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當(dāng)前位置:> 供求商機(jī)> GC-9560-HG/SiH4  -硅烷純度分析氦離子氣相色譜儀

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當(dāng)前位置:> 供求商機(jī)> GC-9560-HG/SiH4  -硅烷純度分析氦離子氣相色譜儀

[供應(yīng)]GC-9560-HG/SiH4  -硅烷純度分析氦離子氣相色譜儀

貨物所在地:上海上海市

產(chǎn)地:上海市邯鄲路100號54乙

更新時(shí)間:2024-09-01 21:00:21

有效期:2024年9月1日 -- 2025年3月1日

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PDHID對硅烷中氣體雜質(zhì)檢測限(ppb)
H2 O2+Ar N2 CO CH4 CO2 C2 C3 SimHn
50 50 50 50 20 20 20 20 50

電子工業(yè)氣體:

高純度硅烷氣體雜質(zhì)組份的檢測

一:應(yīng)用領(lǐng)域:
硅烷在大規(guī)模集成電路(LSI),、超大規(guī)模集成電路(VLSI)和半導(dǎo)體器件制造中,,用于氣相外延生長、化學(xué)氣相淀積等工藝(工序),。
1. 外延(生長)混合氣 在半導(dǎo)體工業(yè)中,,在仔細(xì)選擇的襯底上選用化學(xué)氣相淀積的方法,生長一層或多層的材料所用的氣體叫做外延氣體,。常用的硅外延氣體有二氯二氫硅,、四氯化硅和硅烷等,。主要用于外延硅淀積,多晶硅淀積,,氧化硅膜淀積,,氮化硅膜淀積,太陽能電池和其他光感受器的非晶硅膜淀積等,。外延生長是一種單晶材料淀積并生長在襯底表面上的過程,。 
2. 化學(xué)氣體淀積(CVD)用混合氣 CVD是利用揮發(fā)性化合物,通過氣相化學(xué)反應(yīng)沉積某種單質(zhì)或化合物的一種方法,,即應(yīng)用氣相化學(xué)反應(yīng)的一種成膜的方法,。依據(jù)成膜種類,使用的化學(xué)氣相淀積(CVD)氣體也不同,。

二:硅烷中微量雜質(zhì)的分析一直是色譜分析的難點(diǎn),。
目前多數(shù)采用的熱導(dǎo)檢測器由于靈敏度有限,很難測定5ppm以下的雜質(zhì),;火焰離子化檢測器和氧化鋯檢測器是選擇性的檢測器,,只能分析少數(shù)幾種氣體雜質(zhì),均不能很好的滿足硅烷氣體分析的基本要求,。
PDHID檢測器(脈沖放電氦離子檢測器)是一種靈敏度的通用型檢測器,,對幾乎所有無機(jī)和有機(jī)化合物均有很高的響應(yīng),特別適合*氣體的分析,,是*能夠檢測至ng/g(ppb)級的檢測器,。
 

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