靜電放電的三種模式：

靜電對電子產(chǎn)品的損害有多種形式，其中最常見,、危害最大的是靜電放電（ESD）,。帶靜電的物體與元器件有電接觸時，靜電會轉移到元器件上或通過元器件放電,；或者元器件本身帶電,，通過其它物體放電。這兩種過程都可能損傷元器件,，損傷的程度與靜電放電的有關,。實際過程中靜電的來源有很多，放電的形式也有多種,。但通過對靜電的主要來源以及實際發(fā)生的靜電放電過程的研究認為,，對元器件造成損傷的主要是三種模式，即帶點人體的靜電放電模式,、帶電機器的放電模式和充電器件的放電模式,。 

1.帶電的人體的放電模式(HBM)

由于人體會與各種物體間發(fā)生接觸和磨擦，又與元器件接觸,，所以人體易帶靜電,，也容易對元器件造成靜電損傷。普遍認為大部分元器件靜電損傷是由人體靜電造成的,。帶靜電的人體可以等效為等效電路,，這個等效電路又稱人體靜電放電模型（Human Body Model）,。其中，Vp帶靜電的人體與地的電位差,，Cp帶靜電的人體與地之間的電容量,，一般為50-250pF；Rp人體與被放電體之間的電阻值,，一般為102-105Ω,。

人體與被放電體之間的放電有兩種,。即接觸放電和電弧放電,。接觸放電時人體與被放電之間的電阻值是個恒定值。電弧放電是在人體與被放電體之間有一定距離時,，它們之間空間的電場強度大于其介質（如空氣）的介電強度,，介質電離產(chǎn)生電弧放電，暗場中可見弧光,。電弧放電的特點是在放電的初始階段,，因為空氣是**導體，放電通道的阻抗較高,，放電電流較?。浑S著放電的進行,，通道溫度升高,，引起局部電離，通道阻抗逐漸降低,，電流增大,，直至達到一個峰值；然后,，隨著人體靜電能量的釋放,，電流逐漸減少，直至電弧消失,。

2.帶電機器的放電模式（MM）

機器因為摩擦或感應也會帶電,。帶電機器通過電子元器件放電也會造成損傷。機器放電的模型（Machine Model）,。與人體模式相比,，機器沒有電阻，電容則相對要大,。 

3.充電器件的放電模型（CDM）

在元器件裝配,、傳遞、試驗,、測試,、運輸和儲存的過程中由于殼體與其它材料磨擦,，殼體會帶靜電。一旦元器件引出腿接地時,，殼體將通過芯體和引出腿對地放電,。這種形式的放電可用所謂帶電器件模型(Charged-Device Model，CDM)來描述,。下面以雙極型和MOS型半導體器件為例給出靜電放電的等效電路,。雙極型器件的CDM等效電路，Cd為器件與周圍物體及地之間的電容,，Ld為器件導電網(wǎng)絡的等效電感,，Rd為芯片上放電電流通路的等效電阻。串聯(lián)著的Rd,、Cd和Ld等效于帶電器件,。開關S合上表示器件與地的放電接觸，接觸電阻為Rc,?！?/span>

MOS器件的CDM等效電路。由于MOS器件各個管腿的放電時間長短相差很大,，所以要用不同的放電通路來模擬,，每條放電通路都用其等效電容、電阻和電感來表示,。當開關S閉合而且有任一個管腿接地時,，各通路存儲的電荷將要放電。若在放電過程中,，各個通路的放電特性不同,，就會引起相互間的電勢差。這一電勢差也會造成器件的損壞,，如柵介質擊穿等,。

器件放電等效電容Cd的大小和器件與周圍物體之間的位置及取向有關，有相關的表格給出了雙列直插封裝器件在不同取向時的等效電容值,，可見管殼的取向不同,，電容可相差十幾倍，因而其靜電放電閾值可以有顯著差別,。