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　　掃描電鏡液體電化學(xué)原位系統(tǒng)通過MEMS芯片對液體薄層或納米電池系統(tǒng)施加電信號等,，結(jié)合EDS、EELS,、SAED,、HRTEM、STEM等多種不同模式,，實(shí)現(xiàn)從納米甚至原子層面實(shí)時,、動態(tài)監(jiān)測電極、電解液及其界面在工況下的微觀結(jié)構(gòu)演化,、反應(yīng)動力學(xué),、相變、元素價態(tài),、化學(xué)變化,、微觀應(yīng)力以及表/界面處的原子級結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。

　　本公司提供的掃描電鏡液體電化學(xué)原位系統(tǒng)有高安全性：

　　1.市面常見的其他品牌液體樣品桿,，由于受自身液體池芯片設(shè)計(jì)方案制約,，只能通過液體泵產(chǎn)生的巨大壓力推動大流量液體流經(jīng)樣品臺及芯片外圍區(qū)域，有液體大量泄露的安全隱患,。其液體主要靠擴(kuò)散效應(yīng)進(jìn)入芯片中間的納米孔道,，芯片觀察窗里并無真實(shí)流量流速控制。

　　2.采用納流控技術(shù),，通過壓電微控系統(tǒng)進(jìn)行流體微分控制,，實(shí)現(xiàn)納升級微量流體輸送,，原位納流控系統(tǒng)及樣品桿中冗余的液體量僅有微升級別，有效保證電鏡安全,。

　　3.采用高分子膜面接觸密封技術(shù),，相比于O圈密封，增大了密封接觸面積,，有效減小滲漏風(fēng)險,。

　　4.采用超高溫鍍膜技術(shù)，芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜具有耐高溫低應(yīng)力耐壓耐腐蝕耐輻照等優(yōu)點(diǎn),。