺陷，則tan8將隨電壓的升高而明顯增加,，tan6與電壓的關(guān)系典型曲線如圖所示,。

tanδ與電壓的關(guān)系典型曲線

1-絕緣良好的情況 2-絕緣老化的情況 3-絕緣中存在氣隙的情況 4-絕緣受潮的情況

3.試品電容的影響

對(duì)電容量較小的設(shè)備(套管、互感器,、耦合電容器等),，測(cè)量 tanδ能有效地發(fā)現(xiàn)局部集中性和整體分布性缺陷。但對(duì)電容量較大的設(shè)備(變壓器,、電力電纜等)，測(cè)量 tanδ只能發(fā)現(xiàn)整體分布性缺陷,，如存在局部集中性缺陷,，由于其引起的損耗僅占總損耗的很小一部分而被掩蓋。換言之,，tanδ發(fā)現(xiàn)缺陷的靈敏程度是由缺陷部分的體積占總體積的百分比決定的,。