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更新時間：2025-02-24 13:43:19
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Seeback塞貝克效應測量系統(tǒng)
塞貝克（Seeback）熱電效應測量系統(tǒng)是用來精確測量導電物質(zhì),、金屬,、有機導體和半導體的塞貝克系數(shù)的儀器。該設備樣品臺附加在焦耳-湯姆遜制冷臺上可以提供70K-730K的變溫范圍,。擁有的溫度穩(wěn)定系和重現(xiàn)性,，分辨率可達到0.01K。擁有*的塞貝克系數(shù)測量精度及穩(wěn)定性,，精度可達到50nV,。易于測量兩樣品，測量樣品包含金屬或者是薄膜
塞貝克系數(shù)測量儀,、塞貝克熱電效應測量系統(tǒng), Seeback Measurement Systems
Seeback塞貝克效應測量系統(tǒng)
賽貝克熱電效應(Seeback)是指在兩種不同導體組成的閉合電路中,，如果兩個接點的溫度不同，則兩接點間會有電動勢產(chǎn)生,。塞貝克系數(shù)測量儀是用來精確測量導電物質(zhì)、金屬,、有機導體和半導體的塞貝克系數(shù)的儀器,。塞貝克(Seeback)系數(shù)測量儀主要包括塞貝克效應控制器、塞貝克樣品臺,、溫度控制器三部分,。
賽貝克(Seeback)平臺依附在制冷臺上可以提供70K-730K和室溫-730K的變溫范圍，結合溫度控制器AUK2000可提供精確的溫度控制與測量并且擁有*的穩(wěn)定性和重復性,。該系統(tǒng)控溫精度可達到±0.1K,，分辨率可達到±0.01K，對溫度的響應速度可達到1K/s,。
賽貝克系數(shù)測量儀的工作原理大致如下,，在賽貝克樣品臺上包含兩組熱電偶，一組是銅和已知熱電屬性的參考材料構成,，一組是銅與待測樣品組成(如下圖所示),。其中一個接點為參考點,，另一個接點為工作點。當參考點與工作接點有溫差時就可以分別探測到兩端電壓V1和V2,。即
(1). V1=e1DT(P); (2). V2=e2DT(P); 所以(3).e1=e2 V1/ V2 ,。由于這種直接測量不會有很高的精度，因為儀器工作時會有儀器誤差,、電線和連接點帶來的熱電效應和測量誤差,。為了消除這些誤差分別在兩個不同輸入功率下進行測量即：(4).V1(P1)= e1DT(P1)+ D V1 ; (5).V2(P1)=e2DT(P1)+ D V2 ; D V1 D V2 位系統(tǒng)誤差電壓（與溫度無關）。(6). V1(P2)= e1DT(P2)+ D V1 ,；(7). V2(P2)= e2DT(P2)+ D V2 ,。消除系統(tǒng)誤差即可得到e1=e2[V1(P1)- V1(P2)]/[ V2(P1)- V2(P2)]，系統(tǒng)誤差得到消除,。
塞貝克效應的測量通過塞貝克控制器AUK1000來實現(xiàn)的,。其結構緊湊小巧，可通過R232或者USB接口與電腦連接,，并通過軟件完成測試,。塞貝克數(shù)字控制器可實時對電壓進行測量并提供高精度和高重現(xiàn)性的測量,，精度可達到50nV,。
u 主要特點
u 主要應用
塞貝克系數(shù)測量儀是用來精確測量導電物質(zhì)、金屬,、有機導體和半導體的塞貝克系數(shù),。
u 主要參數(shù)
Maximum Operating Temperature | 70K to 730K |
Temperature Stability | ±0.1K |
Resolution for Measurements: | 50nV (1000G, 300G, 100G and 30G Amplifiers available) |
Power to Heat ample: | Generates a temperature difference across sample, power available Min: 0.01W, Max: 1W |
Data Output Options: | Reports can be generated directly through the Software Suite. Exporting data to PNG, JPG, TXT and CSV options available |
Sample Length | >2 mm and <10 mm |
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