Q:283-817-7655
GAMAK AGM2E 112 M 6 電機(jī)
GAMAK AGM2E 100 L 2 電機(jī)
Gamar Srl XS 132S A2 電機(jī)
Gamet Precision AX 27-1 typ 1 氣缸
Gammaflux GLC2000CARD-A 控制卡
Garlock 39000M2521 機(jī)械密封
Garlock 21852-4128 機(jī)械密封
GARLOCK MEC04-11289 機(jī)械密封
GARLOCK ANG-MEC04 密封
Garlock ANG-MEC04 密封
GARLOCK MEC03-10044 機(jī)械密封
Garlock C422-9102 REP3-1160 充氣密封
GAUSS RMI 110 變速器
geatra UNA 26 疏水閥
GECHTER A4201.001 測(cè)量儀
GECHTER Z0027.004 手柄
GECHTER Z4030.001 測(cè)量儀附件
GECHTER Z4035.001 測(cè)量儀附件
GECHTER A4201.001 8/16 HKPV 測(cè)量儀
GECHTER Z0027.004 手柄
GECHTER 12 kN HKP/L 機(jī)
GECHTER 8 kN HKP/L 機(jī)
Gamet Precision AX 27-1 typ 1 氣缸
具有足夠大能量的原子(離子)離開平衡位置后,,擠入晶格間隙中,,形成間隙原子離子),,在原來位置上留下空位,。
特點(diǎn):空位與間隙粒子成對(duì)出現(xiàn),數(shù)量相等,,晶體體積不發(fā)生變化,。
在晶體中弗侖克爾缺陷的數(shù)目多少與晶體結(jié)構(gòu)有很大關(guān)系,,格點(diǎn)位質(zhì)點(diǎn)要進(jìn)入間隙位,,間隙必須要足夠大,如螢石(CaF2)型結(jié)構(gòu)的物質(zhì)空隙較大,,易形成,,而NaCl型結(jié)構(gòu)不易形成??偟膩碚f,,離子晶體,共價(jià)晶體形成該缺陷困難,。
(2)肖特基缺陷
表面層原子獲得較大能量,,離開原來格點(diǎn)位跑到表面外新的格點(diǎn)位,原來位置形成空位這樣晶格深處的原子就依次填入,,結(jié)果表面上的空位逐漸轉(zhuǎn)移到內(nèi)部去,。
特點(diǎn):體積增大,對(duì)離子晶體,、正負(fù)離子空位成對(duì)出現(xiàn),,數(shù)量相等。結(jié)構(gòu)致密易形成肖特基缺陷,。
晶體熱缺陷的存在對(duì)晶體性質(zhì)及一系列物理化學(xué)過程,,導(dǎo)電、擴(kuò)散,、固相反應(yīng),、燒結(jié)等產(chǎn)生重要影響,適當(dāng)提高溫度,,可提高缺陷濃度,,有利于擴(kuò)散,燒結(jié)作用,,外加少量填加劑也可提高熱缺陷濃度,,有些過程需要大限度避免缺陷產(chǎn)生, 如單晶生產(chǎn),要非??炖鋮s,。
3. 組成缺陷
主要是一種雜質(zhì)缺陷,在原晶體結(jié)構(gòu)中進(jìn)入了雜質(zhì)原子,,它與固有原子性質(zhì)不同,,破壞了原子排列的周期性,雜質(zhì)原子在晶體中占據(jù)兩種位置(1)填隙位(2)格點(diǎn)位
從物理學(xué)中固體的能帶理論來看,,非金屬固體具有價(jià)帶,,禁帶和導(dǎo)帶,當(dāng)在OR時(shí),,導(dǎo)帶全部完善,,價(jià)帶全部被電子填滿,由于熱能作用或其它能量傳遞過程,,價(jià)帶中電子得到一能量Eg,,而被激發(fā)入導(dǎo)帶,這時(shí)在導(dǎo)帶中存在一個(gè)電子,,在價(jià)帶留一孔穴,,孔穴也可以導(dǎo)電,這樣雖末破壞原子排列的周期性,,在由于孔穴和電子分別帶有正負(fù)電荷,,在它們附近形成一個(gè)附加電場(chǎng),引起周期勢(shì)場(chǎng)畸變,,造成晶體不完整性稱電荷缺陷,。