您好, 歡迎來(lái)到化工儀器網(wǎng)
納米軟件關(guān)于集成電路測(cè)試的分類(lèi)介紹,，國(guó)內(nèi)集成電路測(cè)試服務(wù)企業(yè)
集成電路測(cè)試可以按照測(cè)試目的,、測(cè)試內(nèi)容,、按照器件開(kāi)發(fā)和制造階段分類(lèi),。參照需要達(dá)到的測(cè)試目的對(duì)集成電路測(cè)試進(jìn)行分類(lèi)，可以分為:驗(yàn)證測(cè)試,、制造測(cè)試,、老化測(cè)試,、入廠測(cè)試等。按照測(cè)試所涉及內(nèi)容,，集成電路測(cè)試可分為:參數(shù)測(cè)試,、功能測(cè)試、結(jié)構(gòu)測(cè)試等,。按照器件開(kāi)發(fā)階段分類(lèi),，測(cè)試主要分為:特征分析、產(chǎn)品測(cè)試,、可靠性測(cè)試,、來(lái)料檢查等。按照器件制造階段分類(lèi),，測(cè)試可分為:晶圓測(cè)試,、成品測(cè)試、質(zhì)量控制測(cè)試等,。下面納米軟件Namisoft小編帶大家一起來(lái)詳細(xì)看看吧,。
1,、按測(cè)試目的分類(lèi)
參照需要達(dá)到的測(cè)試目的對(duì)集成電路測(cè)試進(jìn)行分類(lèi)，可以分為:驗(yàn)證測(cè)試,、制造測(cè)試,、老化測(cè)試、入廠測(cè)試等,。
1),、驗(yàn)證測(cè)試
在新設(shè)計(jì)完成后要進(jìn)行驗(yàn)證測(cè)試,，測(cè)試合格再開(kāi)始批量化生產(chǎn)這是為了保證設(shè)計(jì)的正確性,，并且保證設(shè)計(jì)能夠滿足規(guī)范要求。在此階段進(jìn)行功能測(cè)試和交直流參數(shù)綜合測(cè)試,，檢查芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu),。驗(yàn)證測(cè)試完成后通常會(huì)得出一個(gè)完整的驗(yàn)證測(cè)試信息，如芯片的工藝特征描述,、電氣特征(DC參數(shù),、AC參數(shù)、電容,、漏電,、溫度等測(cè)試條件)、時(shí)序關(guān)系圖等,。邏輯設(shè)計(jì)和物理設(shè)計(jì)中的設(shè)計(jì)錯(cuò)誤也可以在此階段被診斷出和修正,。
2),、制造測(cè)試
芯片設(shè)計(jì)方案順利通過(guò)驗(yàn)證測(cè)試后就可以進(jìn)入制造階段，使用前面工序開(kāi)發(fā)的測(cè)試工序進(jìn)行制造測(cè)試,。這樣做是為了判斷被測(cè)芯片能否通過(guò)測(cè)試,，因此面向?qū)ο鬄槊總€(gè)芯片，此階段需重點(diǎn)考慮測(cè)試成本提高測(cè)試效率,。相對(duì)于驗(yàn)證測(cè)試,，制造測(cè)試并不全面，測(cè)試向量數(shù)量不用太多,，但需要足夠高的建模覆蓋率才能滿足質(zhì)量要求,。
3)、老化測(cè)試
老化測(cè)試是為了確保芯片老化后的可靠性而進(jìn)行的測(cè)試,。由于各款產(chǎn)品之間存在差異,，一些通過(guò)制造測(cè)試的芯片在投入實(shí)際使用時(shí)可能會(huì)在一定時(shí)間后失效，不能保證長(zhǎng)時(shí)間正常運(yùn)行工作,。老化測(cè)試分為靜態(tài)老化測(cè)試和動(dòng)態(tài)老化測(cè)試,。靜態(tài)老化測(cè)試是指在芯片供電時(shí)，提高芯片工作溫度,，測(cè)試芯片壽命,。而在此基礎(chǔ)上給芯片施加激勵(lì)的測(cè)試就是動(dòng)態(tài)老化測(cè)試。
4),、入廠測(cè)試
為了避免在一個(gè)整機(jī)系統(tǒng)中使用有缺陷的器件導(dǎo)致系統(tǒng)故障,，系統(tǒng)制造商需要在使用之前對(duì)購(gòu)入的器件進(jìn)行入廠測(cè)試。測(cè)試內(nèi)容與需求相關(guān),，可能比生產(chǎn)測(cè)試更全面,，也可能只在特定系統(tǒng)上進(jìn)行板級(jí)測(cè)試，或者對(duì)器件進(jìn)行隨機(jī)抽樣,，然后對(duì)樣本進(jìn)行入廠測(cè)試,。
