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　　器件的I-V功能測(cè)試和特征分析是實(shí)驗(yàn)過(guò)程中經(jīng)常需要測(cè)試的參數(shù)之一，一般我們用到源表進(jìn)行IV參數(shù)的測(cè)試,，如果需要對(duì)測(cè)試的數(shù)據(jù)進(jìn)行實(shí)時(shí)IV曲線圖顯示及保存,，可以用到源表測(cè)試軟件NS-SourceMeter。本篇文章納米軟件Namisoft小編將為大家分享一下關(guān)于用源表測(cè)試IV參數(shù)的典型應(yīng)用及源表測(cè)試軟件,。

　　一,、各種器件的I-V功能測(cè)試和特征分析包括

　　1、分立和無(wú)源元件

　　兩端口器件——傳感器,、磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器頭,、金屬氧化物可變電阻（MOV）、二極管,、齊納二極管,、電容、熱敏電阻

　　三端口器件——小信號(hào)雙極結(jié)型晶體管（BJT）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）,，等等

　　2,、簡(jiǎn)單IC器件——光學(xué)器件、驅(qū)動(dòng)器,、開(kāi)關(guān),、傳感器、轉(zhuǎn)換器,、穩(wěn)壓器

　　3,、集成器件——小規(guī)模集成（SSI）和大規(guī)模集成（LSI）

　　模擬IC

　　射頻集成電路（RFIC）

　　專(zhuān)用集成電路（ASIC）

　　片上系統(tǒng)（SOC）器件

　　4、光電器件,，例如發(fā)光二極管（LED）,、激光二極管高亮度LED（HBLED）、垂直腔面發(fā)射激光器 （VCSEL）,、顯示器

　　5、圓片級(jí)可靠性

　　NBTI,、TDDB,、HCI,、電遷移

　　6、太陽(yáng)能電池

　　7,、電池

　　等等...

　　二,、NS-SourceMeter源表測(cè)試軟件IV特性測(cè)試應(yīng)用案例

　　這里以納米NS-SourceMeter源表軟件為例，用到軟件的掃描模塊進(jìn)行IV曲線的測(cè)試演示,。

　　◆試驗(yàn)參數(shù)設(shè)置界面

　　在此界面中進(jìn)行試驗(yàn)的具體參數(shù)設(shè)置,，選擇接線方式（二線法、四線法）,，掃描模式（從起點(diǎn)到終點(diǎn)單項(xiàng)掃描,、從起點(diǎn)到終點(diǎn)循環(huán)掃描、從零點(diǎn)開(kāi)始循環(huán)掃描）,，傳感器模式,、輸出測(cè)試通道（通道、輸出類(lèi)型,、起點(diǎn)電壓,、終點(diǎn)電壓、掃描步長(zhǎng),、電流限制,、測(cè)量間隔、循環(huán)間隔,、循環(huán)次數(shù)）,，如下圖所示。

　　◆ 運(yùn)行測(cè)試界面（舉例說(shuō)明）

　　測(cè)試內(nèi)容：伏安特性曲線（900KΩ）

　　測(cè)量結(jié)果：源表會(huì)根據(jù)改模塊配置,，如掃描模式（從起點(diǎn)到終點(diǎn)單項(xiàng)掃描）,，傳感器模式（關(guān)閉），通道（CH1）,，輸出類(lèi)型（電壓輸出）,，起點(diǎn)電壓（0.10V）,終點(diǎn)電壓（10.00V），掃描步長(zhǎng)（0.10）,、電流限制（1.00A）,，測(cè)量間隔（0.01S），循環(huán)間隔（0.10S）,循環(huán)次數(shù)（1.00次）進(jìn)行掃描,，如下圖所示,。

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