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半導(dǎo)體管特性圖示儀偏轉(zhuǎn)系數(shù)
半導(dǎo)體管特性圖示儀 型號：QT-2B
* QT-2B半導(dǎo)體管特性圖示儀可根據(jù)需要測量半導(dǎo)體二**管、三**管的低頻直流參數(shù),，**大集電**電流可達50A,，基本滿足功率500W以下的半導(dǎo)體管的測試。
* 本儀器還附有高壓的測試裝置,，可對5000V以下的半導(dǎo)體管進行擊穿電壓及反向漏電流測試,，其測試電流**高靈敏度達到0.5uA/度。
* 本儀器所提供的基**階梯信號還具有脈沖階梯輸出,，因此可擴大測量范圍及對二次擊穿特性的測量,。
* 本儀器帶階梯偏置電壓(△VB)， -6V～+6V連續(xù)可調(diào)。特別適宜大功率VMOS管測試,。
1. 集電**電流偏轉(zhuǎn)系數(shù)
a) 集電**電流范圍(Ic)： 1μA/度～5A/度,。按1、2,、5進制分21檔級,，各檔誤差不大于3％。
b) 二**管電流范圍(ID) ：1μA/度～500μA/度,。1,、2、5進制分9檔,，各檔誤差不大于3％,。
c) 集電**電流及二**管電流倍率×0.5，誤差不大于10％,。
d) 基**電流或基**源電壓0.1V/度,，誤差不大于3％。
2. 集電**電壓偏轉(zhuǎn)系數(shù)
a) 集電**電壓范圍(Uc)： 10mV/度～50V/度,。按1,、2、5進制分21檔級,，各檔誤差不大于3％,。
b) 二**管電壓范圍(UD)： 100V/度～500V/度。按1,、2,、5進制分3檔級，各檔誤差不大于10％,。
c) 基**電壓范圍(UBE)：10mV/度～1V/度按1,、2、5進制分7檔級,，各檔誤差不大于3％,。
d) 基**電流或基**源電壓:：0.05V/度，誤差不大于3％,。
3. 基**階梯信號
a) 階梯電流范圍(IB)： 10uA/度～200mA/度,。按1、2,、5進制分17檔級,，各檔誤差不大于5％。
b) 階梯電壓范圍(UB)： 50mV/度～1V/度,。按1,、2,、5進制分5檔級，各檔誤差不大于5％,。
c) 串聯(lián)電阻：0Ω,、10KΩ、100KΩ,，各檔誤差不大于10％,。
d) 階梯波形：分正常（100%）及脈沖二檔。脈沖階梯占空比調(diào)節(jié)范圍為10～40%,。
e) 每簇級數(shù)：0～10級,，連續(xù)可調(diào)。
f) 階梯偏置電壓(△VB)：-6V～+6V,，連續(xù)可調(diào),。
g) 階梯作用：分重復(fù)、關(guān),、單次三檔級,。
h) 階梯輸入：分正常、零電流,、零電壓三檔級。
i) 階梯**性：分正,、負二檔,。
4. 集電**掃描電壓
a) 輸出電壓與檔級： 0～10V 正或負連續(xù)可調(diào)
0～50V 正或負連續(xù)可調(diào)
0～50V 正或負連續(xù)可調(diào)
0～100V 正或負連續(xù)可調(diào)
0～500V 正或負連續(xù)可調(diào)
b) 輸出電流容量： 0～10V 50A（脈沖階梯工作狀態(tài)時）
0～10V 20A（平均值）
0～50V 10A（平均值）
0～100V 5A （平均值）
0～500V 0.5A（平均值）
c) 功耗限制電阻： 0～500KΩ 按1、2,、5進制分20檔級,，各檔誤差不大于10％。
d) 整流方式： 全波
e) 輸出**性： ＋,，－
f) 集電**容性電流,； 平衡后不超過2uA（10V檔）
g) 集電**漏電流； 平衡后不超過2uA（10V檔）
5. 二**管測試裝置
a) 輸出電壓： 0～5000V 正向連續(xù)可調(diào)
b) 輸出電流容量： **大為5mA
c) 整流方式： 半波
6. 其他
a) 適配器
高壓測試座,、三**管測試座,、 功率三**管測試座
b) 重量 約30kg。
c) 外形尺寸
300mm×408mm×520mm（W×H×D）,。
d) 功耗： 非測試狀態(tài)時： 約80VA,；
**大功率時： 約300VA。
e) 輸入電壓： 220V±10％,；
f) 頻率： 50HZ±5％,。
g) 示波管： 15SJ118-DC 有效工作面8×10cm。
h) 電磁兼容性
傳導(dǎo)干擾應(yīng)符合GB/T 6833.9中第1章的要求,。
輻射干擾應(yīng)符合GB/T 6833.10中第1章的要求,。
環(huán)境應(yīng)符合GB/T 6587.1中Ⅱ級儀器的規(guī)定,，運輸試驗按2級