2、按測(cè)試內(nèi)容分類(lèi)
按照測(cè)試所涉及內(nèi)容,，集成電路測(cè)試可分為:參數(shù)測(cè)試,、功能測(cè)試、結(jié)構(gòu)測(cè)試等,。
1),、參數(shù)測(cè)試
參數(shù)試分為直流(DC)參數(shù)和交流(AC)參數(shù)兩種測(cè)試DC參數(shù)的測(cè)試內(nèi)容包括開(kāi)路/短路、輸出驅(qū)動(dòng)電流,、漏極電流,、電源電流、轉(zhuǎn)換電平測(cè)試等[23],。AC參數(shù)的測(cè)試內(nèi)容包括傳輸延遲,、建立保持時(shí)間,、功能速度、存取時(shí)間,、刷新/等待時(shí)間,、上升/下降時(shí)間測(cè)試等
2)、功能測(cè)試
功能測(cè)試是指在特定的輸入向量下驗(yàn)證對(duì)應(yīng)的輸出響應(yīng),，用來(lái)驗(yàn)證設(shè)計(jì)者所需要的正確功能是否在芯片上實(shí)現(xiàn),。功能測(cè)試能夠在一定程度上覆蓋模型化故障(如固0和固1故障)。
3),、結(jié)構(gòu)測(cè)試
結(jié)構(gòu)測(cè)試是指觀察大規(guī)模數(shù)字系統(tǒng)原始輸出端口的內(nèi)部信號(hào)狀態(tài),。此類(lèi)測(cè)試與電路的特定結(jié)構(gòu)有關(guān)，如門(mén)類(lèi)型,、互連,、網(wǎng)表，但并不關(guān)注電路的功能,。在引腳信號(hào)變化的情況下,，結(jié)構(gòu)測(cè)試算法根據(jù)電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)來(lái)計(jì)算內(nèi)部節(jié)點(diǎn)的狀態(tài)變化和輸出引腳值的變化。常用的結(jié)構(gòu)測(cè)試方法包括掃描測(cè)試,、邊界掃描測(cè)試和內(nèi)建自測(cè)試,。
3、按照器件開(kāi)發(fā)和制造階段分類(lèi)
按照器件開(kāi)發(fā)階段分類(lèi),，測(cè)試主要分為:特征分析,、產(chǎn)品測(cè)試、可靠性測(cè)試,、來(lái)料檢查等,。
(1)特征分析：確保設(shè)計(jì)無(wú)誤以保證器件的性能指標(biāo)；
(2)產(chǎn)品測(cè)試：保證完成產(chǎn)品功能測(cè)試的情況下縮短測(cè)試時(shí)間,；
(3)可靠性測(cè)試：保證產(chǎn)品在規(guī)定使用時(shí)間內(nèi)正常工作,；
(4)來(lái)料檢查：確保系統(tǒng)生產(chǎn)過(guò)程中使用的所有設(shè)備正常工作且能滿足規(guī)格要求；
按照器件制造階段分類(lèi),，測(cè)試可分為:晶圓測(cè)試,、成品測(cè)試,、質(zhì)量控制測(cè)試等,。
1)、晶圓測(cè)試(Chip Probing)
晶圓測(cè)試又稱(chēng)中測(cè),，就是對(duì)代工之后的晶圓進(jìn)行測(cè)試,，其目的是在切割和封裝前剔除壞的裸片，以降低封裝和芯片成品的測(cè)試成本,。同時(shí),，可以統(tǒng)計(jì)器件的合格率及不合格器件在晶圓上的準(zhǔn)確位置,。此測(cè)試直接反映晶圓制造的合格率。
2),、成品測(cè)試(Final Test)
在集成電路的劃片,、鍵合、封裝和老化期間,，都可能損傷部分電路,。因此封裝及老化后，需對(duì)成品電路按照測(cè)試規(guī)范全面地進(jìn)行電路性能測(cè)試,，篩除次品，根據(jù)電路性能參數(shù)對(duì)良品進(jìn)行分類(lèi)，并統(tǒng)計(jì)所有級(jí)別的良品數(shù)量和性能參數(shù),，這項(xiàng)工作稱(chēng)為成品測(cè)試(又稱(chēng)終測(cè)),。品質(zhì)管理部可利用此數(shù)據(jù)進(jìn)行產(chǎn)品質(zhì)量管理，生產(chǎn)管理部則可用此數(shù)據(jù)來(lái)控制生產(chǎn)流程
3),、質(zhì)量控制測(cè)試
為了保證生產(chǎn)質(zhì)量,，對(duì)待出廠的產(chǎn)品要進(jìn)行抽樣檢驗(yàn)，以保證產(chǎn)品的合格率,。