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目錄:北京縱橫金鼎儀器設(shè)備有限公司>>介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀>>介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)定儀>> 介電常數(shù)測(cè)量?jī)x

介電常數(shù)測(cè)量?jī)x
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參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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  • 品牌 縱橫金鼎
  • 型號(hào)
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 北京市
屬性

價(jià)格區(qū)間:2萬(wàn)-5萬(wàn) 應(yīng)用領(lǐng)域:電子

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介電常數(shù)測(cè)量?jī)x產(chǎn)品用途:固體,、液體絕緣材料的介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試
適用材料:橡膠塑料薄膜,、陶瓷玻璃,、絕緣材料,、高分子材料等
測(cè)試范圍:10KHZ-70MHZ,、100KHZ-160MHZ
主要配置:主機(jī)Q表,、夾具,、電感組成
測(cè)試項(xiàng)目:介電常數(shù),、介質(zhì)損耗,、介質(zhì)損耗因數(shù)、介質(zhì)損耗角正切值

 

產(chǎn)品名稱:介電常數(shù)測(cè)試儀介紹

產(chǎn)品型號(hào):LJD-B,、LJD-C,、QS-37

符合標(biāo)準(zhǔn):GB/T1409、GB/T5594

產(chǎn)品用途:固體,、液體絕緣材料的介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試

適用材料:橡膠塑料薄膜,、陶瓷玻璃、絕緣材料,、高分子材料等

測(cè)試范圍:10KHZ-70MHZ,、100KHZ-160MHZ

主要配置:主機(jī)Q表、夾具,、電感組成

測(cè)試項(xiàng)目:介電常數(shù),、介質(zhì)損耗、介質(zhì)損耗因數(shù),、介質(zhì)損耗角正切值

使用人群:科研所,、教學(xué)、質(zhì)量監(jiān)督局,、軍工單位等

付款方式:全款發(fā)貨

產(chǎn)品品牌:縱橫金鼎

產(chǎn)品貨期:1-3個(gè)工作日

產(chǎn)品類別:電性能檢測(cè)儀器

介電常數(shù)測(cè)量?jī)xLKI-2電感組

LKI-2型電感組共包括不同電感量的電感9個(gè),,凡儀器在進(jìn)行測(cè)試線圈的分布電容量,電容器的電容量,,高頻介質(zhì)損耗,,高頻電阻和傳輸線特性阻抗等高頻電路和元件的電性能時(shí),必須用電感組作輔助工具,。

本電感組有較高Q值,,能使儀器測(cè)量時(shí)得到尖銳諧振點(diǎn),,因而增加其測(cè)量的準(zhǔn)確度,各電感的有關(guān)數(shù)據(jù)如下表:

電感No

電感量

準(zhǔn)確度%

Q值≥

分布電容約略值

諧振頻率范圍 MHz

適合介電常數(shù)測(cè)試頻率

LJD-B

LJD-C

1

0.1μH

±0.05μH

180

5pF

20~70

31~103

50MHz

2

0.5μH

±0.05μH

200

5pF

10~37

14.8~46.6

15MHz

3

2.5μH

±5%

200

5pF

4.6~17.4

6.8~21.4

10MHz

4

10μH

±5%

200

6pF

2.3~8.6

3.4~10.55

5MHz

5

50μH

±5%

180

6pF

1~3.75

1.5~4.55

1.5MHz

6

100μH

±5%

200

6pF

0.75~2.64

1.06~3.20

1MHz

7

1mH

±5%

150

8pF

0.23~0.84

0.34~1.02

0.5MHz

8

5mH

±5%

130

8pF

0.1~0.33

0.148~0.39

0.25MHz

9

10mH

±5%

90

8pF

0.072~0.26

0.107~0.32

0.1MHz

介電常數(shù)測(cè)量?jī)x附錄

一  如何測(cè)試帶粘性超薄絕緣材料的介電常數(shù)

1 用錫箔紙覆膠在材料的兩面,,上下層錫箔紙不能接觸,。錫箔紙厚度為DX;

2 超薄材料需要疊加:疊加方式如下

                                   250μ貼合6層后測(cè)試;

200μ貼合8層后測(cè)試,;

175μ貼合9層后測(cè)試,;

125μ貼合12層后測(cè)試;

100μ貼合15層后測(cè)試,;

75μ貼合20層后測(cè)試,;

50μ貼合30層后測(cè)試,。

3 計(jì)算公式

  Σ=(D2-2*DX)/(D4-2*DX)

4 介質(zhì)損耗系數(shù)測(cè)試同理

七,、產(chǎn)品的交收檢驗(yàn)

