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更新時(shí)間：2025-02-24 13:43:19
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磁疇觀測(cè)克爾顯微鏡
Neoark磁疇觀測(cè)顯微鏡是通過磁光克爾效應(yīng)來測(cè)量磁疇結(jié)構(gòu)。Neoark磁疇觀測(cè)顯微鏡對(duì)極向/縱向磁光克爾效應(yīng)都十分靈敏,，因此成為磁性微結(jié)構(gòu)觀測(cè)的理想工具,。該系統(tǒng)光源為100W的汞燈通過偏振片產(chǎn)生線偏振光，結(jié)合偏光顯微鏡使磁疇觀測(cè),，使其空間分辨率可以達(dá)到1mm,，在實(shí)際測(cè)量時(shí)可達(dá)到1mm以下，非常有利于磁性微結(jié)構(gòu),。采用雙極電磁鐵產(chǎn)生外磁場(chǎng),，zui大可提供10KOe的外加磁場(chǎng)。
磁疇觀測(cè)系統(tǒng),、磁疇觀測(cè)顯微鏡,、克爾顯微鏡、Magnetic Domain Observation Microscope,、磁疇觀察顯微鏡,、磁疇觀測(cè)克爾顯微鏡
當(dāng)一束線偏振光照被磁性介質(zhì)反射后，反射光的偏振面相對(duì)于入射光的偏振面有一個(gè)小的角度偏轉(zhuǎn)（克爾旋轉(zhuǎn)角）,，這一現(xiàn)象被稱為磁光克爾效應(yīng),。是通過縱向/極向磁光克爾效應(yīng)來測(cè)量磁疇結(jié)構(gòu)。磁疇的存在導(dǎo)致了內(nèi)部磁化強(qiáng)度的區(qū)域分布不同,，由于磁光克爾效應(yīng)的影響,，導(dǎo)致了反射光光斑內(nèi)與材料內(nèi)部磁化區(qū)域相對(duì)應(yīng)的反射區(qū)域偏振態(tài)不同，偏振光經(jīng)過檢偏器后光斑的強(qiáng)度分布不同,，從而得到磁疇結(jié)構(gòu),。
磁疇觀測(cè)顯微鏡采用100W的汞燈做為光源，經(jīng)過起偏器產(chǎn)生線偏振光作用于磁性材料,，結(jié)合偏振顯微鏡觀測(cè),，觀測(cè)空間分辨率可達(dá)到1mm。在實(shí)際的測(cè)量中分辨率甚至可達(dá)到1mm以下,，這非常有利于對(duì)微小區(qū)域磁性的觀察,。因此該磁疇觀測(cè)系統(tǒng)成為磁性微結(jié)構(gòu)的理想觀測(cè)系統(tǒng)。
還可以觀測(cè)動(dòng)態(tài)磁疇的變化,。MOKE磁疇觀測(cè)顯微鏡裝配基礎(chǔ)觀測(cè)軟件和Flame movie 軟件可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)的可選擇的磁場(chǎng)變化下磁疇圖像的連續(xù)觀測(cè),。采用雙極電磁鐵，可以提供的外加磁場(chǎng)強(qiáng)度高達(dá)10KOe,。此外可以選配多種電磁體：四極磁體,、偶極磁體以及螺線管磁體,。外加磁場(chǎng)可以實(shí)現(xiàn)任意的磁場(chǎng)波形控制，能夠輕松地在樣品表面產(chǎn)生各種復(fù)雜的磁場(chǎng),。
上海昊量光電設(shè)備有限公司的磁疇觀測(cè)顯微鏡可分為兩類：
①常規(guī)條件的磁疇觀測(cè)系統(tǒng)
該類型的主要包含BH-786系列和BH-785iPWF6,。該系列使用的光源為汞燈，可以從極向和縱向?qū)Υ女犨M(jìn)行觀測(cè),，并可以隨意切換觀測(cè)方向,。采用白光觀測(cè)，使得標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的空間分辨率可到達(dá)1mm（´50倍物鏡）.
②條件的磁疇觀測(cè)設(shè)備（低溫高溫下）
該設(shè)備是用于變溫條件下磁疇的觀察,。主要包含BH-7850系列,。該克爾顯微鏡可以從極向/縱向兩個(gè)方向進(jìn)行觀測(cè)?？梢詫?shí)現(xiàn)在極低溫度條件下的磁疇觀測(cè),，測(cè)試溫度范圍可達(dá)到2.2-500K。
u 主要特點(diǎn)
u 主要應(yīng)用
磁性材料,、磁性薄膜磁疇的動(dòng)態(tài)靜態(tài)觀測(cè)等,。
u 產(chǎn)品主要參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào) 主要參數(shù) | BH-786IP | BH-786IWF8 | BH-786iP-12 | BH-785iPWF6 | BH-7850 series（條件） |
光源 | 汞燈 | ||||
空間分辨率 | ´20倍物鏡 2.5mm | 面內(nèi) 1mm | 面內(nèi) 1.5mm | 面內(nèi) 1.5mm | ´20倍物鏡 2.5mm |
´50倍物鏡 1.0mm |
| 極向 0.9mm |
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觀測(cè)面積 | ´20倍物鏡 250´175mm |
| ´20倍物鏡 250´200mm | ´20倍物鏡 250´200mm | ´20倍物鏡 250´200mm |
´50倍物鏡 100´70mm | ´50倍物鏡 100´75mm |
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可產(chǎn)生磁場(chǎng) | >±10kOe=1T | >±0.2T |
| >±0.2T | >±0.2T |
可測(cè)樣品大小 | 5´5´1tmm ~10´10´1tmm | 8英寸wafer | 5´5~20´20mm 1mmt | 6英寸wafer |
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工作溫度 | 20℃~25℃ | 2.2~500K | |||
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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