數(shù)顯恒速攪拌機(jī)型號：JB-60D
工作原理
本設(shè)備采用電子恒力調(diào)速線路，數(shù)字直接顯示轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)速,。能適應(yīng)實(shí)驗(yàn)室不同的試驗(yàn)需要,，并可根據(jù)顯示的轉(zhuǎn)軸速度直接計(jì)算攪拌、分散,、的線速度及化學(xué)反應(yīng)速率之間的關(guān)系,，為大規(guī)模投產(chǎn)提供正確的工藝數(shù)據(jù)。

數(shù)顯恒速攪拌機(jī) 

數(shù)顯恒速攪拌機(jī) 型號：JB-60D
工作原理

本設(shè)備采用電子恒力調(diào)速線路,，數(shù)字直接顯示轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)速,。能適應(yīng)實(shí)驗(yàn)室不同的試驗(yàn)需要，并可根據(jù)顯示的轉(zhuǎn)軸速度直接計(jì)算攪拌,、分散,、的線速度及化學(xué)反應(yīng)速率之間的關(guān)系，為大規(guī)模投產(chǎn)提供正確的工藝數(shù)據(jù),。

本機(jī)的攪拌頭在電機(jī)的高速驅(qū)動下,，產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)切向高線速度，物料在巨大的離心力作用下,，產(chǎn)生強(qiáng)大的液力剪切和高頻機(jī)械效應(yīng),，使流體物料每分承受上千次的剪切和高頻機(jī)械效應(yīng)，從而達(dá)到效率混合,、分散,、的效果。

 

 

范圍和主要技術(shù)參數(shù)

本機(jī)于在容器內(nèi)進(jìn)行流體物料實(shí)驗(yàn),。

主要技術(shù)參數(shù)：

 

型號	JB60D	JB90D	JB120D	JB200D	JB300D
輸出功率	60W	90W	120W	200W	300W
額定電壓/頻率	220V 50HZ
調(diào)速范圍	100-2000r/min,、100-3000r/min、100-4000r/min（任選一款）
攪拌棒	￠8×300mm  （不銹鋼攪拌漿）
攪拌機(jī)外型尺寸 (長×寬×高）	350×250×750mm
凈重	12kg	13kg	13.5kg	14kg	14.5kg

 

 

 

主要構(gòu)造

本機(jī)主要由以下幾個部件組成：

1,、電機(jī)

2,、智能控制儀（觸摸式按鍵，可隨意控制轉(zhuǎn)速）

3,、不銹鋼攪拌棒

4,、開放式支架.

5,、固定夾及萬用夾具

 

產(chǎn)品名稱：數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀 少子壽命測試儀 產(chǎn)品型號： LT-100C

數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀 少子壽命測試儀 型號： LT-100C 
為解決太陽能單晶、多晶少子壽命測量,，特按照國標(biāo)GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導(dǎo)法研制出了數(shù)字式少子壽命測試儀,。                                                        
      該設(shè)備是按照國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計(jì)制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國半導(dǎo)體集成電路,、晶體管,、整流器件、核探測器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年,，積累了豐富的使用經(jīng)驗(yàn),，經(jīng)過數(shù)次全國十多個單位巡回測試的考驗(yàn)，證明是一種成熟可靠的測試方法,，特別適合于硅塊,、硅棒研磨面的少子體壽命測量；也可對硅片進(jìn)行測量,，給出相對壽命值,。方法本身對樣品表面的要求為研磨面，制樣簡便,。 

 LT-100C數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀有以下特點(diǎn)： 
1,、 可測量太陽能級多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命,。表面無需拋光,，直接對切割面或研磨面進(jìn)行測量。同時可測量多晶硅檢驗(yàn)棒及集成電路,、整流器,、晶體管級硅單晶的少子壽命。 
2,、  可測量太陽能級單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命,，表面無需拋光、鈍化,。 
3,、配備軟件的數(shù)字示波器，液晶屏上直接顯示少子壽命值,，同時顯示動態(tài)光電導(dǎo)衰退波形,，并可聯(lián)用打印機(jī)及計(jì)算機(jī)。 
4,、配置兩種波長的紅外光源： 
a,、紅外光源，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準(zhǔn)確測量晶體少數(shù)載流子體壽命,。 
b,、短波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,，但光強(qiáng),，有利于測量低阻太陽能級硅晶體。 
5,、測量范圍寬廣 
測試儀可直接測量： 
a,、研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命,，切割片的少子相對壽命,。 
b、拋光面：電阻率在0.3～0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶,、鍺單晶拋光片,。 
壽命可測范圍     0.25μS—10ms