精密位移傳感器技術比較
PIEZOCONCEPT 在其壓電級中使用什么類型的位移傳感器？為什么它優(yōu)于其他傳感器技術,？
PIEZOCONCEPT 使用單晶硅傳感器,，稱為Si-HR 傳感器。盡管它是應變儀傳感器大系列的一部分,，但它的性能優(yōu)于其他兩種常用技術（電容式傳感器和金屬應變儀）,。這兩種位置傳感技術有其自身的特定缺點。
電容式傳感器與 PIEZOCONCEPT 公司Si-HR 傳感器的比較
電容式傳感器非常常用,。他們提供了不錯的表現(xiàn),，但他們對以下情況很敏感：
• 氣壓變化：空氣的介電常數(shù)取決于氣壓。電容測量將受到任何壓力變化的影響,。
• 溫度變化：同樣的,，空氣的介電常數(shù)會隨溫度變化
• 污染物的存在
以上所有都會導致一些納米級的不穩(wěn)定性，因此如果您想實現(xiàn)真正的亞納米級穩(wěn)定性,，則需要將它們考慮在內(nèi),。即使可以對氣壓和溫度進行校正,，也無法校正其他因素（污染物、脫氣）的影響,。這解釋了電容式傳感器在真空環(huán)境中性能不佳的原因,。此外，電容式傳感器非常昂貴且體積龐大,。因此,，帶有電容傳感器的位移臺不可能做的有像的 BIO3/LT3 這樣薄，即使設計的好也會在穩(wěn)定性方面進一步犧牲性能,。
因為它是一種固態(tài)技術,，所以Si-HR 傳感器的電阻不依賴于氣壓或污染物的存在。其次,，溫度變化會對測量產(chǎn)生影響（主要是因為材料的熱膨脹）,，但這可以通過使用傳感器陣列來糾正?；旧?，我們?yōu)槊總€軸平行使用 2 個硅傳感器 - 一個用于測量，另一個用于考慮由于溫度變化導致的材料膨脹,。
金屬應變計與 PIEZOCONCEPT Silicon HR 技術的比較
金屬應變計與我們的 Silicon HR 技術（也是應變計）之間的差異更大,。金屬應變計和硅傳感器應變計之間存在兩個巨大差異。
競爭對手試圖說所有的應變儀都具有相同的性能,，因為它們測量的是應變,。這是不正確的。半導體應變計在穩(wěn)定性方面與金屬應變計有很大不同,。
金屬應變計和Si-HR 傳感器（PIEZOCONCEPT 使用）之間的第yi個區(qū)別是應變系數(shù)：半導體應變儀（Si-HR）的應變系數(shù)大約是金屬應變儀的 100 倍,。更高的規(guī)格因子導致更高的信噪比，最終導致更高的穩(wěn)定性,。 更重要的是,，第二個區(qū)別是金屬應變計不能直接安裝在彎曲本身上（即實現(xiàn)運動的地方）：金屬應變計必須安裝在某種“背襯”上。因此,，它必須安裝在執(zhí)行器本身上,，因為您沒有足夠的空間將其安裝在撓性件上。僅在執(zhí)行器上測量的問題是壓電執(zhí)行器有很多缺陷......存在蠕變或滯后等現(xiàn)象,。因此,，由于壓電執(zhí)行器的伸長不均勻，因此僅測量執(zhí)行器的部分伸長率并不能精確地扣除其*伸長率,。通過對彎曲本身進行測量,，我們不會遇到這種“不均勻”問題。由于上述原因,，如果您比較應變計（金屬）和 PIEZOCONCEPT 的Si-HR 傳感器,，在信噪比和穩(wěn)定性方面存在巨大差異,。
關于法國PIEZOCONCEPT公司
PIEZOCONCEPT 是壓電納米位移臺領域的領憲供應商，其應用領域包括但不限于超分辨率顯微鏡,、光阱,、納米工業(yè)和原子力顯微鏡。其產(chǎn)品已被國內(nèi)外yi流大學和研究所從事前沿研究的知銘科學家使用,，在工業(yè)和科研領域受到廣泛好評,。
多年來,，納米定位傳感器領域電容式傳感器一直占據(jù)主導地位,。但這項技術存在明顯的局限性。PIEZOCONCEPT經(jīng)過多年研究,，開發(fā)出硅基高靈敏度位置傳感器（Silicon HR）技術,，Si-HR傳感器可以實現(xiàn)更高的穩(wěn)定性和線性度，以滿足現(xiàn)代顯微鏡技術的更高分辨率要求,。
PIEZOCONCEPT的目標是為客戶提供一個物美價廉的納米或亞納米定位解決方案,，讓客戶享受到市面上蕞高的定位準確性和穩(wěn)定性的產(chǎn)品使用體驗。我們開發(fā)了一系列超穩(wěn)定的納米定位器件,，包含單軸,、兩軸、三軸,、物鏡掃描臺,、快反鏡和配套器件，覆蓋5-1500um行程,，品類豐富,，并提供各類定制化服務。與市場上已有的產(chǎn)品相比具有顯著優(yōu)勢,，Piezoconcept的硅傳感器具有很好的穩(wěn)定性,、超本低噪聲和超高的信號反饋，該技術優(yōu)于市場上昂貴的高duan電容傳感器,。因此,，我們的舞臺通過其簡單而高效的柔性設計和超本低噪聲電子器件提供皮米級穩(wěn)定性和亞納米（或亞納米弧度）本底噪聲。
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