1.檢驗(yàn)環(huán)境要求

a.環(huán)境溫度:20℃±2  相對(duì)濕度<50%;

b.供電電源:220V±10V  50Hz±1Hz,;

c.被檢設(shè)備要預(yù)熱30分鐘以上,。

2.檢驗(yàn)設(shè)備要求

a. 設(shè)備應(yīng)在計(jì)量后的有效使用期內(nèi);

b. 檢驗(yàn)設(shè)備應(yīng)按儀器規(guī)定預(yù)熱,。

3Q值指示檢驗(yàn)

a.檢驗(yàn)設(shè)備:BQG-2標(biāo)準(zhǔn)線圈一套,;

b.把標(biāo)準(zhǔn)Q值線圈接入LJD-C測(cè)試儀電感接線柱上;

c.選擇標(biāo)準(zhǔn)Q值線圈所規(guī)定的檢定頻率,;

dLJD-C測(cè)試儀Q值讀數(shù)的相對(duì)誤差應(yīng)符合二.1.C條固有誤差所規(guī)定,。

4.調(diào)諧電容器準(zhǔn)確度檢驗(yàn)

a. 測(cè)試時(shí)如發(fā)現(xiàn)干擾,應(yīng)斷開(kāi)內(nèi)部信號(hào)源,。

b.設(shè)備連接如圖六所示,,連接線應(yīng)盡量短,盡可能減小分布電容,;

 

c.電容測(cè)試儀技術(shù)指標(biāo)

   測(cè)試范圍:10-550pF,、±5pF

   測(cè)試精度:10-550pF±0.1%,、±5pF±0.05pF,;

d.調(diào)諧電容器刻度盤(pán)上指示值與電容測(cè)試儀指示值之間誤差應(yīng)符合二.3.條規(guī)定。

5.頻率指示誤差檢驗(yàn)

a.設(shè)備連接如圖七所示

 

b.從后面板的頻率監(jiān)測(cè)端用BNC電纜連至頻率計(jì)數(shù)器輸入端,;

c.頻率計(jì)數(shù)器技術(shù)要求

   測(cè)量范圍:10Hz-1000MHz,;

    測(cè)量誤差:<1×10-6

    測(cè)量靈敏度:<30mV,;

d.測(cè)試線要求:高頻電纜$YV-50-3,;

e-B測(cè)試儀頻率指示值與頻率計(jì)數(shù)器讀數(shù)值間的誤差應(yīng)符合二.4.條規(guī)定。

附:貼片元件測(cè)試夾具使用方法

當(dāng)采用我公司生產(chǎn)的QBG-3D/3E及LJD-C測(cè)試儀及配上相應(yīng)的貼片元件測(cè)試夾具時(shí)可對(duì)貼片電容及貼片電感進(jìn)行電容量,、電感量及Q值,、tgδ值的測(cè)量,,測(cè)量時(shí)只要將測(cè)試夾具接入相應(yīng)的Lx或Cx接線柱內(nèi),然后按說(shuō)明書(shū)中3高頻線圈電感值的測(cè)量及5電容器電容量的測(cè)量方法進(jìn)行測(cè)量,。

注意:因貼片元件尺寸較小,,規(guī)格又不盡相同,因此放入夾具時(shí)應(yīng)保持盡量居中并保證接觸良好,。

在測(cè)量小電感時(shí),,為了測(cè)試值的正確性,測(cè)得的讀數(shù)應(yīng)減去儀器的測(cè)試回路的剩余電感值,,QBG-3D約27nH,,QBG-3E約26nH,LJD-C約7nH(包括測(cè)試夾具),。

ASTM D150-11

實(shí)心電絕緣材料的交流損耗特性和

電容率介電常數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法1

本標(biāo)準(zhǔn)是以固定代號(hào)D150發(fā)布的,。其后的數(shù)字表示原文本正式通過(guò)的年號(hào);在有修訂的情況下,,為上一次的修訂年號(hào),;圓括號(hào)中數(shù)字為上一次重新確認(rèn)的年號(hào)。上標(biāo)符號(hào)(ε)表示對(duì)上次修改或重新確定的版本有編輯上的修改,。
    本標(biāo)準(zhǔn)經(jīng)批準(zhǔn)用于國(guó)防部所有機(jī)構(gòu),。
1.介電常數(shù)測(cè)試儀范圍
1.1 本試驗(yàn)方法包含當(dāng)所用標(biāo)準(zhǔn)為集成阻抗時(shí),實(shí)心電絕緣材料樣本的相對(duì)電容率,,耗散因子,,損耗指數(shù),功率因子,,相位角和損耗角的測(cè)定,。列出的頻率范圍從小于1Hz到幾百兆赫茲。

注1:在普遍的用法,,“相對(duì)”一詞經(jīng)常是指下降值,。

1.2 這些試驗(yàn)方法提供了各種電極,裝置和測(cè)量技術(shù)的通用信息,。讀者如對(duì)某一特定材料相關(guān)的議題感興趣的話,,必須查閱ASTM標(biāo)準(zhǔn)或直接適用于被測(cè)試材料的其它文件。2,3

