Q:283-817-7655
lowara ENSCE 32-160/22/P25RCSU
lowara MOTOR PLM90B14/S2/322 E3
lowara LNEE 50-125/03/S45RCS4
SCAIME W-AG15 C3 SH 5e U
schenck V058895.B03
BAUMULLER DST2-200XY54W-015-5-K-VA-3-KTA-N-013
ganternorm GN 650-254-B
novotechnik RSC-2831-618-121-201
novotechnik RFC-4853-605-111-202
Celtron 00STC-250K-G0-02F
middex K480216A-5
tekpro Holmen NHP100
tekpro Holmen NHP200
tekpro Holmen NHP300
SCAIME W-AG15 C3 SH 5e U 好價(jià)銷(xiāo)售
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據(jù)存儲(chǔ)器，外部串行存儲(chǔ)器件是選擇,。大多數(shù)情況下,，這個(gè)額外的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器是非易失性的。
根據(jù)不同的設(shè)計(jì),，引導(dǎo)存儲(chǔ)器可以是串行也可以是并行的,。如果微控制器沒(méi)有內(nèi)部存儲(chǔ)器，并行的非易失性存儲(chǔ)器件對(duì)大多數(shù)應(yīng)用系統(tǒng)而言是正確的選擇,。但對(duì)一些高速應(yīng)用,，可以使用外部的非易失性串行存儲(chǔ)器件來(lái)引導(dǎo)微控制器，并允許主代碼存儲(chǔ)在內(nèi)部或外部高速SRAM中,。
8．EEPROM與閃存
存儲(chǔ)器技術(shù)的成熟使得RAM和ROM之間的界限變得很模糊,，如今有一些類(lèi)型的存儲(chǔ)器(如EEPROM和閃存)組合了兩者的特性。這些器件像RAM一樣進(jìn)行讀寫(xiě),，并像ROM一樣在斷電時(shí)保持?jǐn)?shù)據(jù),，它們都可電擦除且可編程，但各自有它們優(yōu)缺點(diǎn),。
從軟件角度看,，獨(dú)立的EEPROM和閃存器件是類(lèi)似的，兩者主要差別是EEPROM器件可以逐字節(jié)地修改,，而閃存器件只支持扇區(qū)擦除以及對(duì)被擦除單元的字,、頁(yè)或扇區(qū)進(jìn)行編程。對(duì)閃存的重新編程還需要使用SRAM,，因此它要求更長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)有更多的器件在工作,，從而需要消耗更多的電池能量。設(shè)計(jì)工程師也必須確認(rèn)在修改數(shù)據(jù)時(shí)有足夠容量的SRAM可用,。
存儲(chǔ)器密度是決定選擇串行EEPROM或者閃存的另一個(gè)因素,。市場(chǎng)上可用的獨(dú)立串行EEPROM器件的容量在128KB或以下,，獨(dú)立閃存器件的容量在32KB或以上。
如果把多個(gè)器件級(jí)聯(lián)在一起,，可以用串行EEPROM實(shí)現(xiàn)高于128KB的容量,。很高的擦
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