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MHY-29256型率場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀,,是種新穎的數(shù)字顯示式率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試裝置,,可用于標(biāo)稱(chēng) 電約在2-85A,,率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)率場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試,。它可以準(zhǔn)確測(cè)量擊穿電壓 VDSS,、柵開(kāi)啟電壓VGS(th)和放大性參數(shù)跨導(dǎo)Gfs
場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀/MOS管測(cè)試儀 型號(hào):MHY-29256
,、MHY-29256場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀/MOS管測(cè)試儀概述
MHY-29256型率,是種新穎的數(shù)字顯示式率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試裝置,,可用于標(biāo)稱(chēng) 電約在2-85A,,率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)率場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試。它可以準(zhǔn)確測(cè)量擊穿電壓 VDSS,、柵開(kāi)啟電壓VGS(th)和放大性參數(shù)跨導(dǎo)Gfs,尤其是跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試電可以達(dá)到50A,,由于采 用脈沖電測(cè)試法,,即使在大電測(cè)試時(shí)也不會(huì)對(duì)被測(cè)器件成何損壞,更可以在大電狀態(tài)下對(duì)場(chǎng)效 應(yīng)管行參數(shù)*性的測(cè)試(配對(duì)),;儀器可用于同等電等的IGBT參數(shù)的測(cè)量,;儀器還是臺(tái)性 能十分的電子元器件耐壓測(cè)試裝置,其測(cè)試耐壓時(shí)的漏電有1mA,、250uA,、25uA 三擋可以選擇。儀器 主要用于率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn),、參數(shù)的配對(duì)及其它電子元器件的耐壓測(cè)試之用,。儀器分N溝導(dǎo)型 測(cè)試儀和P溝導(dǎo)型測(cè)試儀兩種。儀器外型美觀,、性能穩(wěn)定,、測(cè)量準(zhǔn)確、操作簡(jiǎn)單,、使用安方便,。
二、主要性能
1,、擊穿電壓VDSS測(cè)量范圍: 0—1999V,, 度:≤2.5% 。
2、IDSS可分三擋選擇: 1mA,、250uA,、25uA 。
3,、柵開(kāi)啟電壓VGS(th) 測(cè)量范圍: 0—10V,。 度:≤5% 。
4,、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試電Idm:不小于1—50 A連續(xù)可調(diào),, 度:≤10 % 。
5,、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試范圍:1—100 ,。
三、主要測(cè)試能
1,、率場(chǎng)效應(yīng)管的擊穿電壓VDSS,、柵開(kāi)啟電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試,。
2,、IGBT的擊穿電壓V(BR)ces、柵開(kāi)啟電壓VGE(th),、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試,。
3、率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT在50A以下的意電狀態(tài)下*性的測(cè)試,,可用于配對(duì),。
4、對(duì)其它更大電和率的場(chǎng)效應(yīng)管及IGBT的測(cè)試:(見(jiàn)下面介紹),。
5,、各類(lèi)晶體三管、二管,、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測(cè)試,。
6、壓敏電阻電壓的測(cè)試等,。
四,、測(cè)試盒與測(cè)試線
1、利用測(cè)試盒可以方便的測(cè)試TO-126,、TO-220,、TOP-3等類(lèi)似封裝的率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。
2,、利用測(cè)試線可以測(cè)量其它金屬類(lèi),、模塊類(lèi)等封裝形式的率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。