EBAC（Electron Beam Absorbed Current）
RCI（Resistive Contrast Imaging）
芯片工藝進(jìn)入 55 納米/65 納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)后,，EBAC 技術(shù)被引入并得到迅速發(fā)展。現(xiàn)如今,，EBAC,、RCI已成為芯片失效分析（failure analysis, FA）的主要工具之一，用于IC線路的短路,，斷路,，高阻缺陷的隔離和精確定位。
原理：
為了探測芯片的特定電路區(qū)域,，EBAC 系統(tǒng)配備了納米探針和掃描電子顯微鏡 (SEM),。當(dāng)電子束（primary electron beam）穿透樣品表面時(shí)，電子流可通過金屬探針所吸收,，經(jīng)放大器放大,，并通過SEM形成 EBAC 圖像。
電子流的穿透深度取決于掃描電鏡的加速電壓（acceleration voltage）和樣品的材料特性,。電子束吸收電流流入金屬/通孔（Metal/Via）結(jié)構(gòu),，然后由探頭測量。如果金屬/通孔鏈斷裂或打開,，則可通過疊加在SEM圖像上的EBAC圖像的突然變化來精確定位定位,。
對于某些高電阻結(jié)構(gòu)（部分于通孔連接），單個(gè)探針無法定位此類缺陷,。因此,，在 EBAC 技術(shù)中需要兩個(gè)探頭，即電阻對比成像（Resistive contrast imaging,，RCI）,。
結(jié)果：
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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