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2024-10-10 閱讀(225)
Infineon英飛凌IGBT模塊FF600R12ME4產(chǎn)品原廠到貨
Infineon英飛凌IGBT模塊FF600R12ME4優(yōu)質(zhì)優(yōu)價
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Infineon英飛凌IGBT模塊的原理：
IGBT的結(jié)構(gòu)復(fù)雜,，但其工作原理卻比較簡單,。IGBT由PNP型雙極晶體管和N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFET組成，并在兩者之間加入了隔離層,，以實(shí)現(xiàn)雙極晶體管和MOSFET的有機(jī)結(jié)合,。IGBT的主要工作原理如下：
當(dāng)IGBT的柵極施加正向電壓時，會形成一個N型導(dǎo)通區(qū),，從而允許集電極和發(fā)射極之間的電流通過,。
反之，當(dāng)柵極施加反向電壓時,，則不允許電流通過,。
IGBT相當(dāng)于一個由MOsFET驅(qū)動的厚基區(qū)GTR,其等效電路及圖形符號如圖2.17所示,?？梢?IGBT是以MOsFET為驅(qū)動元件,GTR為主導(dǎo)元件的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)器件。圖中的電阻RN是厚基區(qū)GTR內(nèi)的調(diào)制電阻,Rs是體區(qū)電阻。圖中器件的MOsFET為N溝道型,稱為N溝道IGBT,。相應(yīng)的還有P溝道IGBT,其圖形符號僅將箭頭反向即可。
IGBT的驅(qū)動原理與電力MOsFET基本相同,它是一種場控器件,。其開通和關(guān)斷是由柵極和發(fā)射極間的電壓%E控制的,當(dāng)已憶E為正且大于開啟電壓聽時,MOsFET內(nèi)形成導(dǎo)電溝道,其漏源電流作為內(nèi)部GTR的基極電流,從而使IGBT導(dǎo)通,。此時從/注入M區(qū)的空穴對N^區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小了M區(qū)的電阻RN,使IGBT獲得低導(dǎo)通壓降。當(dāng)柵極與發(fā)射極間不加信號或施加反向電壓時,MOSFET內(nèi)的導(dǎo)電溝道消失,GTR的基極電流被切斷,IGBT隨即關(guān)斷,。
在IGBT的工作過程中,，當(dāng)控制信號施加到柵極時，將會引起PNP晶體管的導(dǎo)通,。在這種情況下,，集電極和發(fā)射極之間的電流可通過，在控制信號撤回后,，IGBT會自動關(guān)閉,，此時不會通過任何電流。
Infineon英飛凌IGBT模塊的特點(diǎn)：
IGBT的作用和功能
IGBT擁有多種特性,，其主要作用和功能如下：
(1) 控制電流
IGBT具有單向?qū)ㄌ匦?，可控制電路的開關(guān)狀態(tài)。當(dāng)IGBT的柵極施加正向電壓時,，允許電流通過,；反之，則不允許電流通過,。這使得IGBT可以很好地控制電流大小和方向,。
(2) 降低功率損耗
由于IGBT的導(dǎo)通電阻比雙極晶體管低，開關(guān)速度又比MOSFET快,，因此,，IGBT具有較低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。這使得IGBT成為高效,、低損耗的功率半導(dǎo)體器件,。
(3) 承載大電流
IGBT的承載電流能力較強(qiáng)，可達(dá)300A以上,。同時,，IGBT具有良好的熱穩(wěn)定性和抗擊穿能力，可以在高溫和高電壓環(huán)境下工作,，保證設(shè)備的安全運(yùn)行,。
(4) 廣泛應(yīng)用
IGBT廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備中，如變頻器,、交流調(diào)速電機(jī),、UPS電源等。其穩(wěn)定性和高效性的特點(diǎn)被廣泛認(rèn)可，并得到了市場的追捧,。
IGBT是一種重要的功率半導(dǎo)體器件,，具有控制電流、降低功率損耗,、承載大電流等多種特點(diǎn),。其廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備中，為產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和進(jìn)步做出了重要貢獻(xiàn),。
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