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更新時(shí)間:2025-02-06 16:17:42
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高分辨率磁光克爾顯微鏡
當(dāng)一束線偏振光照被磁性介質(zhì)反射后,,反射光的偏振面相對(duì)于入射光的偏振面有一個(gè)小的角度偏轉(zhuǎn)(克爾旋轉(zhuǎn)角),,這一現(xiàn)象被稱(chēng)為磁光克爾效應(yīng),。該效應(yīng)與顯微成像技術(shù)結(jié)合組成磁光克爾顯微鏡,,被廣泛應(yīng)用于磁性材料磁性測(cè)量,磁疇觀察等,。 高分辨率磁光克爾顯微鏡可進(jìn)行無(wú)損探測(cè),、靈敏度高、在不好的環(huán)境下原位測(cè)量等優(yōu)點(diǎn)是被越來(lái)越多的科研人員采用,。
為滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求昊量光電推出了高性?xún)r(jià)比的磁光克爾顯微鏡,。其主要原理是:一束面光源經(jīng)過(guò)起偏器,,轉(zhuǎn)變?yōu)榫€偏振光,,照射到樣品上,,由于樣品內(nèi)磁疇的存在使樣品各個(gè)區(qū)域內(nèi)磁化強(qiáng)度和方向不同,,因此不同區(qū)域?qū)€偏振光,,偏振面的改變各不相同,。因此當(dāng)反射光通過(guò)檢偏器后光斑的強(qiáng)度分布不同,,從而得到樣品的磁疇結(jié)構(gòu),。
為了獲得更高的靈敏度,,優(yōu)異的磁疇成像效果等該系統(tǒng)做了以下優(yōu)化。
1)采用高亮度窄帶LED光源,。
盡管理論上磁光克爾效應(yīng)的對(duì)比度可以無(wú)限高,,但是多個(gè)波長(zhǎng)偏振像差的組合通常會(huì)大大降低偏振的純度,。因此傳統(tǒng)的克爾顯微鏡經(jīng)常報(bào)道磁光克爾對(duì)比度幾乎觀察不到,。一個(gè)主要的原因就是因?yàn)槭褂脤捵V的照明光源,。因?yàn)榇殴庑?yīng)引起的克爾旋轉(zhuǎn)量與光源波長(zhǎng)數(shù)量成反比,,寬譜光源會(huì)產(chǎn)生相同寬譜的線偏振,也就是說(shuō),,光偏振不是好的線性,,觀察到的磁對(duì)比度也會(huì)降低,。
因此為了克服由于光源帶來(lái)的相差,,我們經(jīng)過(guò)多組測(cè)試,,選取了FWHM為50nm的超亮LED光源,,可獲得很強(qiáng)的對(duì)比度,,并且擁有較高的使用壽命,。
2)圖像自動(dòng)校正功能
通常為了獲得較弱磁性材料的對(duì)比度,,市面上磁疇觀察設(shè)備通常會(huì)采用圖像差分處理來(lái)獲得較高對(duì)比度,,即使用拍攝到的圖像減去背底圖片,。該方法通常可以將信號(hào)增強(qiáng)10倍以上,。但是由于在施加磁場(chǎng)的過(guò)程中樣品的位置會(huì)發(fā)生偏移,,會(huì)大大影響差分處理效果,,甚至出現(xiàn)錯(cuò)誤,。為了消除樣品的移動(dòng),,設(shè)備會(huì)通過(guò)快速像素相位算法確定樣品漂移,,然后通過(guò)壓電促動(dòng)器實(shí)時(shí)校正位置。同時(shí)該幀位移的圖像在軟件中也會(huì)實(shí)時(shí)修正,,校正后的圖像位移量不大于0.2個(gè)像素(8nm)
3)特殊設(shè)計(jì)的電磁鐵
通常磁疇觀察顯微鏡中的電磁鐵設(shè)計(jì)是一個(gè)具有挑戰(zhàn)性的話題,必須要有一些取舍。為了獲得較高的分辨率,,因此要使用大倍率的物鏡,,放置在靠近樣品的位置。這對(duì)電磁鐵強(qiáng)加以一個(gè)空間限制,,并限制了生產(chǎn)磁場(chǎng)的強(qiáng)度,。其次,磁鐵產(chǎn)生的磁通量會(huì)通過(guò)物鏡,,引起法拉第效應(yīng),,從而降低成像對(duì)比度。
我們通過(guò)革新的磁通量閉合式設(shè)計(jì)從而巧妙的解決了這兩個(gè)問(wèn)題,。通過(guò)對(duì)電磁鐵的磁場(chǎng)測(cè)量,,我們可以發(fā)現(xiàn),,磁鐵的磁場(chǎng)提高了4倍,,但是通過(guò)物鏡的磁場(chǎng)強(qiáng)度卻降低了8倍,。產(chǎn)生磁場(chǎng)的均勻性在4mm范圍內(nèi)也達(dá)到了0.5%的水平,。
4)高靈敏度,,高分辨率成像相機(jī)
對(duì)于磁光克爾顯微鏡,樣品反射的光通過(guò)檢偏器,,僅僅只有百分之一的入射光達(dá)到相機(jī)傳感器,。因此對(duì)于磁疇成像系統(tǒng),相機(jī)的靈敏度就體現(xiàn)的尤為重要,。因此為了達(dá)到成像效果,我們選取了再該波段下量子效率高達(dá)78%,,并且具有20兆像素的背照式相機(jī),。從而獲得高分辨率,,高信噪比的圖像。
此外該設(shè)備不但可以獲得樣品磁疇圖片,,還可以根據(jù)樣品磁疇圖像同時(shí)獲得樣品的磁滯回線分析,。
高分辨率磁光克爾顯微鏡產(chǎn)品參數(shù):
Light source | 2200 Lumens ultrabright LED lamp |
Camera | 6.4 Megapixel @ 60FPS >78% Quantum efficiency |
Resolution | 300nm |
Magnetic Field | 1T(Perpendicular)/0.5T(Longitudina) |
Power Requirement | 230VAC ± 10%, 13Amp Single Phase |
Size / Weight | Main System: 60 x 50 x 1500px, 25kg Power Supply Tower: 60 x 60 x 750px, 10kg |
實(shí)例:
1)1nm CoFeB磁性薄膜
2)4種灰度:垂直磁化磁隧道結(jié)多級(jí)磁疇(4 shades of grey: Multilevel stripe domains on a perpendicularly magnetized magnetic tunnel junction stack)
3)[Pt/Co/Fe/Ir]x2 堆棧手性磁疇(Chiral stripes (and skyrmions)on a [Pt/Co/Fe/Ir]x2 stack)
4)Heusler 合金薄膜中的垂直磁化的磁疇反轉(zhuǎn)(Domain reversal in a perpendicularly magnetized Heusler alloy thin film)
5)同時(shí)施加磁場(chǎng)和電流
6)電流誘導(dǎo)的磁疇遠(yuǎn)動(dòng)的準(zhǔn)實(shí)時(shí)觀測(cè)
7)CoFeB多層材料退磁過(guò)程的實(shí)時(shí)觀測(cè)
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