靜電放電的三種模式：

靜電對電子產(chǎn)品的損害有多種形式，其中最常見,、危害最大的是靜電放電（ESD）,。帶靜電的物體與元器件有電接觸時，靜電會轉(zhuǎn)移到元器件上或通過元器件放電,；或者元器件本身帶電,，通過其它物體放電。這兩種過程都可能損傷元器件,，損傷的程度與靜電放電的有關(guān),。實際過程中靜電的來源有很多，放電的形式也有多種,。但通過對靜電的主要來源以及實際發(fā)生的靜電放電過程的研究認(rèn)為,，對元器件造成損傷的主要是三種模式，即帶點人體的靜電放電模式,、帶電機(jī)器的放電模式和充電器件的放電模式,。 

1.帶電的人體的放電模式(HBM)

由于人體會與各種物體間發(fā)生接觸和磨擦，又與元器件接觸,，所以人體易帶靜電,，也容易對元器件造成靜電損傷,。普遍認(rèn)為大部分元器件靜電損傷是由人體靜電造成的。帶靜電的人體可以等效為等效電路,，這個等效電路又稱人體靜電放電模型（Human Body Model）,。其中，Vp帶靜電的人體與地的電位差,，Cp帶靜電的人體與地之間的電容量,，一般為50-250pF；Rp人體與被放電體之間的電阻值,，一般為102-105Ω,。

人體與被放電體之間的放電有兩種。即接觸放電和電弧放電,。接觸放電時人體與被放電之間的電阻值是個恒定值,。電弧放電是在人體與被放電體之間有一定距離時，它們之間空間的電場強(qiáng)度大于其介質(zhì)（如空氣）的介電強(qiáng)度,，介質(zhì)電離產(chǎn)生電弧放電,，暗場中可見弧光。電弧放電的特點是在放電的初始階段,，因為空氣是**導(dǎo)體,，放電通道的阻抗較高，放電電流較??；隨著放電的進(jìn)行，通道溫度升高,，引起局部電離,，通道阻抗逐漸降低，電流增大,，直至達(dá)到一個峰值,；然后，隨著人體靜電能量的釋放,，電流逐漸減少,，直至電弧消失。

2.帶電機(jī)器的放電模式（MM）

機(jī)器因為摩擦或感應(yīng)也會帶電,。帶電機(jī)器通過電子元器件放電也會造成損傷,。機(jī)器放電的模型（Machine Model）。與人體模式相比,，機(jī)器沒有電阻,，電容則相對要大。 

3.充電器件的放電模型（CDM）

在元器件裝配,、傳遞,、試驗,、測試、運輸和儲存的過程中由于殼體與其它材料磨擦,，殼體會帶靜電,。一旦元器件引出腿接地時，殼體將通過芯體和引出腿對地放電,。這種形式的放電可用所謂帶電器件模型(Charged-Device Model,，CDM)來描述。下面以雙極型和MOS型半導(dǎo)體器件為例給出靜電放電的等效電路,。雙極型器件的CDM等效電路,，Cd為器件與周圍物體及地之間的電容，Ld為器件導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)的等效電感,，Rd為芯片上放電電流通路的等效電阻,。串聯(lián)著的Rd、Cd和Ld等效于帶電器件,。開關(guān)S合上表示器件與地的放電接觸,，接觸電阻為Rc?！?/span>

MOS器件的CDM等效電路,。由于MOS器件各個管腿的放電時間長短相差很大，所以要用不同的放電通路來模擬,，每條放電通路都用其等效電容、電阻和電感來表示,。當(dāng)開關(guān)S閉合而且有任一個管腿接地時,，各通路存儲的電荷將要放電。若在放電過程中,，各個通路的放電特性不同,，就會引起相互間的電勢差。這一電勢差也會造成器件的損壞,，如柵介質(zhì)擊穿等,。

器件放電等效電容Cd的大小和器件與周圍物體之間的位置及取向有關(guān)，有相關(guān)的表格給出了雙列直插封裝器件在不同取向時的等效電容值,，可見管殼的取向不同，電容可相差十幾倍,，因而其靜電放電閾值可以有顯著差別,。