從理論上講，只考慮電子束斑直徑的話，加速電壓越高電子束斑的直徑越細(xì),。但是，使用高加速電壓時(shí)產(chǎn)生的不利因素也不可忽視,。這主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：1）樣品表面的微細(xì)結(jié)構(gòu)不能清晰顯露,；2）邊緣效應(yīng)明顯；3）容易積累電荷,；4）容易損傷樣品,。

一般情況下，使用低加速電壓,，能夠更好地觀察表面的微細(xì)結(jié)構(gòu),。使用高加速電壓,，電子束在樣品中的擴(kuò)散區(qū)域增大，從樣品內(nèi)部產(chǎn)生的不必要的信號（如背散射電子）會掩蓋樣品表面的微結(jié)構(gòu),。特別是在觀察密度低的物質(zhì)時(shí),，以低加速電壓為好。

            圖1 入射電子的擴(kuò)展（根據(jù)Duncumb和Shields的理論）                                                          圖2 加速電壓的效果

                            （a）30kV                                                                    （b）5kV

圖3 樣品：百合花花粉,，放大倍數(shù)：×900,，（a）如圖所示，使用30kV的高加速電壓,，就難以獲得表面結(jié)構(gòu)的襯度,；（b） 如圖所示，使用5kV的高加速電壓,，清楚的顯示了表面的微細(xì)結(jié)構(gòu),。

                  （a）30kV                                                                                         （b）5kV

圖4 樣品：噴金粒子，放大倍數(shù):×50,000,，如圖所示使用30kV的電壓,，圖像的清晰度和分辨率高。

                              （a）30kV                                                                     （b）5kV

圖5 樣品：濾紙,，放大倍數(shù):×900,，如圖所示使用5kV的電壓，入射電子的擴(kuò)散區(qū)域較淺,、樣品表面的結(jié)構(gòu)顯露得清楚,。

                                     （a）30kV                                                                     （b）8kV

圖6 樣品：鋁合金，放大倍數(shù):×1500,，如圖所示使用高加速電壓時(shí),，樣品內(nèi)部的結(jié)構(gòu)物質(zhì)產(chǎn)生的散射電子增多，表面的微細(xì)結(jié)構(gòu)襯度欠缺,。另外,，樣品內(nèi)部物質(zhì)的不同襯度也顯露出來。

                                                   （a）30kV                                                                      （b）8kV

圖7 樣品：鋁合金（Zn MAP圖像）,，放大倍數(shù):×1500,，如圖所示使用高加速電壓時(shí)由于入射電子的擴(kuò)散區(qū)域增深，導(dǎo)致元素分布不清楚,。