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例：純半導(dǎo)體禁帶較寬,，價(jià)電帶電子很難越過禁帶進(jìn)入導(dǎo)帶，導(dǎo)電率很低,，為改善導(dǎo)電性,，可采用摻加雜質(zhì)的辦法，如在半導(dǎo)體硅中摻入P和B,，摻入一個(gè)P,，則與周圍Si原子形成四對共價(jià)鍵,，并導(dǎo)出一個(gè)電子，叫施主型雜質(zhì),，這個(gè)多余電子處于半束縛狀態(tài),，只須填加很少能量，就能躍遷到導(dǎo)帶中,，它的能量狀態(tài)是在禁帶上部靠近導(dǎo)帶下部的一個(gè)附加能級上,，叫施主能級，叫n型半導(dǎo)體,。當(dāng)摻入一個(gè)B，少一個(gè)電子,，不得不向其它Si原子奪取一個(gè)電子補(bǔ)充,，這就在Si原子中造成空穴，叫受主型雜質(zhì),，這個(gè)空穴也僅增加一點(diǎn)能量就能把價(jià)帶中電子吸過來,，它的能量狀態(tài)在禁帶下部靠近價(jià)帶頂部一個(gè)附加能級，叫受主能級,，叫P型半導(dǎo)體,，自由電子，空穴都是晶體一種缺

點(diǎn)缺陷在實(shí)踐中有重要意義：燒成燒結(jié),，固相反應(yīng),，擴(kuò)散，對半導(dǎo)體,，電絕緣用陶瓷有重要意義,，使晶體著色等。

線缺陷

實(shí)際晶體在結(jié)晶時(shí),，受到雜質(zhì),，溫度變化或振動產(chǎn)生的應(yīng)力作用或晶體由于受到打擊，切割等機(jī)械應(yīng)力作用,，使晶體內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)排列變形,，原子行列間相互滑移，不再符合理想晶體的有序排列,，形成線狀缺陷,。

位錯(cuò)直觀定義：晶體中已滑移面與未滑移面的邊界線。

這種線缺陷又稱位錯(cuò),，注意：位錯(cuò)不是一條幾何線,，而是一個(gè)有一定寬度的管道，位錯(cuò)區(qū)域質(zhì)點(diǎn)排列嚴(yán)重畸變,，有時(shí)造成晶體面網(wǎng)發(fā)生錯(cuò)動,。對晶體強(qiáng)度有很大影響

上海薩帛機(jī)電控制系統(tǒng)有限公司

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