高精度納米級壓電位移平臺“PIEZOCONCEPT”!
--半導(dǎo)體界后摩爾時代的手術(shù)刀,。
第三代半導(dǎo)體是后摩爾時代實現(xiàn)芯片性能突破的核心技術(shù)之一,,*性能和廣泛的下游應(yīng)用使相關(guān)廠商存在良好發(fā)展前景。隨著下游終端需求改善,,下游結(jié)構(gòu)升級及國產(chǎn)替代是半導(dǎo)體界發(fā)展的趨勢,。然而運動控制核心部件對于眾多產(chǎn)業(yè)布局,往往起到了關(guān)鍵性作用,;高精度納米級壓電位移平臺,,仍然是眾多企業(yè)亟不可待的關(guān)鍵產(chǎn)品。
昊量光電推出“PIEZOCONCEPT”公司高精度納米級壓電位移平臺系列產(chǎn)品,,它的產(chǎn)品猶如一把手術(shù)刀,,具備精確、鋒利,、專業(yè),、值得信任的特點;它代表著高精度,、高穩(wěn)定性,、高響應(yīng)速度、高抗疲勞性,。
下面對“PIEZOCONCEPT”產(chǎn)品進(jìn)行詳細(xì)的介紹:
1.PIEZOCONCEPT單軸位移平臺
PIEZOCONCEPT單軸位移平臺產(chǎn)品是可以在單個維度上提供精確定位的產(chǎn)品,主要包含X軸壓電平臺,、Z軸壓電平臺,、物鏡掃描臺、快速反射鏡,。
X軸產(chǎn)品圖片
Z軸產(chǎn)品圖片
一維掃描平臺
一維快反鏡
2.PIEZOCONCEPT兩軸位移平臺
兩軸壓電平臺可以提供兩個維度上的平移或偏轉(zhuǎn),,主要包括XY二維壓電納米位移臺和二維快反鏡,。
XY軸壓電平臺
二維快反鏡
3.PIEZOCONCEPT三軸位移平臺
XYZ軸壓電平臺
4. PIEZOCONCEPT位移臺 du特優(yōu)勢
昊量光電推出“PIEZOCONCEPT”高精度單軸、雙軸,、三軸納米級壓電位移臺,、物鏡掃描臺、快反鏡系列產(chǎn)品,;該壓電平臺以壓電陶瓷為驅(qū)動,,采用了柔性鉸鏈連接的方法,具備精確導(dǎo)向性,、高穩(wěn)定性,、高抗疲勞性的特點,同時搭配高精度硅基位移傳感器,、16Bit高分辨率高速控制器,,具有高響應(yīng)速度,亞納米級的分辨率,,超低底噪(10-50pm)和超高線性度(0.02%),,廣泛應(yīng)用于高精密位移領(lǐng)域,包括但不局限于半導(dǎo)體領(lǐng)域,。
功能的du特優(yōu)勢包括:
亞微米級別的重復(fù)定位精度
穩(wěn)定性遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于同類產(chǎn)品
0-1500微米級的移動范圍
傳統(tǒng)壓電位移臺的特點 | PIEZOCONCEPT壓電位移臺的優(yōu)勢 |
-分辨率的局限 | 高分辨率:0.005nm/urad(Max) |
-有限的運動軌跡范圍,,平均0-300um移動范圍 | 0-1500um移動范圍 |
-較低線性度 | 超高線性度(0.02%) |
-位移傳感器存在差異(以電容傳感器為主),鉸鏈存在無效運動 | 采用高精度硅基位移傳感器與柔性鉸鏈具備高可靠,、長壽命 |
-較高的底噪
|
超低底噪(10-50pm) |
-速度的局限 |
超高速:諧振頻率7000Hz(Max)
|
5.PIEZOCONCEPT使用什么類型的傳感器,?為什么它優(yōu)于其他傳感器技術(shù)?
PIEZOCONCEPT使用單晶硅傳感器,,稱為硅基位移傳感器,。盡管它是應(yīng)變傳感器大家族的一部分,但它優(yōu)于其他兩種常用傳感器(電容式傳感器和金屬應(yīng)變傳感器),。這兩種傳感器與PIEZOCONCEPT單晶硅傳感器相比都有明顯的缺點,。
電容式傳感器與PIEZOCONCEPT硅基位移傳感器相比,對以下方面很敏感:
•氣壓變化:空氣的介電常數(shù)取決于氣壓,。測量將受到任何壓力變化的影響,。
•溫度變化:空氣的介電常數(shù)也會隨溫度變化。
•污染物的存在,。
以上所有這些都會導(dǎo)致納米級的一些不穩(wěn)定性,,即使可以對空氣壓力和溫度進(jìn)行校正,也不可能校正其它因素(污染物,、排氣)的影響,。這解釋了電容式傳感器在真空環(huán)境中性能不佳的原因。此外,,電容傳感器非常昂貴和笨重,。硅HR傳感器技術(shù)是一種固態(tài)技術(shù),,它的電阻不依賴于空氣壓力或污染物的存在。其次,,雖然溫度變化對測量有影響(主要是因為材料的熱膨脹),,但這可以通過使用傳感器陣列進(jìn)行校正?;旧?,PIEZOCONCEPT在每個軸上使用兩個平行的硅傳感器,一個用于測量,,另一個用于考慮溫度變化引起的材料膨脹,。
6.金屬應(yīng)變傳感器與PIEZOCONCEPT硅基位移傳感器的比較。
金屬應(yīng)變傳感器和PIEZOCONCEPT硅基位移傳感器之間的差異更大,。
第1個區(qū)別是應(yīng)變系數(shù):半導(dǎo)體應(yīng)變傳感器(硅基位移傳感器)的應(yīng)變系數(shù)大約是金屬應(yīng)變傳感器的100倍,。更高的應(yīng)變系數(shù)導(dǎo)致更高的信噪比,zui終導(dǎo)致更高穩(wěn)定性,。
第2個區(qū)別是金屬應(yīng)變傳感器不能直接安裝在撓曲裝置上(也就是實現(xiàn)運動的地方):金屬應(yīng)變傳感器必須安裝在某種“背襯”上,,這就導(dǎo)致了壓電致動器存在蠕變或滯后現(xiàn)象。由于壓電致動器的膨脹不均勻,,因此僅測量致動器的一部分伸長率無法精確推導(dǎo)其完整伸長率,。硅基位移傳感器是通過對撓曲本身進(jìn)行測量,不存在這種“不均勻性”問題,。
綜上所述,,硅基位移傳感器在環(huán)境背景中優(yōu)于電容式傳感器,在信噪比和穩(wěn)定性方面優(yōu)于金屬應(yīng)變傳感器,。
關(guān)于昊量光電:
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