CH維克托VISHAY 電容
兩個(gè)相互靠近的導(dǎo)體,，中間夾一層不導(dǎo)電的絕緣介質(zhì)，就構(gòu)成了電容器。當(dāng)電容器的兩個(gè)極板之間加上電壓時(shí),，電容器就會(huì)儲(chǔ)存電荷,。電容器的電容量在數(shù)值上等于一個(gè)導(dǎo)電極板上的電荷量與兩個(gè)極板之間的電壓之比。電容器的電容量的基本單位是法拉（F）,。在電路圖中通常用字母C表示電容元件

CH維克托VISHAY 電容CH維克托VISHAY 電容

 

電容器主要參數(shù)

編輯

(1)標(biāo)稱電容量，為標(biāo)志在電容器上的電容量,。但電容器實(shí)際電容量與

電容充電過(guò)程

標(biāo)稱電容量是有偏差的,，精度等級(jí)與允許誤差有對(duì)應(yīng)關(guān)系。一般電容器常用Ⅰ,、Ⅱ,、Ⅲ級(jí)，電解電容器用Ⅳ,、Ⅴ,、Ⅵ級(jí)表示容量精度，根據(jù)用途選取,。電解電容器的容值,，取決于在交流電壓下工作時(shí)所呈現(xiàn)的阻抗，隨著工作頻率,、溫度,、電壓以及測(cè)量方法的變化，容值會(huì)隨之變化,。電容量的單位為F（法）,。 [4] 

電容器既然是一種儲(chǔ)存電荷的“容器”，就有“容量”大小的問(wèn)題,。為了衡量電容器儲(chǔ)存電荷的能力,，確定了電容量這個(gè)物理量。電容器必須在外加電壓的作用下才能儲(chǔ)存電荷,。不同的電容器在電壓作用下儲(chǔ)存的電荷量也可能不相同,。上統(tǒng)一規(guī)定,，給電容器外加1伏特直流電壓時(shí)，它所能儲(chǔ)存的電荷量,，為該電容器的電容量（即單位電壓下的電量）,，用字母C表示。電容量的基本單位為法拉（F）,。在1伏特直流電壓作用下,，如果電容器儲(chǔ)存的電荷為1庫(kù)侖，電容量就被定為1法拉,，法拉用符號(hào)F表示,，1F=1Q/V。在實(shí)際應(yīng)用中,，電容器的電容量往往比1法拉小得多，常用較小的單位,，如毫法（mF）,、微法(μF)、納法（nF）,、皮法(pF)等,，它們的關(guān)系是：1微法等于百萬(wàn)分之一法拉；1皮法等于百萬(wàn)分之一微法,，即： [5] 

1法拉(F)=1000毫法(mF),；1毫法(mF)=1000微法(μF)；1微法(μF)=1000納法（nF）,；1納法（nF）=1000皮法(pF),；即：1F=1000000μF；1μF=1000000pF,。 [5] 

(2)額定電壓,，為在低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的直流電壓。如果工作電壓超過(guò)電容器的耐壓,，電容器將被擊穿,，造成損壞。在實(shí)際中,，隨著溫度的升高,，耐壓值將會(huì)變低。 [4] 

(3)絕緣電阻,。直流電壓加在電容上,，產(chǎn)生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻,。當(dāng)電容較小時(shí),，其值主要取決于電容的表面狀態(tài),；容量大于0.1μF時(shí)，其值主要取決于介質(zhì),。通常情況,，絕緣電阻越大越好。 [4] 

(4)損耗,。電容在電場(chǎng)作用下,，在單位時(shí)間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量稱做損耗。損耗與頻率范圍,、介質(zhì),、電導(dǎo)、電容金屬部分的電阻等有關(guān),。 [4] 

(5)頻率特性,。隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律,。當(dāng)電容工作在諧振頻率以下時(shí),，表現(xiàn)為容性；當(dāng)超過(guò)其諧振頻率時(shí),，表現(xiàn)為感性,，此時(shí)就不是一個(gè)電容而是一個(gè)電感了。所以一定要避免電容工作于諧振頻率以上,。 [4]