1.3  本標(biāo)準(zhǔn)并沒(méi)有列舉所有的安全聲明,,如果有必要,,根據(jù)實(shí)際使用情況進(jìn)行斟酌。使用本規(guī)范前,,使用者有責(zé)任制定符合安全和健康要求的條例和規(guī)范,,并明確該規(guī)范的使用范圍。特殊危險(xiǎn)說(shuō)明見(jiàn)7.2.6.1和10.2.1,。

1 本規(guī)范歸屬于電學(xué)和電子絕緣材料ASTM D09委員會(huì)管轄,,并由電學(xué)試驗(yàn)D09.12附屬委員分會(huì)直接管理,。

當(dāng)前版本核準(zhǔn)于2011年8月1日。2011年8月發(fā)行,。原版本在1922年批準(zhǔn),。前一較新版本于2004年批準(zhǔn),即為 D150-98R04,。DOI:10.1520/D0150-11,。

2 R. Bartnikas, 第2章, “交流電損耗和電容率測(cè)量,” 工程電介質(zhì), Vol. IIB, 實(shí)心絕緣材料的電學(xué)性能, 測(cè)量技術(shù), R. Bartnikas, Editor, STP 926,ASTM, Philadelphia, 1987.

3 R. Bartnikas, 第1章, “固體電介質(zhì)損耗,” 工程電介質(zhì),Vol IIA, 實(shí)心絕緣材料的電學(xué)性能: 分子結(jié)構(gòu)和電學(xué)行為, R. Bartnikas and R. M. Eichorn, Editors, STP 783, ASTM, Philadelphia, 1983.

2.介電常數(shù)測(cè)試儀引用文件
2.1 ASTM標(biāo)準(zhǔn):4

D374     固體電絕緣材料厚度的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法

D618     試驗(yàn)用塑料調(diào)節(jié)規(guī)程

D1082    云母耗散因子和電容率(介電常數(shù))試驗(yàn)方法

D1531    用液體位移法測(cè)定相對(duì)電容率(介電常數(shù))與耗散因子的試驗(yàn)方法

D1711    電絕緣相關(guān)術(shù)語(yǔ)

D5032    用飽和甘油溶液方式維持恒定相對(duì)濕度的規(guī)程

E104     用水溶液保持相對(duì)恒定濕度的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程

E197     室溫之上和之下試驗(yàn)用罩殼和服役元件規(guī)程(1981年取消)5

3.介電常數(shù)測(cè)試儀術(shù)語(yǔ)

3.1 定義:

3.1.1 這些試驗(yàn)方法所用術(shù)語(yǔ)定義以及電絕緣材料相關(guān)術(shù)語(yǔ)定義見(jiàn)術(shù)語(yǔ)標(biāo)準(zhǔn)D1711。

3.2 本標(biāo)準(zhǔn)術(shù)語(yǔ)定義:

3.2.1 電容,,C,,名詞——當(dāng)導(dǎo)體之間存在電勢(shì)差時(shí),導(dǎo)體和電介質(zhì)系統(tǒng)允許儲(chǔ)存電分離電荷的性能,。

3.2.1.1 討論——電容是指電流電量 q與電位差V之間的比值,。電容值總是正值。當(dāng)電量采用庫(kù)倫為單位,,電位采用伏特為單位時(shí),,電容單位為法拉,即:

C=q/V          ?。?)

3.2.2 耗散因子(D),(損耗角正切),,(tanδ),,名詞——是指損耗指數(shù)(K'')與相對(duì)電容率(K')之間的比值,它還等于其損耗角(δ)的正切值或者其相位角(θ)的余切值(見(jiàn)圖1和圖2),。

D=K''/K'     (2)

4 相關(guān)ASTM標(biāo)準(zhǔn),,可瀏覽ASTM網(wǎng)站,astm.org或與ASTM客服[email protected]聯(lián)系,。ASTM標(biāo)準(zhǔn)手冊(cè)卷次信息,,可參見(jiàn)ASTM網(wǎng)站標(biāo)準(zhǔn)文件匯總。

5 該歷史標(biāo)準(zhǔn)的較后批準(zhǔn)版本參考網(wǎng)站.astm.org,。

3.2.2.1 討論——a:

D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp        (3)

式中:

G=等效交流電導(dǎo),,

Xp=并聯(lián)電抗,

Rp=等效交流并聯(lián)電阻,,

Cp=并聯(lián)電容,,

ω=2πf(假設(shè)為正弦波形狀)

耗散因子的倒數(shù)為品質(zhì)因子Q,有時(shí)成為儲(chǔ)能因子,。對(duì)于串聯(lián)和并聯(lián)模型,,電容器耗散因子D都是相同的,按如下表示為:

D=ωRsCs=1/ωRpCp        (4)

串聯(lián)和并聯(lián)部分之間的關(guān)系滿足以下要求:

Cp=Cs/(1 D2)             (5)

Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2             (6)

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