Q:283-817-7655
Rockwell 817-E1
Rockwell 817-E2
Rockwell 825-MCM180
Rockwell 825-MCM20
Rockwell 193-NCCM-DNT-CNT
Rockwell 193-NCIO-22A-CNT
Rockwell 193-NCIO-22D-CNT
Rockwell 193-NCIO-43-CNT
Rockwell 193-NCIO-63-CNT
Rockwell 193-NCIOGP-22-CNT
Rockwell 193-NCIOGP-42-CNT
Rockwell 825-CBCT
Rockwell 809S-C1-10A-230
Rockwell 809S-C1-10A-48
Rockwell 813S-V1-500V-230
Rockwell 813S-V1-500V-48
Rockwell 813S-V3-110V
Rockwell 813S-V3-230V
Rockwell 813S-V3-400V
Rockwell 813S-V3-480V
Rockwell 813S-V3-690V
Rockwell 814S-PF3-480V-10A
Rockwell 814S-PF3-690V-10A
Rockwell 814S-W3-480V-10A
Rockwell 817S-PTC-115
Rockwell 817S-PTC-230
Rockwell 817S-PTC-48
Contraves HB731S0 編碼器
Contraves HB731S0 編碼器
雙極性晶體管（英語(yǔ)：bipolar transistor）,，全稱雙極性結(jié)型晶體管（bipolar junction transistor, BJT）,，俗稱三極管，是一種具有三個(gè)終端的電子器件,，由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成,，晶體管中的電荷流動(dòng)主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴(kuò)散作用和漂移運(yùn)動(dòng)。
這種晶體管的工作,，同時(shí)涉及電子和空穴兩種載流子的流動(dòng),，因此它被稱為雙極性的，所以也稱雙極性載流子晶體管,。這種工作方式與諸如場(chǎng)效應(yīng)管的單極性晶體管不同,，后者的工作方式僅涉及單一種類載流子的漂移作用。兩種不同摻雜物聚集區(qū)域之間的邊界由PN結(jié)形成,。
雙極性晶體管能夠放大信號(hào),，并且具有較好的功率控制、高速工作以及耐久能力,，,，所以它常被用來(lái)構(gòu)成放大器電路，或驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器,、電動(dòng)機(jī)等設(shè)備,，并被廣泛地應(yīng)用于航空航天工程、醫(yī)療器械和機(jī)器人等應(yīng)用產(chǎn)品中,。
雙極性晶體管是電子學(xué)歷*具有革命意義的一項(xiàng)發(fā)明，其發(fā)明者威廉·肖克利,、約翰·巴丁和沃爾特·布喇頓被授予了1956年的諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng),。 [1]
這種晶體管的工作，同時(shí)涉及電子和空穴兩種載流子的流動(dòng),，因此它被稱為雙極性的,，所以也稱雙極性載流子晶體管。這種工作方式與諸如場(chǎng)效應(yīng)管的單極性晶體管不同,，后者的工作方式僅涉及單一種類載流子的漂移作用,。兩種不同摻雜物聚集區(qū)域之間的邊界由PN結(jié)形成,。
雙極性晶體管由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成，晶體管中的電荷流動(dòng)主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴(kuò)散作用和漂移運(yùn)動(dòng),。以NPN晶體管為例,，按照設(shè)計(jì)，高摻雜的發(fā)射極區(qū)域的電子,，通過(guò)擴(kuò)散作用運(yùn)動(dòng)到基極,。在基極區(qū)域，空穴為多數(shù)載流子,，電子是少數(shù)載流子,。由于基極區(qū)域很薄，這些電子又通過(guò)漂移運(yùn)動(dòng)到達(dá)集電極,，從而形成集電極電流,，因此雙極性晶體管被歸到少數(shù)載流子設(shè)備。
雙極性晶體管能夠放大信號(hào),，并且具有較好的功率控制,、高速工作以及耐久能力，,，所以它常被用來(lái)構(gòu)成放大器電路,，或驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器、電動(dòng)機(jī)等設(shè)備,，并被廣泛地應(yīng)用于航空航天工程,、醫(yī)療器械和機(jī)器人等應(yīng)用產(chǎn)品中。
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