賀德克HYDAC壓力傳感器使硅材料成為制造微機電和微機械結(jié)構(gòu)zui主要的優(yōu)選材料,。但是，硅材料對溫度極為敏感,，其電阻溫度系統(tǒng)接近于2000×10^-6/K的量級。因此,，凡是基于硅的壓阻效應為測量原理的傳感器,，必須進行溫度補償，這是不利的一面,；而可利用的一面則是,，在測量其他參數(shù)的同時,，可以直接對溫度進行測量。不同晶粒有不同的單晶取向,，而每一晶粒內(nèi)部有單晶的特征,。晶粒與晶粒之間的部位叫做晶界，晶界對

賀德克HYDAC壓力傳感器使硅材料成為制造微機電和微機械結(jié)構(gòu)zui主要的優(yōu)選材料,。但是,，硅材料對溫度極為敏感，其電阻溫度系統(tǒng)接近于2000×10^-6/K的量級,。因此,，凡是基于硅的壓阻效應為測量原理的傳感器，必須進行溫度補償,，這是不利的一面,；而可利用的一面則是，在測量其他參數(shù)的同時,，可以直接對溫度進行測量,。不同晶粒有不同的單晶取向，而每一晶粒內(nèi)部有單晶的特征,。晶粒與晶粒之間的部位叫做晶界,，晶界對其電特性的影響可以通過摻雜原子濃度調(diào)節(jié)。賀德克HYDAC壓力傳感器多晶硅膜一般由低壓化學氣相淀積（LPVCD）法制作而成,，其電阻率隨摻硼原子濃度的變化而發(fā)生較大變化,。多晶硅膜的電阻率比單晶硅的高，特別在低摻雜原子濃度下,，多晶硅電阻率迅速升高,。隨摻雜原子濃度不同，其電阻率可在較寬的數(shù)值范圍內(nèi)變化,。 
賀德克HYDAC壓力傳感器為單晶硅電阻應變靈敏系數(shù)zui大值的1/3,；橫向應靈敏系數(shù)，其值隨摻雜濃度出現(xiàn)正負變化,，故一般都不采用,。此外，與單晶硅壓阻相比,，多晶硅壓阻膜可以在不同的材料襯底上制作,，如在介電體（SiO2、Si3N4）上,。其制備過程與常規(guī)半導體工藝兼容,，且無PN結(jié)隔離問題，因而適合更高工作溫度（t≥200℃）場合使用,。在相同工作溫度下,，賀德克HYDAC壓力傳感器多晶硅壓阻膜與單晶硅壓阻膜相比,，可更有效地抑制溫度漂移，有利于長期穩(wěn)定性的實現(xiàn),。多晶硅電阻膜的準確阻值可以通過光刻手段獲得,。 
賀德克HYDAC壓力傳感器可調(diào)的電阻率特性、可調(diào)的溫度系數(shù),、較高的應變靈敏系數(shù)及能達到準確調(diào)整阻值的特點,。所以在研制微傳感器和微執(zhí)行器時，利用多晶硅膜這些電學特性,，有時比只用單晶硅更有價值,。例如，利用機械性能優(yōu)異的單晶硅制作感壓膜片,，在其上覆蓋一層介質(zhì)膜SiO2,，再在SiO2上淀積一層多晶硅壓阻膜。這種混合結(jié)構(gòu)的微型壓力傳感器,，賀德克HYDAC壓力傳感器發(fā)揮了單晶硅和多晶硅材料各自的優(yōu)勢,，其工作高溫至少可達200℃，甚至300℃,；低溫為-60℃,。