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山東元?jiǎng)?chuàng)儀器有限公司>>實(shí)驗(yàn)室儀器設(shè)備>>實(shí)驗(yàn)室小型涂布機(jī)>> TR-LT-2單晶少子壽命測(cè)試儀

單晶少子壽命測(cè)試儀

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào) TR-LT-2
  • 品牌 其他品牌
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 所在地 濟(jì)寧市
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更新時(shí)間:2023-03-29 13:44:22瀏覽次數(shù):988

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濕度 < 80%
TR-LT-2型單晶少子壽命測(cè)試儀 是參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命,。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測(cè)量,,是半導(dǎo)體的常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之一,。

詳細(xì)介紹

單晶少子壽命測(cè)試儀 型號(hào): LT-2

單晶少子壽命測(cè)試儀


  是參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測(cè)量,,是半導(dǎo)體的常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之一,。本儀器靈敏度較高,配備有紅外光源,,可測(cè)量包括集成電路級(jí)硅單晶在內(nèi)的各種類(lèi)型硅單晶,,以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶,、多晶磷檢棒的壽命測(cè)量等。

   本儀器根據(jù)國(guó)際通用方法高頻光電導(dǎo)衰退法的原理設(shè)計(jì),,由穩(wěn)壓電源,、高頻源、檢波放大器,,特制的InGaAsp/InP紅外光源及樣品臺(tái)共五部份組成,。采用印刷電路和高頻接插連接。整機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊,、測(cè)量數(shù)據(jù)可靠,。
技 術(shù) 指 標(biāo) :

 測(cè)試單晶電阻率范圍 >2Ω.cm
 可測(cè)單晶少子壽命范圍 5μS~7000μS
 配備光源類(lèi)型 波長(zhǎng):1.09μm;余輝<1 μS,;
 閃光頻率為:20~30次/秒,;
 閃光頻率為:20~30次/秒;
 高頻振蕩源 用石英諧振器,,振蕩頻率:30MHz
 前置放大器 放大倍數(shù)約25,頻寬2 Hz-1 MHz
 儀器測(cè)量重復(fù)誤差 <±20%
 測(cè)量方式 采用對(duì)標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式
 儀器消耗功率 <25W
 儀器工作條件 溫度: 10-35℃,、 濕度 < 80%,、使用電源:AC 220V,50Hz
 可測(cè)單晶尺寸 斷面豎測(cè):φ25mm—150mm,; L 2mm—500mm,;
 縱向臥測(cè):φ25mm—150mm; L 50mm—800mm,;
 配用示波器 頻寬0—20MHz,;
 電壓靈敏:10mV/cm;


 


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