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| 產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) |
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
SDM2000個(gè)人劑量?jī)x以半導(dǎo)體探測(cè)器作為X,、γ探測(cè)器件，能夠測(cè)量有X,、γ輻射引起的個(gè)人累積劑量當(dāng)量和劑量當(dāng)量率,。劑量和劑量率數(shù)據(jù)均可由LCD直接顯示讀出。劑量?jī)x可預(yù)置劑量和劑量率報(bào)警閾值,，超閾時(shí)發(fā)出聲,、光報(bào)警?？杀４婀ぷ鹘Y(jié)束時(shí)的測(cè)量數(shù)據(jù),，斷電情況下數(shù)據(jù)不丟失。劑量?jī)x自動(dòng)檢測(cè)電池電壓,，欠壓時(shí)可顯示欠壓符號(hào),。 儀器主要技術(shù)指標(biāo)符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，它廣泛適用于工業(yè)無(wú)損探傷,、核電站,、同位素應(yīng)用和醫(yī)院鈷治療等領(lǐng)域。
SDM2000個(gè)人劑量?jī)x特點(diǎn):
a,、儀器靈敏度高,，對(duì)環(huán)境本底亦有響應(yīng)
b、采用單片機(jī)技術(shù),，功能多,，體積小
c、儀器操作簡(jiǎn)單，使用方便
d,、累積劑量,、劑量率切換顯示
e、抗電磁*力強(qiáng)
技術(shù)指標(biāo)：
1,、探測(cè)器： 硅半導(dǎo)體探測(cè)器
2,、測(cè)量顯示范圍:劑量率: 0.1 μSv/h~999.9 mSv/h;累計(jì)劑量: 0.0 μSv~9999 mSv
3、報(bào)警閾:劑量率: 1 μSv/h~1 Sv/h之間連續(xù)可調(diào);累計(jì)劑量: 1 μSv~10 Sv之間連續(xù)可調(diào)
4,、報(bào)警功能:以聲(蜂鳴器),、光(LED)及LCD指示進(jìn)行累積劑量及劑量率超閾、電池欠壓,、工作超時(shí)和探測(cè)器失效報(bào)警,。可設(shè)置不同累積劑量增量提示聲音(聲響強(qiáng)度 > 80dB, 距劑量?jī)x30cm處),。
5,、能量響應(yīng):＜±20%（48 keV ~ 1.5 MeV）
6、線性誤差：1 μSv/h ~ 1 Sv/h,，≤15%,。
7、抵沖擊和振動(dòng)：符合IEC1283標(biāo)準(zhǔn)要求
8,、過(guò)載特性：大于20 Sv/h
9,、電 源:AA型3.6V電池一節(jié)，電池壽命 >1000小時(shí) (50 mSv/年,1.8 Ah),。
10,、欠壓指示：當(dāng)電池電壓≤3.1±0.1V時(shí)，顯示欠壓,。